전자기사 · 2009

전자기사 (2009-03-01)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.다음 중 국제 단위계(SI)에 있어서 인덕턴스(Indectance)의 차원(次元)으로 옳은 것은? (단. L은 길이, M은 질량, T는 시간, I는 전류이다.)

    1. ①LMT-2I-2
    2. ②L2MT-2I-2
    3. ③L2MT-3I-2
    4. ④L-2M-1T4I2

  2. 2.저항 10[Ω]의 코일을 지나는 자속이 ø = 5sin10t[A]일 때, 유도기전력에 의한 전류[A]의 최대값은?

    1. ①1[A]
    2. ②2[A]
    3. ③5[A]
    4. ④10[A]

  3. 3.그림과 같이 면적 S[m2]인 평행판 콘덴서의 극판간에 판과 평행으로 두께 d1[m], d2[m], 유전율 ε1[F/m], ε2[F/m]의 유전체를 삽입하면 정전용량[F]은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.자기 쌍극자의 자위에 관한 설명 중 맞는 것은?

    1. ①쌍극자의 자기모멘트에 반비례한다.
    2. ②거리제곱에 반비례한다.
    3. ③자기 쌍극자의 축과 이루는 각도 θ의 sinθ에 비례한다.
    4. ④자위의 단위는 [Wb/J]이다.

  5. 5.다음 사항 중 옳은 것은?

    1. ①∇×H는 면전류밀도 [A/m2]를 의미하며, curl H 또는 rot H 와 같다.
    2. ②∇V는 전계방향과 반대이고, 등전위면과 직각방향인 전위가 감소하는 방향으로 향한다.
    3. ③∇ㆍD는 단위면적당의 발산전속수를 의미한다.
    4. ④∇×(∇×A)는 벡터 항등식에서 ∇(∇ㆍA)∇2A와 같다.

  6. 6.이종(異種)의 유전체사이의 경계면에 전하분포가 없을 때 경계면 양쪽에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①전계의 법선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
    2. ②전계의 법선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.
    3. ③전계의 접선성분 및 전속밀도의 접선성분은 서로 같다.
    4. ④전계의 접선성분 및 전속밀도의 법선성분은 서로 같다.

  7. 7.그림과 같은 반지름 ρ[m]인 원형 영역에 걸쳐 균등 자속 밀도가 B = Boaz[T]로 측정되었다면 그 원형 영역내의 벡터포텐셜 A[Wb/m]는 얼마인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.압전기 현상에서 분극이 응력과 같은 방향으로 발생하는 현상을 무슨 효과라 하는가?

    1. ①종효과
    2. ②횡효과
    3. ③역효과
    4. ④간접효과

  9. 9.반사계수 ϓ = 0.8일 때 정재파비 S를 데시벨[dB]로 표시하면?

    1. ①
    2. ②10 log109
    3. ③
    4. ④20 log109

  10. 10.평등 전계 내에 수직으로 비유전율 εr = 3인 유전체 판을 놓았을 경우 판 내의 전속밀도 D = 4×10-6[C/m2]이었다. 이 유전체의 비분극률은?

    1. ①2
    2. ②3
    3. ③1×10-6
    4. ④2×10-6

  11. 11.대전된 도체구 A를 반지름이 2배가 되는 대전되어 있지 않는 도체구 B에 접속하면 도체구 A는 처음 갖고 있던 전계 에너지의 얼마가 손실되겠는가?

    1. ①3/2
    2. ②2/3
    3. ③5/2
    4. ④2/5

  12. 12.도전률 σ, 투자율 μ인 도체에 교류전류가 흐를 때 표피효과에 의한 침투깊이 δ는 σ와 μ, 그리고 주파수 f에 어떤 관계가 있는가?

    1. ①주파수 f와 무관하다.
    2. ②σ가 클수록 작다.
    3. ③σ와 μ에 비례한다.
    4. ④μ가. 클수록 크다.

  13. 13.비유전율 εr = 4, 비투자율 μr = 1인 매질 내에서 주파수가 1[GHz]인 전자기파의 파장은 몇 [m] 인가?

