국가직 9급 · 2011

9급 국가직 공무원 전자공학개론 (2011-04-09)

총 19문항 · 제한시간 20분

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.PLL(위상동기루프) 주파수 합성기의 기본 구성 요소로서 옳지 않은 것은?

    1. ①전압제어발진기
    2. ②위상검출기
    3. ③주파수변별기
    4. ④저역통과필터

  2. 2.다음의 로직함수 F와 동일한 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③AB+AC
    4. ④

  3. 3.어떤 단상 회로에 220 Vrms 전압이 걸릴 때 10 Arms의 전류가 흐르고, 전류가 전압보다 60°의 위상이 뒤진다고 할 때 회로에서 소비되는 전력으로 옳은 것은?

    1. ①2,200W
    2. ②1,600W
    3. ③1,100W
    4. ④800W

  4. 4.플립플롭과 래치의 차이점에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①플립플롭은 입력이 0일 때, 래치는 입력이 1일 때 토글된다.
    2. ②플립플롭은 클락에 동기되나, 래치는 클락에 동기 되지 않는다.
    3. ③플립플롭은 negative edge, 래치는 positive edge에서 동작이 일어난다.
    4. ④플립플롭은 에지트리거 동작을 하고, 래치는 레벨트리거 동작을 한다.

  5. 5.일반적인 선형 정전압 조정기와 비교했을 때, 스위칭 정전압조정기의 장점이 아닌 것은?

    1. ①효율이 높다.
    2. ②잡음이 적다.
    3. ③작은 변압기를 사용할 수 있다.
    4. ④낮은 전압에서 큰 부하전류를 공급할 수 있다.

  6. 6.다음 그림과 같이 이상적인 연산증폭기를 이용한 회로에서 출력 전압 V0로서 옳은 것은?

    1. ①12 V
    2. ②－12 V
    3. ③18 V
    4. ④－18 V

  7. 7.다음 회로의 입력 V1과 V2가 그림과 같이 동일한 경우 출력 파형으로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.진성 실리콘에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①진성 실리콘이 열에너지를 얻으면 일부 가전자는 자유전자가 된다.
    2. ②진성 실리콘에는 4개의 가전자가 있다.
    3. ③진성 실리콘에서 온도 상승에 의해 생성된 전자와 정공의 수는 같다.
    4. ④진성 실리콘에 안티몬을 넣으면 전기 전도성이 감소한다.

  9. 9.다음 회로에서 각 노드의 전압이 그림과 같이 측정되었다면 트랜지스터의 전류이득 값으로 옳은 것은?

    1. ①99
    2. ②89
    3. ③109
    4. ④79

  10. 10.아래 회로의 기능을 가장 잘 표현한 것은?

    1. ①첨두값을 검출하는 회로
    2. ②입력 전압을 추종하는 회로
    3. ③교류를 직류로 만드는 회로
    4. ④두 개의 안정한 상태를 갖는 회로

  11. 11.어떤 이진 시스템이 640 × 480 해상도 화면을 디스플레이하기 위하여 1024개의 색상 중 어느 하나를 갖는 그림(picture) 데이터를 초당 10개씩 전송한다면, 이 시스템에 요구되는 비트율(bit rate)에 가장 근사한 값은?

    1. ①3,145.7Mbps
    2. ②314.5Mbps
    3. ③3.07Mbps
    4. ④30.72Mbps

  12. 12.광섬유 케이블을 사용한 통신 시스템의 특징을 구리 동축케이블을 사용한 통신 시스템과 비교하여 설명한 것으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전송매체의 대역폭이 크므로 데이터 전송율이 높다.
    2. ②케이블의 지름이 작고 탭을 내기가 좋아 다루기 편리하다.
    3. ③외부의 전자기장에 영향을 받지 않아 간섭에 둔감하다.
    4. ④리피터의 설치 수가 상대적으로 적어 리피터 설치 비용이 절감되고, 에러원이 감소된다.

  13. 13.다음 회로의 Vo-Vi 특성곡선으로 옳은 것은? (단, 다이오드의 문턱전압은 0 [V]이다)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.MOS 트랜지스터에서 Gate와 Source간의 전압차(VGS), 온도 등 모든 조건을 일정하게 유지하고 트랜지스터의 채널 length만 2배 크게 하였을 때, 트랜지스터에 흐르는 전류 절대량 |IDS|의 변화 로서 옳은 것은? (단, channel length modulation 효과는 무시하며, MOS 트랜지스터는 차단영역에 있지 않다고 가정한다)

    1. ①P형 MOS는 증가하고, N형 MOS도 증가한다.
    2. ②P형 MOS는 감소하고, N형 MOS도 감소한다.
    3. ③P형 MOS는 감소하고, N형 MOS는 증가한다.
    4. ④변하지 않는다.

  15. 15.공핍영역의 두께가 역방향 바이어스 전압에 의해 변하는 특성을 이용하여 전자동조회로에 사용되는 다이오드는?

    1. ①터널 다이오드
    2. ②제너 다이오드
    3. ③버랙터 다이오드
    4. ④발광 다이오드

  16. 17.다음 회로에서 연산증폭기가 이상적이라고 가정할 때 Vo값으로 옳은 것은?

    1. ①Vo=Vi
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 18.다음 왼쪽 회로를 오른쪽과 같이 표현하였을 때 이를 이용하여 반가산기의 합(sum) 비트를 구현한 회로로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 19.다음 카르노맵을 간략화하여 나타낸 부울방정식 중 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  19. 20.다음 주파수 영역 전달함수의 임펄스응답 h(t)로서 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④