전자기사 · 2008

전자기사 (2008-09-07)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.다음 중 표피효과 설명으로 옳은 것은?

    1. ①주파수가 높을수록 침투깊이가 얇아진다.
    2. ②표피효과에 따른 표피저항은 단면적에 비례한다.
    3. ③투자율이 크면 표피효과가 작게 나타난다.
    4. ④도전율이 큰 도체에는 표피효과가 적게 나타난다.

  2. 2.다음 중 반자성체에 속하는 것은?

    1. ①철
    2. ②니켈
    3. ③알루미늄
    4. ④구리

  3. 3.공기 중에 반지름 r[m]의 매우 긴 평행 왕복도체가 d[m]의 간격으로 놓여있을 때 단위 길이당의 정전용량은 몇 [F/m] 인가? (단, r ＜ d 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.공기 중에서 5[V], 10[V]로 대전된 반지름 2[cm], 4[cm]의 2개의 구를 가는 철사로 접속했을 때 공통 전위는 몇 [V] 인가?

    1. ①6.25
    2. ②7.5
    3. ③8.33
    4. ④10

  5. 5.그림과 같은 환상 철심코일의 코일내에 저축된 자기에너지는 몇 [J] 인가?

    1. ①μa2N2I2/2πr
    2. ②μa2N2I2/4πr
    3. ③μa2N2I2/2r
    4. ④μa2N2I2/4r

  6. 6.다음 식 중 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②E = -grad V
    3. ③
    4. ④

  7. 7.정전 용량이 0.03[μF]의 평행판 공기콘덴서에 전극 간격의 1/2두께의 유리판을 전극에 평행하게 넣으면 정전용량은 약 몇 [μF] 인가? (단, 유리판의 비유전율은 10 이라 한다.)

    1. ①0.005
    2. ②0.015
    3. ③0.055
    4. ④0.155

  8. 8.공기 중에서 전자기파의 파장이 3[m]라면 그 주파수는 몇 [MHz] 인가?

    1. ①100
    2. ②300
    3. ③1000
    4. ④3000

  9. 9.반지름 a[m]의 구 도체에 전하 Q[C]이 주어질 때 구도체 표면에 작용하는 정전응력은 약 몇 [N/m2] 인가?

    1. ①9Q2/16πεoa6
    2. ②9Q2/32πεoa6
    3. ③Q2/16πεoa4
    4. ④Q2/32πεoa4

  10. 10.직렬로 접속한 2개의 코일에 있어서 합성 자기 인덕턴스는 80[mH]가 되고 한쪽 코일의 접속을 반대로 하면 합성 자기 인덕턴스는 50[mH]가 된다. 두 코일사이의 상호 인덕턴스는 몇 [mH] 인가?

    1. ①2.5
    2. ②6.0
    3. ③7.5
    4. ④9.0

  11. 11.전기회로에서 도전율[℧/m]에 대응하는 것은 자기회로에서 어떤 것인가?

    1. ①자속
    2. ②기자력
    3. ③투자율
    4. ④자기저항

  12. 12.순수한 물의 비투자율 μr = 1, 비유전율 εr = 78 이다. 여기에 300[MHz]의 전파를 보냈을 때 전파속도는 몇 [m/s] 인가?

    1. ①3.40×107
    2. ②3.40×106
    3. ③2.41×107
    4. ④2.41×105

  13. 13.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전기력선의 방정식은 “전기력선의 접선방향이 전계의 방향이다.”에서 유래된 것이다.
    2. ②“전기력선은 스스로 루프(loop)를 만들 수 없다.”라 함은 전계의 세기의 유일성을 나타내는 것이다.
    3. ③구좌표로 표시한 전기력선의 방정식은 dr/Er = rdθ/Eθ = rcosθdθ/Eø로 표시된다.
    4. ④진공 중에서 1[C]의 점전하로부터 발산되어 나오는 전기력선의 수는 1.13×1011개 이다.

  14. 14.저항 R에 전압 V를 인가하였을 때 발생하는 열량을 설명한 것 중 옳지 않은 것은?

