전자기사 · 2007

전자기사 (2007-03-04)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.유전체 역률(tanδ)과 무관한 것은?

    1. ①주파수
    2. ②정전용량
    3. ③인가전압
    4. ④누설저항

  2. 2.전계 E[V/m] 및 자계 H[AT/m]인 전자파가 자유공간 중을 빛의 속도로 전파될 때 단위시간에 단위면적을 지나는 에너지는 몇 W/m2인가? (단, C는 빛의 속도를 나타낸다.)

    1. ①EH
    2. ②EH2
    3. ③E2H
    4. ④1/2CE2H2

  3. 3.자유공간에서 변위 전류는 무엇에 의해서 발생하는가?

    1. ①전압에 의해서
    2. ②자계에 의해서
    3. ③전속밀도에 의해서
    4. ④자속밀도에 의해서

  4. 4.다음 유전체 중 비유전율이 가장 작은 것은?

    1. ①고무
    2. ②유리
    3. ③운모
    4. ④물

  5. 5.그림과 같은 수평한 연철봉 위에 절연된 동선을 감아 이것에 저항, 전류, 스위치를 접속하여 연철봉의 한 끝에는 알루미늄링을 출과 일치시켜 움직일 수 있도록 가느다란 실로 매달아 정지시켰을 때 다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①전류를 계속하여 흘리고 있을 때 알루미늄링은 왼쪽으로 움직인다.
    2. ②스위치 S를 닫아 전류를 흘리고 있다가 스위치 S를 개방하는 순간 알루미늄링은 좌우로 진동한다.
    3. ③스위치 S를 닫는 순간 알루미늄링은 오른쪽으로 움직인다.
    4. ④전류를 흘리고 있다가 스위치 S를 개방하는 순간 알루미늄링은 오른쪽으로 움직인다.

  6. 6.전기력선의 성질에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전계가 0이 아닌 곳에서는 2개의 전기력선은 교차하는 일이 없다.
    2. ②전기력선은 도체 내부에 존재한다.
    3. ③전하가 없는 곳에서는 전기력선의 발생, 소멸이 없다.
    4. ④전기력선은 그 자신만으로 폐곡선을 만들지 않는다.

  7. 7.유전체 A, B의 접합면에 전하가 없을 때, 각 유전체 중 전계의 방향이 그림과 같고 EA = 100 V/m 이면 EB는 몇 V/m인가?

    1. ①100/3
    2. ②100/√3
    3. ③300
    4. ④100√3

  8. 8.벡터 A=i-j+3k, B=i+ak 일 때 벡터 A와 벡터 B가 수직이 되기 위한 a의 값은? (단, I, j, k 는 x, y, z 방향의 기본벡터이다.)

    1. ①-2
    2. ②-(1/3)
    3. ③0
    4. ④1/2

  9. 9.맥스웰의 전자방정식 중 패러데이의 법칙에서 유도된 식은? (단, D : 전속밀도, ρv : 공간 전하밀도, B : 자속밀도, E : 전계의 세기, J : 전류밀도, H : 자계의 세기)

    1. ①div D = ρv
    2. ②div B = 0
    3. ③
    4. ④

  10. 10.유전체의 분극도 표현으로 옳지 않은 것은?(단, P : 분극의 세기, D : 전속밀도, E : 전계의 세기, ε : 유전율, ε0 : 진공의 유전율, ℇr : 비유전율이다.)

    1. ①P = D - ε0E
    2. ②P = D - ε0(D/ε)
    3. ③P = D(1-(1/εr))
    4. ④P = E - ε0(D/ε)

  11. 11.진공 중에 있는 반지름 a[m]인 도체구의 정전용량[F]은?

    1. ①4πε0a
    2. ②2πε0a
    3. ③ε0a
    4. ④a

  12. 12.다음 중 자기회로의 자기저항에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①자기회로의 단면적에 비례한다.
    2. ②투자율에 반비례한다.
    3. ③자기회로의 길이에 반비례한다.
    4. ④단면적에 반비례하고 길이의 제곱에 비례한다.

  13. 13.전위 V가 단지 × 만의 함수이며 × = 0에서 V = 0이고, × = d 일 때 V = V0 인 경계조건을 갖는다고 한다. 라플러스방정식에 의한 V의 해는?

    1. ①▽2V = ρ
    2. ②V0d
    3. ③
    4. ④

  14. 14.최대 전계 Em = 6 V/m 인 평면전자파가 수중을 전파할 때 자계의 최대치는 약 몇 AT/m인가? (단, 물의 비유전율 εs= 80, 비투자율 μs = 1이다.)