    1. ①0.1[m]
    2. ②0.15[m]
    3. ③0.25[m]
    4. ④0.4[m]

  14. 14.서로 결합하고 있는 두 코일 C1과 C2의 자기인덕턴스가 각각 LC1, LC2라고 한다. 이 둘을 직렬로 연결하여 합성 인덕턴스값을 얻은 후 두 코일간 상호인덕턴스의 크기(|M|)를 얻고자 한다. 직렬로 연결할 때, 두 코일간 자속이 서로 가해져서 보강되는 방향이 있고, 서로 상쇄되는 방향이 있다. 전자의 경우 얻은 합성인덕턴스의 값이 L1, 후자의 경우 얻은 합성인덕턴스의 값이 L2 일 때, 다음 중 알맞은 식은?

    1. ①L1＜L2, |M|= L2+L1/4
    2. ②L1＞L2, |M|= L1+L2/4
    3. ③L1＜L2, |M|= L2-L1/4
    4. ④L1＞L2, |M|= L1-L2/4

  15. 15.비투자율이 2500인 철심의 자속밀도가 5[Wb/m2]이고 철심의 부피가 4×10-6[m3]일 때, 이 철심에 저장된 자기에너지는 몇 [J] 인가?

    1. ①1/π×10-2[J]
    2. ②3/π×10-2[J]
    3. ③4/π×10-2[J]
    4. ④5/π×10-2[J]

  16. 16.반지름이 1[cm]와 2[cm]인 동심원통의 길이가 50[cm]일 때 이것의 정전용량은 약 몇 [pF] 인가? (단, 내원통에 +λ[cm], 외원통에 -λ[cm]인 전하를 준다고 한다.)

    1. ①0.56[pF]
    2. ②34[pF]
    3. ③40[pF]
    4. ④141[pF]

  17. 17.E[V/m]의 평등 전계를 가진 절연유(비유전율 εr) 중에 있는 구형기포(球形氣泡) 내의 전계의 세기는 몇 [V/m]인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.다음 중 20℃에서 저항온도계수(temperature coefficient of resistance)가 가장 큰 것은?

    1. ①Ag
    2. ②Cu
    3. ③Al
    4. ④Ni

  19. 19.커패시터를 제조하는데 A, B, C, D와 같은 4가지의 유전재료가 있다. 커패시터내에서 단위체적당 가장 큰 에너지 밀도를 나타내는 재료부터 순서대로 나열하면? (단, 유전재료 A, B, C, D의 비유전율은 각각 εrA = 8, εrB = 10, εrC = 2, εrD = 4 이다.)

    1. ①B ＞ A ＞ D ＞ C
    2. ②A ＞ B ＞ D ＞ C
    3. ③D ＞ A ＞ C ＞ B
    4. ④C ＞ D ＞ A ＞ B

  20. 20.다음 중 자기회로에서 키르히호프의 법칙으로 알맞은 것은? (단, R : 자기저항, ø : 자속, N : 코일 권수, I : 전류 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  21. 21.시정수 τ를 갖는 R-L 직렬회로에 직류 전압을 인가할때 t = 3τ가 되는 시간에 회로에 흐르는 전류는 최종값의 몇 [%]가 되는가?

    1. ①86[%]
    2. ②73[%]
    3. ③95[%]
    4. ④100[%]

  22. 22.다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21은?

    1. ①Y11 = 1/Za, Y21 = 1/Zb
    2. ②Y11 = 1/Zb, Y21 = 1/Za
    3. ③Y11 = 1/Za, Y21 = 1/Za
    4. ④Y11 = 1/Zb, Y21 = 1/Zb

  23. 23.정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?

    1. ①Vm/2
    2. ②
    3. ③Vm/π
    4. ④2Vm/π

  24. 24.감쇠기의 전력비가 P1/P2 = 100일 때의 감쇠량[dB]은?

    1. ①1
    2. ②10
    3. ③20
    4. ④100

  25. 25.교류 브리지가 평형 상태에 있을 때 L의 값은?

    1. ①L = R2/(R1C)
    2. ②L = CR1CR2
    3. ③L = C/(R1R2)
    4. ④L = (R1R2)/C

  26. 26.e-at cos ωt의 라플라스(Laplace) 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  27. 27.다음 설명은 어떤 회로망 정리를 표현한 것인가?

    1. ①노튼 정리
    2. ②보상 정리
    3. ③테브난 정리
    4. ④중첩의 정리

  28. 28.전압비 20을 데시벨로 표시하면 몇 [dB] 인가? (단, log102 = 0.3)

    1. ①13
    2. ②20
    3. ③26
    4. ④100

  29. 29.다음을 역 Laplace로 변환하면?

