문항 목록
1PN 접합의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳은 것은?
2PNP 트랜지스터가 활성영역에서 동작하는 경우는?
3과대전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?
4반도체에서 전자가 원자의 속박으로부터 벗어나 전계에 의해 자유롭게 움직일 수 있는 에너지대는?
5MOSFET의 설명으로 거리가 먼 것은?
6다음 중 Si의 기본 격자구조로 올바른 것은?
7NPN 바이폴리 트랜지스터의 3가지 영역을 분순물의 도핑농도 크기가 큰 순서대로 나열한 것은?
8다음 중 n형 반도체를 만드는 불순물(Donor)이 아닌 것은?
9PN 접합에서 공간전하용량에 영향을 주지 않는 것은?
10다음 중 자유전자와 정공을 갖는 반도체에 전계를 가할 때 이들이 움직이는 방향으로 옳은 것은?
11진성 반도체의 페르미(Fermi) 준위 위치는?
12단결정의 제조방법으로 수소환원법, 열분해법, 불균등화 반응법, 진공열착법 등을 이용하는 것은?
13PN 접합에 대한 설명으로 옳은 것은?
14단순입방의 구조를 갖는 반도체 재료에서 1개의 단위 셀당 포함되는 원자의 개수는?
15트랜지스터의 최대 정격에 대한 설명으로 옳은 것은?
16반도체의 에너지 대역에서 금지대에 대한 설명으로 옳은 것은?
17접합전계효과트랜지스터(JFET)에서 판치오프(Pinch-off) 전압이란?
18n 채널 pn접합 전계효과 트랜지스터의 전압-전류 특성에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
19PN 접합에서 전류가 “0” 일 때의 설명으로 가장 적합한 것은?
20PN 접합에서 외부의 전계가 없는데도 전위장벽이 발생하는 이유는?
21다음 회로의 파형으로 맞는 것은?
22직류 증폭기에서 온도 변화 등의 영향으로 인하여 출력이 변동되는 현상은?
23저주파 전력증폭이의 출력측 기본파 전압이 50[V]이고, 제2 및 제3고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]일 때 왜율은?
24다음 중 수정발진기의 특징에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
25디지털 변조가 아닌 것은?
26베이스 점지(C3) 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?
27다음 그림의 회로는 비안정 멀티바이브레이터(Astable multi vibarator)이다. 발진주파수에 대한 식으로 옳은 것은?
28진폭 변조(AN)에서 반송파 진폭이 20[V] 이다. 25[V]의 진폭을 가지는 신호파를 인가한 경우 변조도는?
29어떤 TR이 VDE= S[V]로 동작 된다. 이 TR의 최대 정격 전력이 250[nA]이라면 견딜 수 있는 최대 컬렉터 전류는 약 몇 [nA] 인가?
30AM에서 1000[kHz]의 반송파가 35[kHz] 사인파에 의해 변조될 때 상측파대 주파수는?
31다음의 연산증폭기회로에서 출력 전압 VD는?
32RC 결함 증폭기에서 주파수 대역폭을 1/4로 줄이면 증폭이득은 약 얼마나 증가하는가?
33다음 중 연산증폭기에 관한 설명으로 옳은 것은?
34푸시풀(push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
35무궤한 시 전압이득이 100인 증폭기에서 궤환률 0.09의 무궤환을 걸었을 때 전압이득은?
36다음 부궤환 회로의 특징 중 옳은 것은?
37다음 그림은 반전연상증폭회로이다. 일 때 V1=3[V], V2=4[V]일 때 VD는 몇 [V] 인가?
38다음의 접합형 FET 회로에서 드레인 전류 l0=4[nA] 일 때 드레인과 소스 전압 Vcs는 몇 [V] 인가?
39연산증폭기 응용회로에서 궤환을 사용하지 않는 것은?
40다음과 같이 발진회로의 발진주파수는?
41BCD(8421) 코드는 몇 개의 2진 비트를 사용하는가?
42일반적으로 미사용 상태가 발생하더라도 문제없이 정상적인 카운트 루프로 복귀하는 카운터를 사용하는 것이 안전하다. 이와 같이 미사용 상태에서 정상의 카운트 루프로 복귀하지 않는 상태를 무엇이라 하는가?
4310진수 5에 대한 3-초과 코드로 옳은 것은?