    1. ①저항 R의 제곱에 반비례한다.
    2. ②인가한 전압 V의 제곱에 비례한다.
    3. ③전압을 가한 시간에 비례한다.
    4. ④저항에 흐르는 전류의 제곱에 비례한다.

  15. 15.10[cm3]의 체적에 3[μC/cm3]의 체적전하분포가 있을 때, 이 체적 전체에서 발산하는 전속은 몇 [C] 인가?

    1. ①3×105
    2. ②3×106
    3. ③3×10-5
    4. ④3×10-6

  16. 16.환상 철심에 감은 코일에 5[A]의 전류를 흘려 2000[AT]의 기자력을 생기게 하려면 코일의 권수(회)는 얼마로 하여야 하는가?

    1. ①10000
    2. ②500
    3. ③400
    4. ④250

  17. 17.자유공간에서 맥스웰의 전자파에 관한 기본 방정식은?

    1. ①rotH = i, rotE = -∂B/∂t
    2. ②rotH = ∂D/∂t, rotE = ∂B/∂t
    3. ③rotH = ∂D/∂t, rotE = -∂B/∂t
    4. ④rotH = i, rotE = ∂B/∂t

  18. 18.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①유전체의 전속밀도는 도체에 준 진전하 밀도와 같다.
    2. ②유전체의 전속밀도는 유전체의 분극전하 밀도와 같다.
    3. ③유전체의 분극선의 방향은 -분극전하에서 +분극전하로 향하는 방향이다.
    4. ④유전체의 분극도는 분극전하 밀도와 같다.

  19. 19.전기쌍극자에 의한 전계의 세기는 쌍극자로부터의 거리 r에 대해서 어떠한가?

    1. ①r 에 반비례한다.
    2. ②r2에 반비례한다.
    3. ③r3에 반비례한다.
    4. ④r4에 반비례한다.

  20. 20.폐곡면을 통하는 전속과 폐곡면 내부의 전하와의 상관관계를 나타내는 법칙은?

    1. ①가우스의 법칙
    2. ②쿨롱의 법칙
    3. ③포아송의 법칙
    4. ④라프라스의 법칙

  21. 21.다음 중 정현파(전파)의 파고율은?

    1. ①1
    2. ②
    3. ③
    4. ④2

  22. 22.전압 50[V], 전류 10[A]로서 400[W]의 전력을 소비하는 회로의 리액턴스는 몇 [Ω] 인가?

    1. ①3
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④8

  23. 23.그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V] 인가? (단, V는 단상교류 전압임)

    1. ①1
    2. ②5
    3. ③7
    4. ④15

  24. 24.다음 그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.다음은 정현파를 대표하는 phasor이다. 정형파를 순시치로 나타내면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1, n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, n = n1/n2이다.)

    1. ①V1/V2 = n1/n2
    2. ②V1i1 = V2i2
    3. ③i1/i2 = n2/n1
    4. ④

  27. 27.단위 계단함수 U(t)와 지수 e-t의 컨볼루션 적분은?

    1. ①e-t
    2. ②1/e-t
    3. ③1-e-t
    4. ④1+e-t

  28. 28.100[V], 30[W]의 형광등에 100[V]를 가했을 때, 0.5[A]의 전류가 흐르고 그 소비전력은 20[W]이었다면 이 형광등의 역률은?

    1. ①0.4
    2. ②0.5
    3. ③0.6
    4. ④0.8

  29. 29.다음 회로의 영상 임피던스 Z01은 약 얼마인가?

    1. ①4.1[Ω]
    2. ②5.2[Ω]
    3. ③6.3[Ω]
    4. ④7.4[Ω]

  30. 30.다음 회로망은 T형 회로 및 π형 회로의 종속 접속으로 이루어졌다. 이 회로망의 ABCD parameter 중 옳지 않은 것은?

    1. ①A = 7
    2. ②B = 48
    3. ③C = 6
    4. ④D = 7

  31. 31.이상적인 변압기의 조건으로 옳은 것은?