    1. ①cos 3t
    2. ②sin 3t
    3. ③sin 9t + cos 9t
    4. ④sin 3t + cos 3t

  30. 30.R-L-C 직렬공진회로에서 공진 주파수가 fr 이고, 반전력 대역폭이 Δf 일 때 공진도 Qr은?

    1. ①Qr = Δf/fr
    2. ②Qr = Δf/2πfr
    3. ③Qr = fr/Δf
    4. ④Qr = 2πfr/Δf

  31. 31.인덕턴스 L1, L2가 각각 2[mH], 4[mH]인 두 코일간의 상호 인덕턴스 M이 4[mH]라고 하면 결합계수 K는 약 얼마인가?

    1. ①1.41
    2. ②1.54
    3. ③1.66
    4. ④2.47

  32. 32.다음 그림의 정현파에서 v(t) = Vsin(ωt+ø)의 주기 T를 올바르게 표시한 것은?

    1. ①2πω
    2. ②2πf
    3. ③ω/2π
    4. ④2π/ω

  33. 33.R, L, C 병렬 공진회로에 관한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①R 이 작을수록 Q가 낮다.
    2. ②공진시 입력 어드미턴스는 매우 작아진다.
    3. ③공진 주파수 이하에서의 입력 전류는 전압보다 위상이 뒤진다.
    4. ④공진시 L 또는 C로 흐르는 전류는 입력 전류 크기의 1/Q배가 된다.

  34. 34.LC 공진회로에서 R = 3[Ω], L = 15[mH]일 때 2kHz의 정현파를 인가하였더니 공진이 발생했다. 이 때 캐패시턴스 C는 약 얼마인가?

    1. ①422[nF]
    2. ②422[μF]
    3. ③5305[μF]
    4. ④47[μF]

  35. 35.그림과 같은 T형 4단자 회로의 임피던스 파라미터 Z21은?

    1. ①Z1+Z2
    2. ②-Z2
    3. ③Z2
    4. ④Z2+Z3

  36. 36.R-L-C 직렬 회로에 t = 0인 순간, 직류 전압을 인가한다면 2계 선형 미분방정식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.임피던스 Z(s)가 인 2단자 회로에 직류 전원 20[A]를 인가할 때 이 회로의 단자 전압은?

    1. ①20[V]
    2. ②40[V]
    3. ③200[V]
    4. ④400[V]

  38. 38.정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.“회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?

    1. ①플레밍의 법칙
    2. ②렌쯔의 법칙
    3. ③패러데이의 법칙
    4. ④키르히호프의 법칙

  40. 40.자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6[Ω]에서 전류 I = 10[A]가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2[Wb]이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③10
    4. ④12

  41. 41.수정발진자의 직렬 공진주파수를 fS, 병렬 공진주파수를 fP라고 할 때, 안정된 발진을 지속할 수 있는 발진주파수 fO의 범위는?

    1. ①fO ＜ fS
    2. ②fO ＞ fP
    3. ③fP ＜ fO ＜ fS
    4. ④fS ＜ fO ＜ fP

  42. 42.저주파 증폭기에서 입력이 100[mV]일 때 전압이득이 60[dB]이고, 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 1.73[V], 1[V]이다. 출력전압의 왜율은 약 몇 [%] 인가?

    1. ①1[%]
    2. ②2[%]
    3. ③5[%]
    4. ④7[%]

  43. 43.다음 중 이상적인 연산증폭기의 특징에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①입력 오프셋 전압은 0 이다.
    2. ②오픈 루프 전압이득이 무한대이다.
    3. ③동상 신호 제거비(CMRR)가 0 이다.
    4. ④두 입력전압이 같을 때 출력전압은 0 이다.

  44. 44.다음 중 병렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

    1. ①전압
    2. ②전류
    3. ③전력
    4. ④임피던스

  45. 45.다음과 같이 1[MHz]의 수정발진기 출력을 펄스 정형회로(Pulse shaper)를 거쳐 구형파로 바꾼 후 250[Hz]의 클럭 주파수를 만들고자 한다. 블록 A에 카운터를 설계하여 분주하는 경우 최소 몇 개의 플립플롭이 필요한가?