    1. ①0.071
    2. ②0.142
    3. ③0.284
    4. ④0.426

  15. 15.점전하 Q1, Q2 사이에 작용하는 쿨롱의 힘이 F 일 때, 이 부근에 점전하 Q3을 놓을 경우 Q1과 Q2 사니의 쿨롱의 힘음 F'이다. F와 F'의 관계로 옳은 것은?

    1. ①F > F'이다.
    2. ②F < F'이다.
    3. ③F = F'이다.
    4. ④Q3의 크기에 따라 다르다.

  16. 16.1μA의 전류가 흐르고 있을 때 1초 동안 통과하는 전자수는 약 몇 개인가? (단, 전자 1개의 전하는 1.602 × 10-19C이다.)

    1. ①6.24 × 1010
    2. ②6.24 × 1011
    3. ③6.24 × 1012
    4. ④6.24 × 1013

  17. 17.그림과 같이 평등자장 및 두 평행 도선이 놓여 있을 때 두 평행 도선상을 한 도선봉이 V[m/s]의 일정한 속도로 이동한다면 부하 R[Ω]에서 줄열로 소비되는 전력[W]은 어떻게 표시되는가? (단, 도선봉과 두 평행 도선은 완전도체로 저항이 없는 것으로 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.그림과 같이 직류전원에서 부하에 공급하는 전류는 50A이고 전원전압은 480V이다. 도선이 10cm 간격으로 평행하게 배선되어 있다면 1m 당 두 도선사이에 작용하는 힘은 몇 N 이며, 어떻게 작용하는가?

    1. ①5×10-3, 흡인력
    2. ②5×10-3, 반발력
    3. ③5×10-2, 흡인력
    4. ④5×10-2, 반발력

  19. 19.N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 l[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?

    1. ①단면적을 2배로 한다.
    2. ②길이를 1/4로 한다.
    3. ③전류의 세기를 4배로 한다.
    4. ④비투자율을 2배로 한다.

  20. 20.진공 중의 도체계에서 유도계수와 용량계수의 성질 중 옳지 않은 것은?

    1. ①용량계수는 한상 0보다 크다.
    2. ②q11 ≧ 0 -(q21 + q31 + q41 + ㆍㆍㆍ+ qn1)
    3. ③qrs = qsr 이다.
    4. ④유도계수와 용량계수는 항상 0 보다 크다.

  21. 21.R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?

    1. ①R/L
    2. ②L/R
    3. ③R
    4. ④L

  22. 22.다음 그림에 표시한 여파기는?

    1. ①고역 여파기
    2. ②대역 여파기
    3. ③대역 소거 여파기
    4. ④저역 여파기

  23. 23.다음 그림과 같은 회로의 구동점 임피던스가 정저항 회로가 되기 위한 Z1, Z2 및 R의 관계는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③Z1Z2 = R2
    4. ④Z1Z2 = R

  24. 24.100μF의 콘덴서에 100V, 60Hz의 교류 전압을 가할 때의 무효전력은 몇 VAR 인가?

    1. ①40π
    2. ②60π
    3. ③120π
    4. ④240π

  25. 25.RLC 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가 하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성으로 옳은 것은?

    1. ①유도성 회로의 특성이 나타난다.
    2. ②용량성 회로의 특성이 나타난다.
    3. ③저항성 회로의 특성이 나타난다.
    4. ④공진 회로의 특성이 나타난다.

  26. 26.상태변수 해석을 하기 위하여 기본적으로 회로에 적용하는 이론적인 정리들 중 다음과 같은 설명에 적합한 정리는?

    1. ①테브난 정리
    2. ②가역 정리
    3. ③텔레건 정리
    4. ④밀만 정리

  27. 27.sinωt 로 표시된 정현파의 라플라스 변환을 바르게 나타낸 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  28. 28.R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 Vc는? (문제 오류로 정답은 3번입니다.)

    1. ①복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    2. ②복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    3. ③복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    4. ④복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)

  29. 29.RL 직렬회로에 일정한 정현파 전압이 인가되었다. 이때 인가된 신호원과 저항 및 인덕터에서의 전류 위상 관계를 올바르게 기술한 것은?

    1. ①저항 및 신호원과 인덕터에서의 전류 위상은 모두 동일하다.
    2. ②저항에서의 전류가 신호원 및 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
    3. ③저항과 신호원에서의 전류가 인덕터에서의 전류보다 빠르다.
    4. ④인덕터에서의 전류가 저항 및 신호원에서의 전류보다 빠르다.

  30. 30.다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21 은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.저항 1Ω과 리액턴스 2Ω을 병렬로 연결한 회로의 역률은 약 얼마인가?

    1. ①0.2
    2. ②0.5
    3. ③0.9
    4. ④1.5

  32. 32.4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②h22=z22
    3. ③
    4. ④

  33. 33.다음 설명은 어떤 회로망 정리를 표현한 것인가?