    1. ①코일에 관계되는 손실이 없이, 두 코일의 결합계수가 1인 경우
    2. ②상호 자속이 전혀 없는 경우, 즉 유도 결합이 없는 경우
    3. ③상호 자속과 누설 자속이 전혀 없는 경우
    4. ④결합 계수 K가 0인 경우

  32. 32.RL 직렬회로에 t = 0일 때, 직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R = 50[Ω], L = 10[H]이다.)

    1. ①2(1-e5t)
    2. ②2(1-e-5t)
    3. ③1.96(1-et/5)
    4. ④1.96(1-e-t/5)

  33. 33.저항 1개와 커패시터 1개를 직렬 연결하여 R-C의 직렬회로를 구성하고, 일정한 정현파 전압을 인가하였다. 이 때 커패시터의 양단에서의 전압위상과 저항에 흐르는 전류의 위상을 비교하였을 때의 위상차는?

    1. ①45°
    2. ②90°
    3. ③135°
    4. ④180°

  34. 34.K의 비례요소가 존재하는 회로의 전달함수는?

    1. ①K
    2. ②K/s
    3. ③1/K
    4. ④sK

  35. 35.다음 회로에서 커패시터에 걸리는 전압을 구하면?

    1. ①V(S) = I(S)/(SL+R)SC+1
    2. ②V(S) = I(S)R/(SL+R)SC+1
    3. ③V(S) = I(S)/(SL+R)+1
    4. ④V(S) = I(S)R/(SL+R)SC

  36. 36.기본파의 50[%]인 제3고조파와 30[%]인 제5고조파를 포함하는 전압파의 왜형률은 약 얼마인가?

    1. ①0.2
    2. ②0.4
    3. ③0.6
    4. ④0.8

  37. 37.다음 그림과 쌍대가 되는 회로는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  38. 38.다음 그림에서 i1 = 16[A], i2 = 22[A], i3 = 18[A], i4 = 27[A]일 때 i5는?

    1. ①-7[A]
    2. ②-15[A]
    3. ③3[A]
    4. ④7[A]

  39. 39.그림의 회로가 정저항 회로가 되려면 L은 몇 [H] 인가? (단, R = 20[Ω], C = 200[μF]이다.)

    1. ①0.08
    2. ②0.8
    3. ③1
    4. ④10

  40. 40.상수 1의 라플라스 역변환은?

    1. ①μ(t)
    2. ②t
    3. ③δ(t)
    4. ④r(t)

  41. 41.다음과 같이 미분 연산증폭기에 삼각파 입력이 공급될 때, 출력전압의 범위는?

    1. ①-3.3[V] ~ +3.3[V]
    2. ②-4.4[V] ~ +4.4[V]
    3. ③-5.5[V] ~ +5.5[V]
    4. ④-6.6[V] ~ +6.6[V]

  42. 42.IDSS = 25[mA], VGS(off) = 15[V]인 P 채널 JFET가 자기바이어스 되는데 필요한 Rs 값은 약 몇 [Ω] 인가? (단, VGS=5[V]이다.)

    1. ①100[Ω]
    2. ②270[Ω]
    3. ③450[Ω]
    4. ④510[Ω]

  43. 43.다음 연산증폭기 회로에서 저항 Rf 양단에 걸리는 전압 Vf = (25 If2 + 50 If + 3)[V]의 관계가 있을 때 출력 전압 Vo는 몇 [V] 인가?

    1. ①-3[V]
    2. ②-3.2[V]
    3. ③-4.1[V]
    4. ④-5.8[V]

  44. 44.FM 변조 방식에서 변조지수가 6 이고, 신호 주파수가 10[kHz]일 때 점유주파수 대역폭은 몇 [kHz] 인가?

    1. ①60[kHz]
    2. ②70[kHz]
    3. ③120[kHz]
    4. ④140[kHz]

  45. 45.고역 차단주파수가 500[kHz]인 증폭회로를 2단으로 종속 연결했을 때 종합 고역 차단주파수는 약 몇 [kHz]인가?

