전자기사 · 2009

전자기사 (2009-08-30)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.그림과 같은 무한평면 S위에 한 점 P가 있다. S가 P점에 대해서 이루는 입체각은 얼마인가?

    1. ①π
    2. ②2π
    3. ③3π
    4. ④4π

  2. 2.진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B가 있다. 도체 A에만 1[C]의 전하를 줄 때, 도체 A, B의 전위가 각각 3[V], 2[V]이었다. 지금 도체 A, B에 각각 2[C]과 1[C]의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 [V] 인가?

    1. ①6[V]
    2. ②7[V]
    3. ③8[V]
    4. ④9[V]

  3. 3.높은 주파수의 전자파가 전파될 때 일기가 좋은 날보다 비 오는 날 전자파의 감쇠가 심한 원인은?

    1. ①도전율 관계임
    2. ②유전률 관계임
    3. ③투자율 관계임
    4. ④분극률 관계임

  4. 4.동일한 금속이라도 그 도체 중 온도차가 있을 때 전류를 흘리면 열의 발생 또는 흡수가 일어나는 현상은?

    1. ①지벡 효과
    2. ②열전 효과
    3. ③펠티에 효과
    4. ④톰슨 효과

  5. 5.환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일간의 상호인덕턴스[H]는?

    1. ①NAㆍLA/NB
    2. ②NBㆍLA/NA
    3. ③NA2ㆍLA/NB
    4. ④NB2ㆍLA/NA

  6. 6.자기모멘트 9.8×10-5[Wbㆍm]의 막대자석을 지구자계의 수평 성분 12.5[T/m]의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 약 몇 [J] 인가?

    1. ①1.23×10-3[J]
    2. ②1.03×10-5[J]
    3. ③9.23×10-3[J]
    4. ④9.03×10-5[J]

  7. 7.반지름 a[m]인 접지 구도체의 중심에서 d[m](＞a)되는 점에 점전하 Q가 있을 때 영상전하 Q'의 크기는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.정전계에서 도체에 점(+)의 전하를 주었을 때 다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①도체표면의 곡률반지름이 작은 곳에 전하가 많이 분포한다.
    2. ②도체외측의 표면에만 전하가 분포한다.
    3. ③도체표면에서 수직으로 전기력선이 출입한다.
    4. ④도체 내에 있는 공동면에도 전하가 골고루 분포한다.

  9. 9.전지에 연결된 진공 평행판 콘덴서에서 진공 대신 어떤 유전체로 채웠더니 충전전하가 2배로 되었다면 전기 감수율(susceptibility) Xer은 얼마인가?

    1. ①0
    2. ②1
    3. ③2
    4. ④3

  10. 10.정현파 자속의 주파수를 3배로 높이면 유기 기전력은?

    1. ①3배 증가
    2. ②9배 증가
    3. ③3배 감소
    4. ④9배 감소

  11. 11.평행판 콘덴서가 있다. 전극은 반지름이 30[cm]인 원판이고 전극간격은 0.1[cm]이며 유전체의 유전율은 4.0이라 한다. 이 콘덴서의 정전용량은 약 몇 [μF] 인가?

    1. ①0.01[μF]
    2. ②0.02[μF]
    3. ③0.03[μF]
    4. ④0.04[μF]

  12. 12.다음 중 전속밀도에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①전속은 스칼라양이기 때문에 전속밀도도 스칼라양이다.
    2. ②전속밀도는 전계의 세기 방향과 반대 방향이다.
    3. ③전속밀도는 유전체 내에 분극의 세기와 같다.
    4. ④전속밀도는 유전체가 있던, 없던 관계없이 크기는 일정하다.

  13. 13.진공 중에서 유전율 ε[F/m]의 유전체가 평등자계 B[Wb/m2] 중일 속도 v [m/s]로 운동할 때 유전체에 발생하는 유전 분극의 세기[C/m2]는 어떻게 표현되는가?

    1. ①(ε-ε0)v ×B
    2. ②(ε-ε0)B×v
    3. ③εB×v
    4. ④ε0v×B

  14. 14.진공 중에 있는 두 점자극 +m[Wb]과 -m[Wb]이 r[m] 거리에 있을 때, 두 점 자극을 잇는 직선의 중앙점에서 자계의 크기[AT/m]는?