    1. ①10개
    2. ②11개
    3. ③12개
    4. ④13개

  46. 46.다음의 연산증폭기 회로에서 출력전압 Vo는? (단, Ra/Rb = R1/R2 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  47. 47.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①저역통과 여파기
    2. ②고역통과 여파기
    3. ③DC-AC 변환기
    4. ④시미트 트리거

  48. 48.부호기라고도 하며 복수 개의 입력을 대응 2진 코드로 변환하는 조합논리회로를 무엇이라 하는가?

    1. ①디코더
    2. ②인코더
    3. ③플립플롭
    4. ④멀티플렉서

  49. 49.다음과 같은 회로 입력에 정현파를 인가하였을 때 출력 파형으로 가장 적합한 것은? (단, ZD는 이상적인 제너다이오드 이다.)

    1. ①구형파형
    2. ②정현파형
    3. ③삼각파형
    4. ④톱날파형

  50. 50.다음 중 적분 회로로 사용 가능한 회로는?

    1. ①저역통과 RC 회로
    2. ②고역통과 RC 회로
    3. ③대역소거 RC 회로
    4. ④대역통과 RC 회로

  51. 51.다음 회로의 명칭으로 가장 적합한 것은?

    1. ①평형 변조회로
    2. ②전파 정류회로
    3. ③배전압 정류회로
    4. ④반파 정류회로

  52. 52.다음 중 입력 저항이 가장 크게 될 수 있는 회로는?

    1. ①bootstrapping 회로
    2. ②cascade 증폭기 회로
    3. ③트랜지스터 chopper 회로
    4. ④베이스 접지형 증폭기 회로

  53. 53.다음 중 발진주파수 변동 원인과 방지책이 적합하지 않은 것은?

    1. ①주위온도 변화 : 항온조를 사용한다.
    2. ②부하 변동 : 발진기 후단에 완충증폭기를 사용한다.
    3. ③회로소자 변화 : 방습제를 사용한다.
    4. ④전원전압 변동 : 전력증폭기 등 다른 회로 전원과 공동으로 사용한다.

  54. 54.JFET에서 IDSS = 9[mA]이고, VGS(OFF) = -8[V]이다. VGS = 14[V]일 때 드레인 전류는 약 몇 [mA] 인가?

    1. ①1.2[mA]
    2. ②2.25[mA]
    3. ③3.4[mA]
    4. ④4.12[mA]

  55. 55.어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 86[dB]이고, 차 신호에 대한 전압이득(Ad)이 100000 이라고할 때 이 차동증폭기의 동상신호에 대한 이득(Ac)은 얼마인가?

    1. ①5
    2. ②10
    3. ③50
    4. ④100

  56. 56.고역 3[dB] 차단주파수가 100[kHz]이고, 전압이득이 46[dB]인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득을 20[dB]로 낮추면 고역 3[dB] 차단주파수는 몇 [kHz]인가?

    1. ①500[kHz]
    2. ②1000[kHz]
    3. ③2000[kHz]
    4. ④4000[kHz]

  57. 57.다음 회로에서 Re의 주 역할로 가장 적합한 것은? (단, C의 값은 매우 크다.)

    1. ①출력 증대
    2. ②동작점의 안정화
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④주파수 대역폭 증대

  58. 58.이미터 접지 증폭기에서 ICO가 100[μF]이고, IB가 1[mA]일 때 컬렉터 전류는 약 몇 [mA] 인가? (단, 트랜지스터의 α는 0.99 이다.)

    1. ①109[mA]
    2. ②120[mA]
    3. ③137[mA]
    4. ④154[mA]

  59. 59.다음 중 시미트 트리거(schmitt trigger) 회로에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①입력 파형에 관계없이 출력은 삼각파이다.
    2. ②입력 전류의 크기로 회로의 on, off를 결정해 준다.
    3. ③A/D 변환기는 시미트 트리거 회로의 응용회로 중의 하나이다.
    4. ④2개의 증폭기의 접지 단자를 공통으로 접속하고, 음귀환을 걸어 입력 신호의 진폭에 따라 2가지 안정된 상태를 이룬다.

  60. 60.무궤환시 전압이득이 100±20 인 증폭기에 부궤환을 걸어서 전압이득을 ±1[%] 이내로 안정시키려면 궤환율 (β)은 얼마로 하면 되겠는가?