    1. ①120[kHz]
    2. ②240[kHz]
    3. ③320[kHz]
    4. ④500[kHz]

  46. 46.다음 중 BJT와 비교한 FET의 특성에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①전류제어형이다.
    2. ②잡음특성이 양호하다.
    3. ③이득대역폭적이 작다.
    4. ④온도 변화에 따른 안정성이 높다.

  47. 47.다음 중 수정발진기에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①압전 효과를 이용한다.
    2. ②발진 주파수의 안정도가 매우 높다.
    3. ③수정편이 컷 방법에 따라 온도 계수가 달라진다.
    4. ④수정편이 같은 두께일 때 X 컷 보다 Y 컷의 발진주파수가 높다.

  48. 48.다음 중 베이스 접지 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①고주파수 특성이 양호하다.
    2. ②입출력 위상은 동위상이다.
    3. ③입력저항은 수십[Ω] 정도로 작다.
    4. ④전류 증폭도가 수십 ~ 수백으로 크다.

  49. 49.어떤 차동증폭기의 동상신호제거비(CMRR)가 50[dB]이고 차동이득(Ad)이 1000일 때 동상이득 (AC)은 얼마인가?

    1. ①0.1
    2. ②1
    3. ③10
    4. ④12.5

  50. 50.다음 연산증폭기 회로에서 출력임피던스는 약 몇 [Ω]인가? (단, 개루프 전압증폭도 A는 10000 이고, 출력임피던스는 50[Ω]이다.)

    1. ①0.1
    2. ②0.5
    3. ③1.0
    4. ④5.0

  51. 51.변조도가 100[%]인 DSB 파의 전력이 30[kW]이라면 반송파 성분의 전력은 몇 [kW] 인가?

    1. ①10[kW]
    2. ②20[kW]
    3. ③30[kW]
    4. ④45[kW]

  52. 52.다음 중 트랜스 결합 증폭회로에 대한 설명으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①주파수 특성이 매우 평탄하다.
    2. ②전압손실이 거의 없어 전원 효율이 좋다.
    3. ③트랜스의 성능을 좋게 하기 위해서는 크기가 대형이고 값이 비싸다.
    4. ④트랜스 결합 증폭회로는 임피던스 정합이 용이하여 주로 전력증폭용으로 사용된다.

  53. 53.α가 0.98이고, α 차단 주파수가 2000[kHz]인 트랜지스터를 이미터 접지로 사용할 경우 β 차단 주파수는 몇 [kHz] 인가?

    1. ①20[kHz]
    2. ②30[kHz]
    3. ③40[kHz]
    4. ④50[kHz]

  54. 54.fT(단위 이득 주파수)가 175[MHz]인 트랜지스터가 중간 영역에서 전압이득이 50인 증폭기로 사용될 때 이상적으로 이룰 수 있는 대역폭은 몇 [MHz] 인가?

    1. ①2.7[MHz]
    2. ②3.5[MHz]
    3. ③5.2[MHz]
    4. ④25.4[MHz]

  55. 55.트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.2[μA]에서 121.2[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류는 12[mA]에서 12.6[mA]로 변화하였다면 안정계수는 얼마인가?

    1. ①3.2
    2. ②5.0
    3. ③6.5
    4. ④8.3

  56. 56.어떤 증폭기에서 궤환이 없을 때 전압이득이 60[dB]이다. 궤환 시의 전압 궤환율(β)이 0.01일 때 전압이득은 약 몇 [dB] 인가?

    1. ①30[dB]
    2. ②40[dB]
    3. ③50[dB]
    4. ④60[dB]

  57. 57.다음 중 트랜지스터 증폭기에서 온도 변화에 따른 동작점(Q)의 변동 원인에 영향이 가장 적은 것은?

    1. ①β값의 변화
    2. ②VBE값의 변화
    3. ③ICO값의 변화
    4. ④동작 주파수 값의 변화

  58. 58.다음 회로의 동작에 대한 설명으로 가장 적합한 것은? (단, 입력신호는 진폭이 Vm인 정현파이고, 다이오드는 이상적인 것이며, RC 시정수는 신호파의 주기에 비해 매우 크다.)