    1. ①m/πμ0r2
    2. ②2m/πμ0r2
    3. ③m/4πμ0r2
    4. ④m/2πμ0r2

  15. 15.도체의 전계 에너지는 도체 전위에 대하여 어떤 상태의 도형으로 표현되는가?

    1. ①직선
    2. ②쌍곡선
    3. ③포물선
    4. ④원형곡선

  16. 16.공기 중에서 1[V/m]의 전계를 2[A/m2]의 변위전류로 흐르게 하려면 주파수는 약 몇 [MHz]가 되어야 하는가?

    1. ①18[MHz]
    2. ②1800[MHz]
    3. ③3600[MHz]
    4. ④36000[MHz]

  17. 17.εS = 10 인 유리콘덴서와 동일 크기의 ε S =1인 공기콘덴서가 있다. 유리콘덴서에 100[V]의 전압을 가할 때 동일한 전하를 축적하기 위하여 공기콘덴서에 필요한 전압은 몇 [V] 인가?

    1. ①20[V]
    2. ②200[V]
    3. ③400[V]
    4. ④2000[V]

  18. 18.물(ε = 80, μ = 1) 중의 전자파의 속도는 약 몇 [m/s] 인가?

    1. ①3.35×107[m/s]
    2. ②2.67×108[m/s]
    3. ③3.0×109[m/s]
    4. ④9.0×109[m/s]

  19. 19.임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전율을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ 사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한 개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기 인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전율, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)

    1. ①C/ε = L/μ
    2. ②1/LC = εㆍμ
    3. ③LC = εㆍμ
    4. ④Cㆍε = Lㆍμ

  20. 20.평행판 사이에 유전율이 ε1, ε2 되는 (ε2＜ε1) 유전체를 경계면이 판에 평행하게 그림과 같이 채우고 그림의 극성으로 극판사이에 전압을 걸었을 때 두 유전체 사이에 작용하는 힘은?

    1. ①①의 방향
    2. ②②의 방향
    3. ③③의 방향
    4. ④④의 방향

  21. 21.다음 회로에 흐르는 전류 I는 약 몇 [A] 인가? (단, E : 100[V], ω : 1000[rad/sec])

    1. ①8.95
    2. ②7.24
    3. ③4.63
    4. ④3.52

  22. 22.다음 회로망의 합성 저항은?

    1. ①6[Ω]
    2. ②12[Ω]
    3. ③30[Ω]
    4. ④50[Ω]

  23. 23.이상 변압기(Ideal Transformer)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①각 코일의 인덕턴스가 무한대일 것
    2. ②두 코일의 결합 계수가 1일 것
    3. ③종단 임피던스가 무한대 일 것
    4. ④코일에 관계되는 손실이 없을 것

  24. 24.다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서는 적용될 수 있다.
    2. ②루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평명 회로에 대해서만 적용할 수 있다.
    3. ③루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
    4. ④루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.

  25. 25.두 함수 f1(t) = 1, f1(t) = 1 일 때 합성 적분치는?

    1. ①e-t
    2. ②1-et
    3. ③1-e-t
    4. ④1/1-e-t

  26. 26.인 감쇠지수 함수의 진폭 스펙트럼은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  27. 27.R-L-C 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?

    1. ①유도성 회로의 특성으로 나타난다.
    2. ②용량성 회로의 특성으로 나타난다.
    3. ③저항성 회로의 특성으로 나타난다.
    4. ④공진 회로의 특성으로 나타난다.

  28. 28.다음의 회로망 방정식에 대하여 S 평면에 존재하는 극은?

    1. ①3, 0
    2. ②-3, 0
    3. ③1, -3
    4. ④-1, -3

  29. 29.지수함수 e-at 의 라플라스 변환은?

    1. ①1/S-a
    2. ②1/S+a
    3. ③S+a
    4. ④S-a

  30. 30.그림의 T형 4단자 회로에 대한 전송 파라미터 D는?

    1. ①
    2. ②1+Z1/Z3
    3. ③1+Z2/Z3
    4. ④1/Z3

  31. 31.그림과 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?

    1. ①10.5[V]
    2. ②14[V]
    3. ③19.5[V]
    4. ④21[V]

  32. 32.원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

    1. ①원점을 지나는 원
    2. ②원점을 지나는 직선
    3. ③원점을 지나지 않는 원
    4. ④원점을 지나지 않는 직선

  33. 33.S 평명 상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

    1. ①발진하지 않는다.
    2. ②점점 더 크게 발진한다.
    3. ③지속 발진한다.
    4. ④감쇠 진동한다.