    1. ①0.09
    2. ②0.12
    3. ③0.19
    4. ④0.25

  61. 61.균등 전계내 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
    2. ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례한다.
    3. ③전계 E에 의한 전자의 운동에너지는 [J]이다.
    4. ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동에너지는 eV[J]이다.

  62. 62.다음 중 전자의 비전하를 의미하는 것으로 옳은 것은?

    1. ①전자와 전하의 비(ratio)를 의미
    2. ②전자와 전류의 비(ratio)를 의미
    3. ③전자와 질량의 비(ratio)를 의미
    4. ④전류와 질량의 비(ratio)를 의미

  63. 63.정공의 확산계수 DP = 55[cm2/sec]이고, 정공의 평균수명 τP = 10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?

    1. ①6.3×103[cm]
    2. ②6.3×10-3[cm]
    3. ③7.4×103[cm]
    4. ④7.4×10-3[cm]

  64. 64.다음 중 열음극을 갖는 것은?

    1. ①계전기 방전관
    2. ②네온관
    3. ③정전압 방전관
    4. ④수은 정류관

  65. 65.반도체에서 용량의 변화에 의해 동작되는 소자로 가변용량 다이오드라고도 하는 것은?

    1. ①쇼트키(schottky) 다이오드
    2. ②바렉터(varactor) 다이오드
    3. ③터널(tunnel) 다이오드
    4. ④제너(zever) 다이오드

  66. 66.열평형 상태에서 PN접합 전류가 zero(dud)라는 의미는?

    1. ①전위 장벽이 없어졌다는 것이다.
    2. ②접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
    3. ③접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
    4. ④접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.

  67. 67.n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?

    1. ①전자의 확산 현상
    2. ②정공의 확산 현상
    3. ③정공의 드리프트 현상
    4. ④전자의 드리프트 현상

  68. 68.광전자 방출에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①광전자 방출은 금속의 일함수와 관계가 있다.
    2. ②금속 표면에 빛이 입사되면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
    3. ③한계 파장보다 긴 파장의 빛을 다량으로 입사시키면 광전자 방출이 일어난다.
    4. ④광전자 방출을 위해서는 금속 표면에 입사되는 빛의 파장이 한계 파장보다 짧아야 한다.

  69. 69.다음 중 접합형 트랜지스터가 개폐기로 쓰이는 영역은?

    1. ①포화영역과 활성영역
    2. ②활성영역과 차단영역
    3. ③포화영역과 차단영역
    4. ④활성영역과 역할성영역

  70. 70.루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?

    1. ①직류 전원이다.
    2. ②광적 에너지이다.
    3. ③자계 에너지이다.
    4. ④주파수가 낮은 교류 전원이다.

  71. 71.Si 접합형 npn 트랜지스터의 베이스폭이 10-5[m]일때, α차단 주파수는 약 몇 [MHz] 인가? (단, Si의 전자이동도 μn은 0.15[m2/Vㆍs]이다.)

    1. ①4
    2. ②12
    3. ③15
    4. ④31

  72. 72.다음 중 Fermi-Dirac 분포 함수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  73. 73.2×104[m/sec]의 속도로 운동하는 전자의 드브로이(deBroglie) 파장은? (단, 프랑크 상수는 6.626×10-34[Jㆍsec], 전자의 질량은 9.1×10-31[kg])

    1. ①1.82×10-26[m]
    2. ②3.64×10-8[m]
    3. ③1.64×1034[m]
    4. ④1.21×10-16[m]

  74. 74.일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①금속의 종류에 따라 값이 다르다.
    2. ②일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
    3. ③표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
    4. ④전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.

  75. 75.전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1.602×10-14[m/s2]
    2. ②1.75×1016[m/s2]
    3. ③5.93×105[m/s2]
    4. ④1600[m/s2]

  76. 76.PN 접합 다이오드의 용량(Capacitance)에는 확산용량(Diffusion Capacitance) Cd와 접합용량(Junction Capacitance) Ct가 있다. 다음 중 옳은 것은?

    1. ①바이어스 전압에 관계없이 Cd = Ct 이다.
    2. ②순방향 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
    3. ③역방향 바이어스 때는 Cd ≫ Ct 이다.
    4. ④순방향 바이어스 때는 Ct ≫ Cd 이다.