    1. ①출력은 Vi 이다.
    2. ②출력은 2Vi 이다.
    3. ③출력전압은 VR-Vm인 정현파이다.
    4. ④부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.

  59. 59.다음 회로에서 리플 함유율을 작게 하는 방법으로 적합하지 않은 것은?

    1. ①L을 크게 한다.
    2. ②C를 크게 한다.
    3. ③RL을 적게 한다.
    4. ④교류입력 전원의 주파수를 높게 한다.

  60. 60.다음 연산증폭기 회로에서 R1 = 10[kΩ], R2 = 100[kΩ] 일 때 궤환율(β)은 약 얼마인가?

    1. ①0.01
    2. ②0.09
    3. ③0.12
    4. ④0.9

  61. 61.300[°K]에서 Fermi 준위 Ef 보다 0.1[eV] 낮은 에너지(Energy) 준위에 전자가 점유할 확률은 약 몇 [%] 인가?

    1. ①98[%]
    2. ②88[%]
    3. ③78[%]
    4. ④68[%]

  62. 62.반도체에 전계를 가하면 정공의 드리프트(drift) 속도의 방향은 어떻게 되는가?

    1. ①전계와 같은 방향이다.
    2. ②전계와 반대 방향이다.
    3. ③전계와 직각 방향이다.
    4. ④전계와 무관한 지그재그 운동을 한다.

  63. 63.다음 중 반도체 내의 캐리어의 이동도(μ)와 확산 계수 (D) 사이의 관계가 바르게 된 것은?

    1. ①D/μ = kT/e
    2. ②μ/D = kT/e
    3. ③D = kT/e
    4. ④D/μ = 1/kTe

  64. 64.전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장을) 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

    1. ①충안대(filled band)
    2. ②급지대(forbidden band)
    3. ③가전자대(valence band)
    4. ④전도대(conduction band)

  65. 65.일반적으로 순수(intrinsic) 반도체에서 온도의 상승으로 나타나는 현상에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①반도체의 저항이 증가한다.
    2. ②정공이 전도대로 이전한다.
    3. ③원자의 에너지가 증가한다.
    4. ④원자의 에노지가 감소한다.

  66. 66.억셉터 불순물로 사용되는 원소가 아닌 것은?

    1. ①갈륨(Ga)
    2. ②인듐(In)
    3. ③비소(As)
    4. ④붕소(B)

  67. 67.다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

    1. ①Einstein의 관계식
    2. ②Maxwell-Boltzmann
    3. ③Schro dinger 방정식
    4. ④1차원의 Poisson 방정식

  68. 68.다음 중 물질에서 전자가 방출할 수 있는 조건으로 적당하지 않은 것은?

    1. ①열을 가한다.
    2. ②빛을 가한다.
    3. ③전계를 가한다.
    4. ④압축한다.

  69. 69.마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?

    1. ①TRIAC(트라이맥)
    2. ②FET(Field Effect Transistor)
    3. ③SCR(Silicon Controlled Rectifier)
    4. ④UJT(UniJunction Junction Transistor)

  70. 70.페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①불순물의 양과 온도가 증가할수록 금지대의 중앙으로부터 멀어진다.
    2. ②불순물의 양과 온도가 증가할수록 진성반도체의 페르미 준위에 가까워진다.
    3. ③불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로부터 멀어지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.
    4. ④불순물의 양이 증가하면 금지대의 중앙으로 가까워지고, 온도가 증가하면 그와 반대이다.

  71. 71.드브로이(de Broglie) 물질파의 개념으로 볼 때 전자파의 파장이 무한대일 경우 전자의 상태는?

    1. ①정지상태
    2. ②직선운동
    3. ③나선운동
    4. ④원운동

  72. 72.다음 중 열평형 상태에서 있는 반도체에서 정공(正孔) 밀도 p와 전자밀도 n을 곱한 pn적에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①온도 및 불순물 밀도의 함수이다.
    2. ②온도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.
    3. ③불순물 밀도 및 Fermi 준위의 함수이다.
    4. ④불순물 밀도 및 금지대 에너지 폭의 함수이다.

  73. 73.PN 접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?