  34. 34.임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  35. 35.최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)

    1. ①10000
    2. ②15000
    3. ③20000
    4. ④25000

  36. 36.V = 31lsin(377t-π/2) 인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

    1. ①60[Hz]
    2. ②120[Hz]
    3. ③311[Hz]
    4. ④377[Hz]

  37. 37.다음 그림의 변압기에서 R1에서 본 등가 저항을 구하면? (단, 이상 변압기로 가정)

    1. ①25R2
    2. ②R2/25
    3. ③
    4. ④

  38. 38.무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0는? (단, R, L, C, G는 각각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 커패시턴스이다.)

    1. ①Z0 = (R + jωL)(G + jωC)
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치(rms)는?

    1. ①Im/2
    2. ②
    3. ③2Im
    4. ④

  40. 40.다른 두 종류의 금속선으로 된 폐회로의 두 접합점의 온도를 달리하였을 때 열기전력이 발생하는 효과는?

    1. ①peltier 효과
    2. ②Seebeck 효과
    3. ③Pinch 효과
    4. ④Thomson 효과

  41. 41.트랜지스터의 직류 증폭기에 있어서 드리프트를 초래하는 주된 원인으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①hfe의 온도변화
    2. ②hre의 온도변화
    3. ③VBE의 온도변화
    4. ④ICO의 온도변화

  42. 42.주파수변조에서 반송주파수를 fc, 변조주파수를 fm, 최대주파수 편이를 △f 라 하면 변조 지수는?

    1. ①fc+△f/fc
    2. ②fm/fc
    3. ③△f/fm
    4. ④fc+fm

  43. 43.다음 중 QAM(직교진폭변조) 방식에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①QAM 방식은 PSK 변조방식의 일종이다.
    2. ②QAM 방식은 AM 방식과 FSK 변조방식을 혼합한 것이다.
    3. ③QAM 방식은 정보신호에 따라 반송파의 진폭과 위상을 변화시키는 APK의 한 종류이다.
    4. ④QAM 방식은 주파수 변조와 위상 변조 방식을 혼합한 것이다.

  44. 44.다음 회로는 BJT의 소신호 등가 모델이다. 여기서 rO와 가장 관련이 깊은 것은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Miller 효과
    3. ③Pinchoff 효과
    4. ④Breakdown 효과

  45. 45.전압이득이 60[dB], 왜율 10[%]인 저주파 증폭기의 왜율을 0.1[%]로 개선하기 위해서는 부궤환율(β)을 얼마로 하여야 하는가?

    1. ①0.9
    2. ②0.22
    3. ③0.12
    4. ④0.099

  46. 46.다음과 같은 궤환회로의 입력임피던스는 궤환이 엇을 때와 비교하면 어떻게 변하는가?

    1. ①증가한다.
    2. ②변화없다.
    3. ③감소한다.
    4. ④R이 된다.

  47. 47.다음 회로에서 입력전압 V1, V2와 출력전압 VO의 관계는?

    1. ①VO = V2-V1
    2. ②VO = V1-V2
    3. ③VO = 1/2(V2-V1)
    4. ④VO = 1/2(V2+V1)

  48. 48.연산증폭기에서 차동출력이 0[V]가 되도록 하기 위하여 입력단자 사이에 걸어주는 것은?

    1. ①입력 오프셋 전류
    2. ②출력 오프셋 전압
    3. ③입력 오프셋 전압
    4. ④입력 바이어스 전류

  49. 49.A급과 B급 증폭기의 최대효율은 얼마인가?

    1. ①A급 25[%], B급 50[%]
    2. ②A급 50[%], B급 78.5[%]
    3. ③A급 78.5[%], B급 78.5[%]
    4. ④A급 78.5[%], B급 100[%]

  50. 50.부성저항 특성을 이용하여 발진회로에 응용 가능한 소자는?

    1. ①CDS
    2. ②써미스터
    3. ③터널 다이오드
    4. ④제너 다이오드

  51. 51.C급 증폭회로의 장점으로 가장 적합한 것은?

    1. ①회로 구성이 간단하다.
    2. ②전력효율이 좋다.
    3. ③잡음이 감소한다.
    4. ④출력파형의 일그러짐이 감소한다.