  77. 77.반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔하는 이유는?

    1. ①캐리어의 이동도를 결정하기 때문
    2. ②다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
    3. ③진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    4. ④불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문

  78. 78.터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?

    1. ①역방향에서만 발생
    2. ②정전압이 높을 때만 발생
    3. ③바이어스가 영(zero)일 때 발생
    4. ④아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생

  79. 79.트랜지스터의 고주파 특성으로서 차단주파수 α는 무엇으로 결정되는가?

    1. ①컬렉터에 걸어주는 전압
    2. ②베이스 폭에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
    3. ③베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
    4. ④이미터에 걸어주는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.

  80. 80.T=0[°K]에서 전자가 가질 수 있는 최대에너지 준위는?

    1. ①페르미 에너지 준위
    2. ②도너 준위
    3. ③억셉터 준위
    4. ④드리프트 준위

  81. 81.CPU가 직접 입ㆍ출력을 제어하는 방식 중 Interrupt를 이용해서 I/O를 하는 이유로써 가장 타당한 것은?

    1. ①I/O 프로그램을 하기 쉽도록 하기 위해서
    2. ②CPU가 입ㆍ출력 개시를 지시한 후 더 이상 간섭하지 않아도 되기 때문에
    3. ③프린터나 입력기의 구조에 인터럽트를 처리하는 장치가 내장되어 있기 때문에
    4. ④I/O의 speed를 증가시키기 위하여

  82. 82.다음 중 플립플롭에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①JK 플립플롭에서 J와 K에 모두 1 이 가해지면 출력은 반전된다.
    2. ②T 플립플롭은 트리거 입력이 가해질 때마다 출력 상태가 변화된다.
    3. ③D 랫치는 두 개의 입력 단자를 가지고 있어 동시에 S와 R에 1 입력신호가 나타난다.
    4. ④RS 플립플롭의 경우 R과 S가 동시에 1 인 경우는 금지되어 있다.

  83. 83.다음의 회로에서 입력 값이 D = 1, C = 1(positive edge trigger)일 경우 출력 Q의 값은?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③Toggle
    4. ④불변

  84. 84.가상 기억장치(Virtual Memory)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①보조기억장치와 같이 기억용량이 큰 기억장치를 마치 주 기억장치처럼 사용하는 개념이다.
    2. ②중앙처리장치에 의해 참조되는 보조기억장치의 가상 주소는 주기억장치의 주소로 변환되어야 한다.
    3. ③메모리 매핑(Mapping)에는 페이지(Page)에 의한 매핑과 세그먼트(Segment)에 의한 매핑으로 구분된다.
    4. ④실행될 프로그램의 크기가 주기억장치의 용량보다 작을 때 사용한다.

  85. 85.하나 이상의 프로그램 또는 연속되어 있지 않은 저장 공간으로부터 데이터를 모은 다음, 데이터들을 메시지 버퍼에 집어넣고, 특정 수신기나 프로그래밍 인터페이스에 맞도록 그 데이터를 조직화하거나 미리 정해진 다른 형식으로 변환하는 과정을 일컫는 것은?

    1. ①streaming
    2. ②porting
    3. ③converting
    4. ④marshalling

  86. 86.다음 중 매개 변수 전달 기법이 아닌 것은?

    1. ①Call by Reference
    2. ②Call by Return
    3. ③Call by Value
    4. ④Call by Name

  87. 87.프로그램이 정상적으로 실행되다가 어떤 명령어에 의해 실행 목적을 바꾸는 명령을 무엇이라 하는가?

    1. ①시프트(Shift)
    2. ②피드백(Feed back)
    3. ③브랜칭(Branching)
    4. ④인터럽트(Interrupt)

  88. 88.머신 사이클(maching cycle)에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①모든 명령의 첫 번째 머신 사이클은 동작코드를 인출하기 위한 사이클, 즉 패치 사이클이다.
    2. ②메모리 사이클은 메모리 읽기(read) 사이클과 메모리쓰기(write) 사이클로 구분된다.
    3. ③입ㆍ출력 사이클에서는 신호를 사용할 수 없다.
    4. ④CPU는 각 명령의 최종 머신 사이클의 최종 T 사이클에서 신호를 조사한다.