    1. ①Tunnel 다이오드
    2. ②Zener 다이오드
    3. ③Varistor
    4. ④Varactor 다이오드

  74. 74.트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?

    1. ①변함없다.
    2. ②감소한다.
    3. ③증가한다.
    4. ④베이스 접지에서만 증가하고, 에미터 접지나 컬렉터 접지에서는 감소한다.

  75. 75.다음 중 얼리(Early) 효과와 관계되는 것은?

    1. ①항복 현상
    2. ②이미터의 효율
    3. ③베이스 폭의 감소
    4. ④역바이어스 전압

  76. 76.1[Couloeb]의 전하량은 전자 몇 개가 필요한가? (단, e = 1.602×10-19[C])

    1. ①6.24×1015
    2. ②6.24×1018
    3. ③6.24×1020
    4. ④6.24×1022

  77. 77.서로 다른 도체로 폐회로를 구성하고 직류 전류를 흐르게 하면, 전류의 방향에 따라 서로 다른 도체 사이의 접합의 한쪽은 가열되는 반면, 또 다른 한쪽은 냉각이 되는 효과를 무엇이라 하는가?

    1. ①Peltier Effect
    2. ②Seebeck Effect
    3. ③Zeeman Effect
    4. ④Hall Effect

  78. 78.접합형 트랜지스터의 구조를 올바르게 설명한 것은?

    1. ①이미터, 베이스, 컬렉터의 폭은 거의 비슷한 정도로 한다.
    2. ②불순물 농도는 이미터를 가장 크게, 컬렉터를 가장 적게 한다.
    3. ③베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 적게 넣는다.
    4. ④베이스 폭은 비교적 좁게 하고, 불순물은 많이 넣는다.

  79. 79.진성 반도체에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①반도체의 저항 온도계수는 양(+)이다.
    2. ②운반체(carrier)의 밀도는 온도가 상승하면 증가한다.
    3. ③Fermi 준위는 어떤 온도에서든지 전도대와 가전자대의 중앙에 위치한다.
    4. ④단위 체적당 전도대 중의 전자의 수와 단위 체적당 가전자대 중의 정공의 수는 같다.

  80. 80.빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?

    1. ①산란현상
    2. ②회절현상
    3. ③광전현상
    4. ④콤프턴(compton) 효과

  81. 81.CPU가 명령어를 실행할 때의 메이저 상태에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①실행 사이클은 간접주소 방식의 경우에만 수행된다.
    2. ②명령어의 종류를 판별하는 것을 간접 사이클이라 한다.
    3. ③기억장치내의 명령어를 CPU로 가져오는 것을 인출사이클이라 한다.
    4. ④인터럽트 사이클 동안 데이터를 기억장치에서 읽어낸다.

  82. 82.다음 회로에서 A = 1011, B = 0111 이 입력되어 있을 때 그 출력은?

    1. ①0101
    2. ②1010
    3. ③0110
    4. ④1100

  83. 83.메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입ㆍ출력 정송이 직접 이루어지는 것은?

    1. ①MIMD
    2. ②UART
    3. ③MIPS
    4. ④DMA

  84. 84.다음은 언팩 10진 형식으로 표기한 것이다. 이를 10진수로 옳게 표현한 것은?

    1. ①+9125
    2. ②-9125
    3. ③+395
    4. ④-395

  85. 85.프로그램이 수행될 때 최근에 사용한 인스트럭션과 데이터를 다시 사용할 가능성이 크다는 것을 무엇이라 하는가?

    1. ①접근의 국부성
    2. ②디스크인터리빙
    3. ③페이징
    4. ④블록킹

  86. 86.직렬 시프트 레지스터(4bit)에 1011 이 현재 들어있고 이 직렬 레지스터가 0110을 삽입하려면 몇 개의 클럭펄스가 필요한가?

    1. ①11
    2. ②6
    3. ③5
    4. ④4

  87. 87.다음 중 홀수 패리티 발생기에 대한 식으로 옳은 것은? (단, 입력은 x, y, z이다.)

