문항 목록
1전류 4π[A]가 흐르고 있는 무한직선도체에 의해 자계가 4[A/m]인 점은 직선도체로부터 거리가 몇 [m] 인가?
2비유전율 εS = 80, 비투자율 μS = 1인 전자파의 고유임피던스는 약 몇 [Ω] 인가?
3도체나 반도체에 전류를 흘리고 이것과 직각방향으로 자계를 가하면 이 두 방향과 직각 방향으로 기전력이 생기는 현상을 무엇이라 하는가?
4정전용량이 1[μF]인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr = 2 인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 [μF]이 되는가?
5다음 중 강자성체가 아닌 것은?
6200[V] 30[W]인 백열전구와 200[V] 60[W]인 백열전구를 직렬로 접속하고, 200[V]의 전압을 인가하였을 때 어느 전구가 더 어두운가? (단, 전구의 밝기는 소비전력에 비례한다.)
7압전기 현상에서 분극이 응력에 수직한 방향으로 발생하는 현상은?
8단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스[H/m]는 어떻게 표현되는가?
9그림과 같이 무한히 긴 두 개의 직선상 도선이 1[m] 간격으로 나란히 놓여 있을 때 도선 ①에 4[A], 도선 ②에 8[A]가 흐르고 있을 때 두 선간 중앙점 P에 있어서의 자계의 세기는 몇 [A/m] 인가? (단, 지면의 아래쪽에서 위쪽으로 향하는 방향을 정(+)으로 한다.)
10질량 m = 10-10[kg]이고 전하량 q = 10-8[C]인 전하가 전기장에 의해 가속되어 운동하고 있다. 이 때 가속도 a = 102i+103j [m/sec2]라 하면 전기장의 세기 E는 몇 [V/m] 인가?
11전계의 실효치가 377[V/m]인 평면전자파가 진공을 진행하고 있다. 이 때 이 전자파에 수직되는 방향으로 설치된 단면적 10[m2]의 센서로 전자파의 전력을 측정하려고 한다. 센서가 1[W]의 전력을 측정했을 때 1[mA]의 전류를 외부로 흘려준다면 전자파의 전력을 측정했을 때 외부로 흘려주는 전류는 몇 [mA] 인가?
12정전계와 반대방향으로 전하를 2[m] 이동시키는데 240[J]의 에너지가 소모되었다. 이 두점 사이의 전위차가 60[V]이면 전하의 전기량은 몇 [C] 인가?
1310[mm]의 지름을 가진 동선에 50[A]의 전류가 흐를 때 단위 시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약몇 개인가?
14다음 설명 중 잘못된 것은?
15코일 A 및 코일 B가 있다. 코일 A의 전류가 1/30초간에 10[A] 변화할 때 코일 B에 10[V]의 기전력을 유도한다고 한다. 이 때의 상호인덕턴스는 몇 [H] 인가?
16직교하는 도체평면과 점전하 사이에는 몇 개의 영상전하가 존재하는가?
17도전률이 5.8×107[℧/m], 비투자율이 1인 구리에 50[Hz]의 주파수를 갖는 전류가 흐를 때, 표피두께는 약 몇 [mm] 인가?
18콘덴서의 내압(耐壓) 및 정전용량이 각각 1000[V]-2 [μF], 700[V]-3[μF], 600[V]-4[μF], 300[V]-8[μF]이다. 이 콘덴서를 직렬로 연결할 때 양단에 인가되는 전압을 상승시키면 제일 먼저 절연이 파괴되는 콘덴서는?
19다음 중 기자력(Magnetomotive Force)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
20그림에서 질량 m [kg], 전기량 q [C]인 대전입자가 속도 v [m/sec]로 지면(紙面)에 소직인 균등자장 B[Wb/m2]에 들어올 때 입자는 원운동을 시작한다. 이 원운동의 각속도 ω는 몇 [rad/sec] 인가?
21다음 그림에서 Vab를 구하면 몇 [V] 인가?
22다음 그림과 같은 구형파(square wave)의 실효값은?
23내부저항 r [Ω]인 전원이 있다. 부하 R 에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?
24ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
25권선비 n : 1인 결합회로에서 구동 임피던스는?
26그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?
27그림의 π형 4단자망에 있어서의 전송 파라미터 A는?
28단위계단함수 u(t-a)의 그림으로 옳은 것은?
29R-L-C 직렬 공진회로에서 선택도 Q를 표시하는 식은? (단, ωr 은 공진 각 주파수이다.)
30다음 그림에 표시한 여파기는?
31다음 그림과 같은 정저항 회로가 되려면 ωL의 값[Ω]은?
32주파수 선택 특성을 높일 수 있는 방법으로 옳은 것은?
33다음 그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?
34그림에서 상자는 저항만으로 구성된 회로망이고, v1 = 20t이고 v2 = 0 일 때 i1 = 5t 및 i2 = 2t 이다. v1 = 20i+40 이고 v2 = 40t+10 일 때 i1 을 구하면?
35RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때, 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 설명한 것은?
36sinωt로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?
37RC 직렬회로에서 t = 2RC 일 때 콘덴서 방전 전압은 충전 전압의 약 몇 [%]가 되는가?
38다음 그림의 라플라스(Laplace) 변환은?
39다음과 같은 회로의 용량성 리액턴스 XC[Ω]는?
40R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?
41다음의 2단 연산증폭기의 종합이득(Vo/Vs)은 몇 [dB]인가?
42A급 증폭기에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
43다음 회로에서 제너 다이오드에 흐르는 전류는? (단, 제너 다이오드의 제너 전압은 10[V]이다.)