  52. 52.증폭기의입력전압이 0.028[V]일 때 출력전압이 28[V]이다. 이 증폭기에서 궤환율 β = 0.012로 부궤환 시켰을 때의 출력전압은 약 몇 [V] 인가?

    1. ①2.15[V]
    2. ②3.23[V]
    3. ③4.75[V]
    4. ④5.34[V]

  53. 53.트랜지스터 고주파 특성의 α 차단주파수(fα)에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①컬렉터 용량에만 비례한다.
    2. ②베이스 폭과 컬렉터 용량에 각각 반비례 한다.
    3. ③컬렉터 인가 전압에 비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.

  54. 54.다음 회로에서 궤환율 β는 약 얼마인가?

    1. ①0.01
    2. ②0.09
    3. ③0.25
    4. ④0.52

  55. 55.다음 연산회로에서 입력전압이 각각 V1 = 5[V], V2 = 10[V]이고, 저항 R1 = R2 = Rf = 10[kΩ]일 때 출력전압 VO는 몇 [V] 인가?

    1. ①-5[V]
    2. ②10[V]
    3. ③-15[V]
    4. ④20[V]

  56. 56.고역통과형 CR 이상형 발진기에서 발진주파수는 1000[Hz]이다. 이 발진기에서 C = 0.005[μF]이면 R은 약 얼마인가?

    1. ①R = 10[kΩ]
    2. ②R = 11[kΩ]
    3. ③R = 13[kΩ]
    4. ④R = 78[kΩ]

  57. 57.다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류[A]는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 15[V]이다.)

    1. ①0.15[A]
    2. ②0.25[A]
    3. ③0.35[A]
    4. ④0.9[A]

  58. 58.다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

    1. ①적분기
    2. ②미분기
    3. ③비교기
    4. ④디지털 반가산기

  59. 59.RC 결합 증폭기에서 구형파 입력 전압에 대한 그림과 같은 출력이 나온다면 이 증폭기의 주파수 특성에 대한 설명으로 가장 적합한 것은?

    1. ①저역특성이 좋지 않다.
    2. ②중역특성이 좋지 않다.
    3. ③대역폭이 너무 넓다.
    4. ④고역특성이 좋지 않다.

  60. 60.다음 중 연산증폭기를 이용한 슈미트 트리거 회로를 사용하는 목적으로 가장 적합한 것은?

    1. ①톱니파를 만들기 위하여
    2. ②정전기를 방지하기 위하여
    3. ③입력신호에 대하여 전압보상을 하기 위하여
    4. ④입력전압 등 노이즈에 의한 오동작을 방지하기 위하여

  61. 61.확산 정수 D, 이동도 μ, 절대온도 T간의 관계식을 옳게 나타낸 것은? (단, k는 볼츠만 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

    1. ①D/μ = kT
    2. ②D/μ = kT/e
    3. ③μ/D = kT
    4. ④μ/D = kT/e

  62. 62.접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?

    1. ①확산에 의해서
    2. ②드리프트에 의해서
    3. ③컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
    4. ④이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서

  63. 63.실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①동작원리는 PNPN 다이오드와 같다.
    2. ②일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
    3. ③게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
    4. ④SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.

  64. 64.양자화된 에너지로 분포되나 파울리(Pauli)의 배타 원리가 적용되지 않는 광자를 취급하는 분포 함수는?

    1. ①Sommerfeld 분포 함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포 함수
    3. ③Bose-Einstein 분포 함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포 함수

  65. 65.다음과 같은 원리와 관계되는 것은?

    1. ①홀 효과(Hall effect)
    2. ②콤프턴 효과(Compton effect)
    3. ③쇼트키 효과(Schottky effect)
    4. ④흑체방시(black body radiation)

  66. 66.다음 중 FET를 단극성 소자라고 하는 이유는?

    1. ①게이트가 대칭인 구조이기 때문이다.
    2. ②전자만으로써 전류가 운반되기 때문이다.
    3. ③소스와 드레인 단자가 같은 성질이기 때문이다.
    4. ④다수 캐리어만으로써 전류가 운반되기 때문이다.

  67. 67.광전자 방출 현상에 있어서 방출된 전자의 에너지는?

    1. ①광의 세기에 비례한다.
    2. ②광의 속도에 비례한다.
    3. ③광의 주파수에 비례한다.
    4. ④광의 주파수에 반비례한다.

  68. 68.2500[V]의 전압으로 가속된 전자의 속도는 약 얼마인가?