    1. ①(x ⊙ y) ⊙ z
    2. ②(x ⊕ y) ⊕ z
    3. ③(x ⊕ y) ⊙ z
    4. ④(x+y)ㆍz

  88. 88.운영체제(OS)에서 제어 프로그램에 속하지 않는 것은?

    1. ①감시 프로그램
    2. ②작업 관리 프로그램
    3. ③데이터 관리 프로그램
    4. ④언어 번역 프로그램

  89. 89.64k인 주소공간과 4K인 기억공간을 가진 컴퓨터의 경우, 한 페이지(page)가 512워드로 구성된다면 페이지와 블록 수는 각각 얼마인가?

    1. ①페이지 : 16, 블록 : 12
    2. ②페이지 : 16, 블록 : 16
    3. ③페이지 : 128, 블록 : 8
    4. ④페이지 : 128, 블록 : 16

  90. 90.번지를 기억하고 있는 레지스터와 관계없는 것은?

    1. ①MAR
    2. ②IR
    3. ③PC
    4. ④SP

  91. 91.캐시 메모리와 관련이 가장 적은 것은?

    1. ①연관매핑(associative mappint)
    2. ②가상기억장치(virtual memory)
    3. ③적중률(hit ratio)
    4. ④참조의 국한성(locality of reference)

  92. 92.디스크에 헤드가 가까울수록 불순물이나 결함에 의한 오류 발생의 위험이 더 크다. 이러한 문제점을 해결한 것은?

    1. ①윈체스터 디스크
    2. ②이동 디스크
    3. ③콤팩트 디스크
    4. ④플로피 디스크

  93. 93.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①레지스터는 데이터를 일시적으로 기억하는 장치로 기능에 따라 여러 가지 이름이 붙여진다.
    2. ②프로그래머는 연산용 레지스터에 기억된 내용을 프로그램을 통해 직접적으로 변경할 수 없다.
    3. ③명령 레지스터는 실행 중에 있는 명령을 기억하고 주소를 보관하는 레지스터로서 명령부와 주소부로 구성되어 있다.
    4. ④명령해독기는 AND 논리회로의 집합으로 구성되어 있다.

  94. 94.변수에 대한 설명으로 맞는 것은?

    1. ①프로그램 내에서 자료를 기억시킬 수 있는 기억장소
    2. ②하드디스크 내에 자료를 기억시킬 수 있는 공간
    3. ③프로그램 실행과정에서 변하지 않는 값을 저장
    4. ④프로그램 실행과정에서 프로그램이 중단되더라도 손실되지 않는다.

  95. 95.10진수 13을 그레이 코드(Gray code)로 변환하면?

    1. ①1001
    2. ②0100
    3. ③1100
    4. ④1011

  96. 96.서브루틴(subroutine) 호출 처리 작업시 복귀주소를 저장하고 조회하는 용도에 적합한 자료 구조는?

    1. ①업
    2. ②큐
    3. ③스택
    4. ④연결 리스트

  97. 97.memory-mapped I/O 방식의 사용상 특징은?

    1. ①메모리와 입ㆍ출력 번지 사이의 구별이 없다.
    2. ②입ㆍ출 전용 번지가 할당되기 때문에 프로그램의 이해 및 작성이 쉽다.
    3. ③기억장치의 이용효율이 높다.
    4. ④하드웨어가 복잡하다.

  98. 98.반도체 메모리 소자 중 SRAM의 특징이 아닌 것은?

    1. ①플립플롭에 의한 기억소자로 내부회로가 복잡하다.
    2. ②DRAM에 비해서 고집적도가 용이하고 소비전력이 많다.
    3. ③읽기, 쓰기의 고속 실행이 가능하다.
    4. ④refresh 회로가 필요 없다.

  99. 99.단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?

    1. ①MOVE 연산
    2. ②Complement 연산
    3. ③Shift 연산
    4. ④OR 연산

  100. 100.주소지정방식(addressing mode)에서 오퍼랜드(operand) 부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?

    1. ①index addressing mode
    2. ②direct addressing mode
    3. ③indirect addressing mode
    4. ④immediate addressing mode