문항 목록
1수직편파는?
2길이가 100[cm]인 자기회로를 구성할 때, 비투자율이 50인 철심을 이용한다면, 자기저항을 2.5×107 [AT/Wb]이하로 하기 위해서는 단면적을 약 몇 [m2 ]이상으로 하여야 하는가?
3유전율이 각각 다른 두 유전체를 서로 경계를 이루며 접해있다. 다음 중 옳지 않은 것은? (단, 이 경계면에는 진전하분포가 없다고 한다.)
4도전도 k = 6×1017 [℧/m], 투자율 μ =6/π× 10-7[H/m]인 평면도체 표면에 10[kHz]의 전류가 흐를 때, 침투되는 깊이 δ[m]는?
5내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부 자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라한다. 다음 중 자기차폐에 가장 좋은 것은?
6자기인덕턴스의 성질을 옳게 표현한 것은?
7어떤 자기회로에 3000[AT]의 기자력을 줄 때, 2×10-3 [Wb]의 자속이 통하였다. 이 자기회로의 자화에 필요한 에너지는 몇 [J]인가?
8앙페르의 주회 적분의 법칙(Ampere's circuital law)을 설명한 것으로 올바른 것은?
9자유공간 중에서 점 P(2, -4, 5)가 도체면상에 있으며, 이 점에서 전계 E=3ax-6ay+2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Ei의 크기는 몇 [V/m] 인가?
10평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때, 전속밀도가 4.8×10-7[C/m2 ]이고 단위체적당 에너지가 5.3×10-3[J/m3]이었다. 이 유전체의 유전율은 몇 [F/m] 인가?
11무손실 전송 회로의 특성 임피던스[Ω]는?
12자기 인덕턴스 0.05[H]의 회로에 흐르는 전류가 매초 530[A]의 비율로 증가할 때 자기 유도 기전력[V]은?
13자유공간에서 전파 E(z, t) =103 sin(ωt - βz)ay [V/m]일 때 자파 H(z, t)[A/m]는?
14렌쯔의 법칙을 올바르게 설명한 것은?
15V=x2 [V]로 주어지는 전위 분포일 때, x=20[cm]인 점의 전계는?
16영구자석에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
17유전율이 10인 유전체를 5[V/m]인 전계내에 놓으면 유전체의 표면전하밀도는 몇 [C/m2]인가? (단, 유전체의 표면과 전계는 직각이다.)
18진공 중에 놓은 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는?
19대지의 고유저항이 ρ[Ωㆍm]일 때, 반지름 a[m] 인 그림과 같은 반구 접지극의 접지저항[Ω]은?
20비유전율이 εr인 유전체 표면에서 d1만큼 떨어져 있는 점전하 Q에 작용하는 힘의 크기와 유전체 표면에서 d2만큼 떨어져 있는 점전하 2Q에 작용하는 힘의 크기가 같을 때 d2는?
21역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?
22단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?
23그림과 같은 저항 회로에서 합성 저항이 Rab=12[Ω]일 때, 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω] 인가?
24RL 직렬 회로에서 그 양단에 직류 전압 E를 연결한 다음 한참 후에 스위치 S를 개방하면 L/R 초 후의 전류는 몇 [A] 인가?
25자기 인덕턴스 L1, L2가 각각 5[H], 2[H]인 두 코일을 같은 방향으로 직렬로 연결하면 합성 인덕턴스는 25[H]이다. 두 코일간의 상호 인덕턴스 M은?
26다음 설명에 해당하는 회로망 정의는?
27단위 세기의 임펄스 함수인 δ(t)의 Fourier 변환은?
28그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타날 때 A 값은? (단, A는 개방 역방향 전압 이득임)
29그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, 이다.)
30페이저도가 다음 그림과 같이 주어졌을 때, 이 페이저도에 일치하는 등가 임피던스는?
31다음과 같은 계단함수를 시간 a만큼 천이시켰을 때, 이 신호에 대한 라플라스 변환으로 옳은 것은?
32R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC는?
33다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은 얼마인가?
34전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시빌(dB) 인가?
35R-L 병렬회로에서 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2를 나타낸 것으로 옳은 것은?
36RC 직렬회로에서 직류전압을 인가할 때, 전류값이 초기값의 e-1배가 되는 시간은 몇 [s] 인가?
3710[V]의 기전력으로 300[C]의 전기량이 이동할 때 몇 [J]의 일을 하게 되는가?
38다음 그림의 브리지가 평형 상태라면 C1의 값은?
39다음 회로가 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?
402단자 임피던스가 일 때, 극점(pole)은?
41다음과 같은 FET 소신호 증폭기회로에서 입력전압이 10[mV]일 때, 출력전압으로 가장 적합한 것은?
42다음 차동증폭기 회로의 출력 VO로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기의 특성은 이상적이다.)
43IDSS=25[mA], VGS(off)=15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS=5[V]이다.)
44부궤환시 입력임피던스 변화에 대한 설명으로 틀린 것은?
45이미터 접지 증폭기에서 ICO=0.01[mA]이고, IB=0.2[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA] 인가? (단, 이 트랜지스터의 β=50이다.)