    1. ①2.97×107[m/s]
    2. ②9.07×107[m/s]
    3. ③2.97×106[m/s]
    4. ④9.077×106[m/s]

  69. 69.진성 반도체에서 전자나 정공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4[eV], 가전자대의 준위가 0.8[eV]라 하면 Fermi 준위는 몇 [eV] 인가?

    1. ①0.32
    2. ②0.6
    3. ③1.2
    4. ④1.44

  70. 70.선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?

    1. ①포화영역 부근에 세워져야 한다.
    2. ②차단영역 부근에 세워져야 한다.
    3. ③활성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
    4. ④차단영역과 포화영역 중간 지점에 세워져야 한다.

  71. 71.Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

    1. ①Fermi-Dirac
    2. ②Bose-Einstein
    3. ③Gauss-error function
    4. ④Maxwell-Boltzmann

  72. 72.다음 중 1[eV]의 운동에너지 값은?

    1. ①1.6×10-19[J]
    2. ②9.1×1031[J]
    3. ③1.6×1031[J]
    4. ④9.1×1019[J]

  73. 73.다음 원소 중 P형 반도체를 만드는 불순물이 아닌 것은?

    1. ①인듐(In)
    2. ②안티몬(Sb)
    3. ③붕소(B)
    4. ④알루미늄(Al)

  74. 74.반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①홀 효과가 크다.
    2. ②빛을 쪼이면 도전율이 증가한다.
    3. ③온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
    4. ④불순물을 첨가하면 도전율이 감소한다.

  75. 75.페르미(Fermi) 준위가 금지대의 중앙에 위치하여 자유전자와 정공의 농도가 같은 반도체는?

    1. ①불순물 반도체
    2. ②순수 반도체
    3. ③P형 반도체
    4. ④N형 반도체

  76. 76.전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1600[m/s2]
    2. ②1.602×10-14[m/s2]
    3. ③5.93×105[m/s2]
    4. ④1.75×1016[m/s2]

  77. 77.다음 중 에피택셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  78. 78.컬렉터 접합의 공간 전하층은 컬렉터 역바이어스가 증가함에 따라 넓어지며 따라서 베이스 중성영역의 폭이 줄어든다. 이러한 현상은?

    1. ①Early 효과
    2. ②Tunnel 효과
    3. ③punch-through
    4. ④Miller 효과

  79. 79.다음 중 물질의 구성과 관계없는 입자는?

    1. ①전자
    2. ②중성자
    3. ③양자
    4. ④광자

  80. 80.pn접합 다이오드의 확산 용량에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①공간 전하에 의한 용량이다.
    2. ②다수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
    3. ③역바이어스에 의한 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.
    4. ④순바이어스에 의하여 주입된 소수캐리어의 확산작용에 의한 용량이다.

  81. 81.어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

    1. ①Compiler
    2. ②Translator
    3. ③Assembler
    4. ④Language Decoder

  82. 82.다음은 무슨 연산 동작을 나타내는 것인가? (단, A, B는 입력 값을 의미하고, R1, R2, R3, R4는 레지스터를 의미한다.)

    1. ①Addition
    2. ②Subtraction
    3. ③Multiplication
    4. ④Division

  83. 83.캐시 메모리의 매핑방법 중 같은 인덱스를 가졌으나 다른 tag를 가진 두 개 이상의 워드가 반복하여 접근된다면 히트율이 상당히 떨어질 수 있는 것은?

    1. ①direct 매핑
    2. ②set-associative 매핑
    3. ③associative 매핑
    4. ④indirect 매핑

  84. 84.다음 중 버스 사용을 중재하는 방법이 아닌 것은?

    1. ①중앙 집중식 병렬 중재
    2. ②직렬 중재 혹은 데이지 체인
    3. ③폴링에 의한 중재
    4. ④핸드셰이크에 의한 중재

  85. 85.다음 알고리즘이 나타내고 있는 연산은?

    1. ①덧셈
    2. ②뺄셈
    3. ③곱셈
    4. ④나눗셈

  86. 86.다음 중 타이머(timer)에 의하여 발생하는 인터럽트에 해당하는 것은?