  89. 89.RISC(Reduced Instruction Set Computer)와 CISC(Complex Instruction Set Computer)에 대한 설명중 잘못된 것은?

    1. ①RISC는 실행 빈도가 적은 하드웨어를 제거하여 자원 이용률을 높이는 장점이 있다.
    2. ②RISC는 프로그램의 길이가 길어지므로 수행 속도가 느린 단점이 있다.
    3. ③CISC는 고급언어를 이용하여 알고리즘을 쉽게 표현할 수 있는 장점이 있다.
    4. ④CISC는 복잡한 명령어군을 제공하므로 컴퓨터 설계 및 구현시 많은 시간을 필요로 하는 단점이 있다.

  90. 90.다음 소프트웨어의 분류를 나타내는 단어들 중 성격이 다른 하나는?

    1. ①미들웨어
    2. ②프리웨어
    3. ③쉐어웨어
    4. ④라이트웨어

  91. 91.다음 1비트를 비교하는 진리표이다. ( )에 알맞은 값은?

    1. ①a : 0, b : 0, c : 0
    2. ②a : 1, b : 0, c : 0
    3. ③a : 1, b : 0, c : 1
    4. ④a : 0, b : 0, c : 1

  92. 92.어떤 디스크의 탐색시간이 12[ms], 전송률이 100[Mbyte/s], 회전속도가 7200[rpm]일 때 제어기의 지연시간이 1[ms]이다. 섹터의 크기가 512[byte]인 경우 한 섹터를 읽는데 걸리는 평균 액세스 타임은 얼마인가?

    1. ①약 8.3[ms]
    2. ②약 12.0[ms]
    3. ③약 16.6[ms]
    4. ④약 17.2[ms]

  93. 93.주소지정이 간단하고 이해하기는 쉽지만 주소부가 길어지고, 메모리의 이용 효율이 떨어지는 주소지정 방식은?

    1. ①Absolute Address
    2. ②Relative Address
    3. ③Page Address
    4. ④Base Address

  94. 94.C 프로그램에서 선행처리기에 대한 설명 중 잘못된것은?

    1. ①컴파일하기 전에 처리해야 할 일들을 수행하는 것이다.
    2. ②상수를 정의하는 데에도 사용한다.
    3. ③프로그램에서 “#” 표시를 사용한다.
    4. ④유틸리티 루틴을 포함한 표준 함수를 제공한다.

  95. 95.다음 중 부동 소수점 표현 방식의 설명으로 잘못된 것은?

    1. ①2의 보수 표현 방법을 많이 사용한다.
    2. ②매우 큰 수와 작은 수를 표시하기에 편리하다.
    3. ③부호, 지수부, 가수부 등으로 구성되어 있다.
    4. ④연산이 복잡하고 시간이 많이 걸린다.

  96. 96.다음 중 전체 시스템의 안정성을 고려하고 업무처리의 신뢰성을 높여주기 위해, 두 개의 CPU가 같은 업무를 동시에 처리하고 그 결과를 비교하여 상호 보완해 주는 시스템은?

    1. ①온라인(on-line) 시스템
    2. ②분산처리(distributed) 시스템
    3. ③듀얼(dual) 시스템
    4. ④시분할(time sharing) 시스템

  97. 97.컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입ㆍ출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?

    1. ①Polling
    2. ②Interruput
    3. ③Paging
    4. ④Handshaking

  98. 98.다음 중 최소항(minterm)에 대해 바르게 설명한 것은?

    1. ①출력값이 0 인 부분
    2. ②출력값이 그 자체인 부분
    3. ③출력값이 1 인 부분
    4. ④출력값이 OR 형태로 결합된 항

  99. 99.CPU가 프로그램을 수행하는 동안 결과를 캐시기억장치에 쓸 경우 주기억장치와 캐시기억장치의 데이터가 서로 일치하지 않는 경우가 발생할 수 있는 방식은?

    1. ①나중 쓰기(write-back) 방식
    2. ②즉시 쓰기(write-through) 방식
    3. ③최소 최근 사용(LRU) 방식
    4. ④최소 사용 빈도(LFU) 방식

  100. 100.다음 중 고속 연산의 실현 방법이 아닌 것은?

    1. ①병렬 처리 방식
    2. ②선형 처리 방식
    3. ③파이프라인 방식
    4. ④특수 프로세서로 실현하는 방식