46어떤 2단 증폭기에서 각 증폭기의 하한 임계주파수가 500[Hz]이고 상한 임계주파수가 80[kHz]일 때, 2단 등폭기의 전체 대역폭 B는 약 몇 [kHz] 인가?
47다음 회로에서 저항 Re의 역할로 가장 적합한 것은? (단, Ce의 용량은 무한대이다.)
48커패시터 입력형 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?
49베이스 접지일 때, 차단주파수가 12[MHz]이다. 이미터 접지일 때 차단주파수는 약 몇 [MHz] 인가?
50트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fa는?
51전력증폭기에 대한 설명으로 틀린 것은?
52FET 증폭기에서 이득-대역폭(GB) 적을 크게 하려면?
53어떤 증폭기의 개방루프 전압이득이 100이고, 왜율이 10[%]이다. 이 증폭기의 왜율을 1[%]로 하기 위한 부궤환율 β의 값은?
54수정 발진회로의 특징으로 가장 적합한 것은?
55짧은 ON 시간과 긴 OFF 시간을 가지며, 펄스(디지털) 신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?
56트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 151.2[μA]로 증가되었을 때, 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정도계수 S는?
57어떤 연산증폭기의 개루프 전압이득은 100000이고, 동상이득은 0.2일 때 동상신호제거비(CMRR)는?
58다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω] 인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)
59어떤 증폭회로에서 무궤환시 전압증폭도가 100이다. 이 증폭기에 궤환율 β=-40[dB]인 부궤환을 걸었을 때 전압이득은?
60듀티 비가 0.1이고, 주기가 20[μs]인 펄스의 폭[μs]은?
61펀치스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 가장 옳지 않은 것은?
62열전자를 방출하기 위한 재료의 조건으로 옳지 않은 것은?
63진성 반도체에서 온도가 상승하면?
64다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?
65전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?
66분포함수란 어떤 에너지에 대해 입자가 차지하고 있을 확률을 의미하는데 다음 중 이러한 분포함수가 아닌 것은?
67300[°K]에서 페르미 준위보다 0.1[eV]만큼 낮은 에너지 준위에 전자가 점유하는 확률은 약 얼마인가?
68터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?
69쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
70진성반도체에서 온도에 따른 페르미 준위와의 관계로 가장 옳은 것은?
71가전자대의 전자가 빛의 에너지를 흡수하여 전도대로 올라감으로써 한 쌍의 자유 전자와 정공이 생성되는 현상은?
72열전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
73순수 반도체가 절대온다 0[°K]의 환경에 존재하는 경우 이 반도체의 특성을 바르게 설명한 것은?
74어떤 반도체의 금지대폭 Eg가 상온 300[°K]에서 500[kT]일 때 이 반도체가 도전 상태가 되기 위한 필요 에너지는 약 얼마인가?
75PN 접합시 순방향으로 바이어스 되었을 때의 설명 중 옳은 것은?
76균일한 정자계 B속으로 자계와 직각 방향으로 속도 V로 전자가 들어갔다. 이때 속도 V를 2배로 변경했을 때 전자의 운동은 어떻게 되겠는가?
771[Coulomb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])
78CCD(Charge-coupled divice)의 동작 원리와 가장 유사한 전자 소자는?
79JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
80다음 중 서미스터(thermistor)의 재료가 될 수 없는 것은?
81명령어 중 데이터 처리 명령어에 해당하지 않은 것은?
8264K인 주소공간과 4K인 기억공간을 가진 컴퓨터의 경우, 한 페이지(page)가 512워드로 구성된다면 페이지와 블록 수는?
83어셀블리 언어(assembly language)의 설명으로 틀린 것은?
84보수기(complementer)를 구성하는데 필요한 gate는?
85논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?
86ASCII 코드의 존(zone) 비트와 디짓(digit) 비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?
87수평 마이크로프로그램의 특징이 아닌 것은?
882진수의 부동소수점(floating point) 표현에 대한 설명으로 틀린 것은?
89태스크 스케줄링 방법 중 Round-Robin 방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
90마이크로프로세서 내부에 있는 레지스터에서 일반적으로 사용되는 기억소자는?
91서브루팀 호출시 필요한 자료 구조는?
92전파 지연 시간이 가작 적은 IC는?
93컴퓨터의 구조 중 스택 구조에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
94디스크 판의 같은 위치에 놓여있는 트랙들의 집합은?
95java 언어에서 지역 변수나 멤버 변수를 변경할 수 없음을 나타내는 상수로 지정하는 제한자(한정자)는?
96C 언어의 지정어(reserved word)가 아닌 것은?
97다음 C 프로그램의 출력은?
98분기 명령어 길이가 3바이트 명령어이고 상대 주소모드인 경우 분기명령어가 저장되어 있는 기억장치 위치의 주소가 256AH이고, 명령어에 지정된 변위값이 -75H인 경우 분기되는 주소의 위치는?
99어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?
100인터럽트(interrupt)의 발생과 처리과정에서 수행되는 내용이 아닌 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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