    1. ①외부적 인터럽트
    2. ②내부적 인터럽트
    3. ③트랩(trap)
    4. ④프로그램 인터럽트

  87. 87.컴퓨터의 명령어 형식이 다음과 같다고 할 때 이에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①이 마이크로컴퓨터가 만들어 낼 수 있는 최대의 동작수는 32가지이다.
    2. ②프로세서를 지정하는 필드가 2비트이므로 4개의 레지스터를 가질 수 있다.
    3. ③MBR은 24비트를 가진다.
    4. ④한 워드당 비트 수는 24비트이므로 MAR의 크기는 24 비트이다.

  88. 88.두 수의 부호 비교 판단에 적합한 것은?

    1. ①NOR
    2. ②OR
    3. ③NAND
    4. ④EX-OR

  89. 89.다음 RAID 중 대형 렠코드가 많이 사용되는 업무에서 단일 사용자시스템에 적합한 것은?

    1. ①RAID-1
    2. ②RAID-2
    3. ③RAID-3
    4. ④RAID-4

  90. 90.DSP(digital signal processor)에 대한 설명으로 틀린것은?

    1. ①디지털 신호 처리를 위해 특별히 제작된 마이크로프로세서이다.
    2. ②멀티태스킹을 지원하는 하드웨어 구조이다.
    3. ③특히 실시간 운영체제 계산에 사용된다.
    4. ④프로그램과 데이터 메모리를 분리한 구조이다.

  91. 91.서브루틴 또는 프로시저라고 하는 프로그램의 일부분으로 분기하는데 유용하게 사용되는 명령어는?

    1. ①LOAD
    2. ②SKIP
    3. ③PUSH
    4. ④BSA

  92. 92.컴퓨터가 직접 해독할 수 있는 2진 숫자(binary digit)로 나타낸 언어는?

    1. ①기계어(machine language)
    2. ②컴파일러 언어(compiler language)
    3. ③어셈블리 언어(assembly language)
    4. ④기호식 언어(symbolic language)

  93. 93.다음은 ADD(addition) 명령어의 마이크로오퍼레이션이다. t2 시간에 가장 알맞은 동작은? (단, MAR : Memory Address Register) MBR : Memory Buffer Register, M[addr] : Memory, AC : 누산기)

    1. ①AC ← MBR
    2. ②MBR ← AC
    3. ③M[MBR] ← MBR
    4. ④AC ← AC+MBR

  94. 94.컴퓨터에 쓰이는 버퍼(buffer)에 관한 설명으로 가장 옳은 것은?

    1. ①입ㆍ출력장치와 주기억장치 사이의 속도차를 보완하기 위한 일시적 기억장소이다.
    2. ②CPU와 주기억장치 사이의 속도차를 해결하기 위한 영구 기억장치이다.
    3. ③CPU와 입ㆍ출력장치 사이의 속도차를 해결하기 위한 용량 확대 장치이다.
    4. ④주기억장소보다 넓은 기억장소를 확보하기 위하여 CPU의 일부를 가상으로 사용하는 기억장소이다.

  95. 95.BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구하면? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)

    1. ①1000011
    2. ②0100101
    3. ③0011001
    4. ④0110010

  96. 96.기억된 프로그램의 명령을 하나씩 읽고 해독하여 각 장치에 필요한 지시를 하는 기능은?

    1. ①기억 기능
    2. ②연산 기능
    3. ③제어 기능
    4. ④입ㆍ출력 기능

  97. 97.연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?

    1. ①누산기(accumulator)
    2. ②기억 레지스터(storage register)
    3. ③메모리 레지스터(memory register)
    4. ④인스트럭션 카운터(instruction counter)

  98. 98.10비트로 표현된 어떤 수 A를 2의 보수로 변환하였다. 이 때 변환한 결과를 B라고 할 때 A와 B의 합은?

    1. ①0
    2. ②512
    3. ③1024
    4. ④2048

  99. 99.비주얼 베이직(Visual Basic) 기본 문법 설명 중 옳은 것은?

    1. ①한 행에 복수의 문장을 쓸 수 없다.
    2. ②변수명과 프로시저명에는 한글을 사용할 수 없다.
    3. ③대문자와 소문자를 구분하지 않는다.
    4. ④컨트롤, 폼, 클래스 및 표준 모듈의 이름에는 한글을 사용할 수 있다.

  100. 100.다음 그림은 어떤 주소 지정 형식인가?

    1. ①즉시주소지정(Immediate Address)
    2. ②직접주소지정(Direct Address)
    3. ③간접주소지정(Indirect Address)
    4. ④상대주소지정(Relative Address)