44다음과 같은 다이오드 회로에서 정현파 교류입력 Vi가 인가되면 출력은? (단, 교류 입력의 진폭은 Vm＞Vr 임)
45다음 중 정현파 발진기가 아닌 것은?
46다음 회로에서 R1 = 10[kΩ], R2 = 1[kΩ]일 때 궤환율 β는 약 얼마인가?
47어떤 증폭기에서 입력전압이 0.25[V]일 때 출력전압이 25[V]이다. 이 증폭기 출력의 9[%]를 입력으로 부궤환시킬 때 출력전압은 약 몇 [V] 인가?
48fτ 가 10[MHz]인 트랜지스터가 중간영역에서 전압이득이 26[dB]인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 약 몇 [kHz] 인가?
49다음과 같은 연산증폭기의 출력전압(Vo)으로 가장 적합한 것은?
50다음의 증폭기 바이어스 방법 중에서 고조파 성분을 많이 포함하고 있어 주파수 체배기에도 사용되며 효율이 가장 좋은 것은?
51다음과 같은 특성곡선을 갖는 트랜지스터에서 A급으로 작동할 때 근사적인 β값은 얼마인가?
52다음 회로에서 VCE는 약 몇 [V] 인가? (단, βCC는 150 이다.)
53IDSS = 25[mA], VGS(Off) = 15[V]인 p채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS는 5[V]이다.)
54다음과 같은 회로에 입력으로 정현파를 인가했을 때 출력파형으로 가장 적합한 것은? (단, 연산증폭기 및 제너 다이오드는 이상적이다.)
55수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?
56다음과 같은 브리지형 발진 회로의 발진 주파수는?
57어떤 연산증폭기의 차동이득이 100000 이고 동상이득이 0.2 일 때 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB] 인가
58전류 궤환 증폭기의 출력 임피던스는 궤환이 없을 때와 비교하면 어떻게 되는가?
595[kHz]의 정현파 신호로 100[MHz]의 반송파를 FM 변조했을 때 최대 주파수편이가 ±65[kHz]이면 점유 주파수 대역폭은 몇 [kHz] 인가?
60다음 중 고주파 증폭회로에서 중화회로를 사용하는 이유로 가장 적합한 것은?
61물이 담긴 컵 안에 잉크 방울을 떨어뜨렸을 때 잉크가 주변으로 번져나가는 것을 볼 수 있다. 이러한 현상은 입자들이 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 이동하여 균일하게 분포하려는 성향에 기인하는 것인데 이런 입자의 움직임을 무엇이라 하는가?
62길이 10[mm], 이동도 0.16[m2/Vㆍsec]인 N형 Si의 양단에 전압 10[V]를 가했을 때 전자의 속도는?
63트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?
64다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?
65다음과 같은 현상을 무엇이라 하는가?
66다음 중 정전압용으로 사용되는 다이오드는?
67다음 반도체의 설명 중 옳지 않은 것은?
68다음 중 에너지밴드에 속하지 않는 것은?
69금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?
70진공 속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는 데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일 함수는 4.52[eV]이다.)
71입자와 파동의 성질을 동시에 갖는 미립자에서 입자의 운동량(P)과 평균 파장(λ) 사이의 관계식이 올바르게 연결된 것은? (단, h 는 프랑크 상수)
72다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?
73쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비 αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
74접합형 다이오드가 점접촉 다이오드보다 우수한 점으로 옳지 않은 것은?
75다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?
76반도체에 관한 내용으로 잘못 짝 지워 놓은 것은?
77다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?
78진성 반도체에 있어서 Fermi 준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band) 중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band) 중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)
79PN 접합 다이오드에 순바이어스를 인가할 때 공핍층 근처의 소수캐리어 밀도는 어떻게 변화하는가?
80양자(Quantum) 1개의 질량은 약 얼마인가?
81주소지정방식(Addressing Mode) 중 유효주소를 구하기 위해 현재 명령어의 주소부의 내용과 PC의 내용을 더하여 결정하는 방식은?
82디스크에 있는 하나의 데이터 블록을 액세스하는데 걸리는 시간을 계산하는 식으로 옳은 것은?
8316비트 컴퓨터 시스템에서 다음과 같은 두 가지의 인스트럭션 형식을 사용한다면 최대 연산자의 수는 얼마인가?
84다음 불 함수를 간단히 하면?
85다음 중 BCD 코드 1001에 대한 해밍 코드를 구한 것으로 옳은 것은? (단, 짝수 패리티 체크를 수행한다.)
86CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?
87다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?
88주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?
89메모리 인터리빙(memory interleaving)의 사용 목적은?
90다음 중 IEEE 754에 대한 설명으로 옳은 것은?
91마이크로소프트사에서 Driver 개발을 표준화시키고 호환성을 가지게 하기 위해 만든 드라이버 모델은?
92Booth Algorithm을 설명한 것 중 잘못된 것은?
93ROM 회로의 구성요소로 옳게 짝지어진 것은?
94C 언어 중 모든 면에서 구조체와 같으며 선언 문법이나 사용하는 방법이 같은 것은?
95리처드 스톨먼 등에 의해 만들어졌으며, 품질이 매우 좋고 이식성이 좋은 C 컴파일러는?
961024[word]의 RAM은 몇 개의 어드레스 선을 갖는가?
97다음 중 연산장치에 대한 설명으로 옳은 것은?
98간접주소 지정방식에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
99CPU를 사용하기 위한 데이터는 주기억장치에 기억된다. 이 경우 데이터를 가져오기 위하여 사용하는 레지스터는?
100다음 명령 형식 중 데이터의 처리가 누산기(accumulator)에서 이루어지는 형식은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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