44TTL IC에서 논리 0과 논리 1의 전압범위로 가장 옳은 것은?
45시간 폭이 매우 좁은 트리거 펄스 열이 입력단에 가해진 다면, 이 펄스가 나타나는 순간마다 출력 상태가 바뀌는 플립플롭은?
46불 함수 를 최소항의 합으로 바르게 표시한 것은?
47다음 그림의 회로 명칭으로 옳은 것은?
48의 논리 방정식을 가장 간단히 표시한 것은?
492진코드 1111을 그레이(Gray) 코드로 변환하면?
50기억용량 단위인 4 니블(nibble)은 몇 바이트(byte)인가?
51다음 불 대수(Boolean Algebra) 중 옳지 않은 것은?
52다음 회로를 논리식으로 표현하면?
53드모르간(De Moragan)의 정리에 속하는 것은?
54동기식 계수기의 특징과 가장 거리가 먼 것은?
55다음 논리도의 기능은?
56다음 회로 동작을 설명한 것 중 옳은 것은?
57F = (ac)′ + ab′ 의 회로로 잘못 설계된 것은?
58동기식 모듈로-6 카운터(MOG-6)를 구성하는데 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?
59RS 플립플롭에 대한 설명으로 옳은 것은?
60JK 플립플롭에서 J=1, K=1 일 때, 출력(Q)의 값은?
61미리 설계해 놓은 여러 소재들의 데이터(레이아웃데이터)를 모아 놓은 일종의 데이터베이스를 무엇이라고 하는가?
62MOS 구조의 전계효과 중 게이트 전압 Vs가 크게 증가하면 전계의 증가에 의해 산화층과 실리콘의 경계면에 소수 캐리어인 전자가 모이는 현상은?
63CMOS 제조 과정에서는 nMOS와 pMDS 트랜지스터를 만들 때 생기는 n 층과 p 층간의 결함(n-p-n-p 또는 p-n-p-n)에 의해 기성 트랜지스터가 구성되는데, 이 기생 트랜지스터가 결합되어 Vds와 Vss사이에 전류 통로가 형성되는 현상을 무엇이라고 하는가?
64다음 중 Integrated Cirouit(IC)에 포함시키기가 어려운 소자는?
65CMOS 인버터(Inverter) DC 특성 곡선에서 최대 전류가 흐르는 NMOS와 PMOS의 동작 영역은?
66집적회로 구현을 위한 웨이퍼 제조 공정에 해당하지 않는 것은?
67다음 모노리틱(Monolithic) IC의 제조과정 중 제일 마지막에 수행하는 공정은?
68전달게이트(transmission gate)에 대한 설명으로 틀린 것은?
69다음 중 직접회로설계의 전반부(front-end) 설계에 해당하지 않는 것은?
70시스템의 행동을 기술하기 위한 하드웨어 기술 언어에 속하는 것은?
71VLSI 레이아웃 설계 후 레이아웃 도면으로부터 추출한 저항 및 커패시턴스 값을 반영하여 논리 시뮬레이션을 다시 실시하는 과정을 일컫는 것은?
72동적 CMOS 로직과 거의 같으나, 출력단에 인버팅래치가 달려있는 점이 다른 로직은?
73다음 중 문턱전압(threshold voltage)에 대한 설명으로 옳은 것은?
74MOSFET에서 K×M/L는 무엇을 정의하는 식인가? (단, K:공정 전달 전도도, W:트랜지스터 채널폭, L:트랜지스터 길이)
75게이트 전압(V)이 기관 전압(V )보다 낮은 전위를 갖는 경우, MOS 구조의 동작 모드는?
76다음 중 직접회로 공정에서 불순물을 첨가하는 방법이 아닌 것은?
77두 pMOS를 병렬 연결하여 반드시 한 게이트 입력에 “0”을 일력할 경우 형성되는 전도 패스의 기능을 볼 함수로 옳게 표현한 것은?
78게이트 어레이 방식 설계에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
79실제로 클럭 신호는 MOS의 저항 및 용량 특성에 따라서 전달 과정에서 지연 효과를 갖게 되어 클럭의 시간차가 생긴다. 이와 같은 현상을 무엇이라고 하는가?
80MOS 트랜지스터에서 게이트 출력이 ‘1“ 또는 ”0“레벨에 있을 경우 DC 전력을 거의 소모하지 않는 디바이스는?
총 80문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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