    1. ①노튼 정리
    2. ②보상 정리
    3. ③테브난 정리
    4. ④중첩의 정리

  34. 34.다음 회로망의 합성 저항은?

    1. ①6Ω
    2. ②12Ω
    3. ③30Ω
    4. ④50Ω

  35. 35.60+80[V]인 전압을 어떤 회로에 인가했더니 4+j1[A]인 전류가 흘렀다. 이 회로에서 소비되는 유효전력은?

    1. ①140W
    2. ②320W
    3. ③480W
    4. ④500W

  36. 36.다음 중 이상변압기 두 코일의 권선비는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.다음 중 정현파(전파)의 파고율은?

    1. ①1
    2. ②√2
    3. ③√3
    4. ④2

  38. 38.그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.고유 저항 р, 반지름T, 길이 ℓ인 전선의 저항이 R일 때, 같은 재료로 반지름은 m배, 길이는 n배로 하면 저항은 몇 배가 되는가?

    1. ①m/n2
    2. ②m/n
    3. ③n/m
    4. ④n/m2

  40. 40.임의의 회로의 실효 전력이 30W 이고, 무효전력이 40VAR일 때, 역률은?

    1. ①0.6
    2. ②0.8
    3. ③1.0
    4. ④1.2

  41. 41.J-K 플립플롭을 그림과 같이 결선하고 Clock Pulse가 인가될 때 출력 Q의 동작은?

    1. ①Toggle
    2. ②Reset
    3. ③Set
    4. ④NO Change

  42. 42.그림과 같은 트랜지스터 소신호 증폭기에서 입력 임피던스 Rin은 다음 중 어느 값에 가장 가까운가? (단, Rc=5kΩ, Re=2kΩ, Rs=3kΩ, hie=1kΩ, hfe=50이다.)

    1. ①50kΩ
    2. ②100kΩ
    3. ③200kΩ
    4. ④300kΩ

  43. 43.다음 증폭회로에서 콘덴서 C2를 제거 했을 때 발생하는 현상으로 옳은 것은?

    1. ①출력의 일부가 베이스로 부궤한되어 이득이 감소한다.
    2. ②입력의 일부가 컬렉터로 흘러 들어가서 이득이 증가한다.
    3. ③이득에는 변동이 없다.
    4. ④발진소자의 제거로 발진이 중단된다.

  44. 44.수정발진기의 주파수 변동 원인과 그 대책에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①동조점의 불안정- Q가 작은 수정진동자 사용
    2. ②주위온도의 변동-항온조 사용
    3. ③부하 변동- 완충 증폭기 사용
    4. ④전원전압 변동-정전압회로 사용

  45. 45.mod-12 존슨 카운터를 설계하기 위하여 필요한 플립플롭의 수는 몇 개 인가?

    1. ①4
    2. ②6
    3. ③8
    4. ④12

  46. 46.정류기에서 사용되는 평활회로 중 직류출력전압은 낮지만 전압변동율이 좋은 평활회로는?

    1. ①콘덴서 입력형 필터
    2. ②초크 입력형 필터
    3. ③저항 입력형 필터
    4. ④다이오드 입력형 필터

  47. 47.다음 반도체 중 기억소자로서 적당치 않은 것은?

    1. ①PROM
    2. ②PRAM
    3. ③SRAM
    4. ④APD

  48. 48.그림의 연상 증폭기를 사용한 회로에서 출력전압 Vo는? 단(임)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  49. 49.베이스변조와 비교하여 컬렉터변조회로의 특징으로 옳지 않은 것은?

    1. ①대 전력 송신기에 적합하다.
    2. ②변조효율이 좋다.
    3. ③높은 변조도에서 일그러짐이 좋다.
    4. ④조정이 어렵고 안정도가 떨어진다.

  50. 50.궤환 발진기의 바크 하우젠(Barkhausen)발진조건은?

    1. ①βA = ∞
    2. ②βA = 0
    3. ③βA = 1
    4. ④βA ≤ 1

  51. 51.다음 RC결합 소 신호 증폭기에서 저주파수대역과 고주파수대역에서 전압이득이 감소하는 이유로 옳지 않은 것은?(단, 중간주파수대역에서 C1,C2,C3의 리액턴스를 무시할 수 있다.)

    1. ①고주파수 및 저주파수에서 C3 에 의한 바이어스 효과가 크기 때문에 이득이 감소한다.
    2. ②트랜지스터의 접합용량은 고주파대역에서 이득감소의 원인이 된다.
    3. ③C1,C2,는 저주파에서 그 양단의 전압 강하로 인해서 전압이득을 감소한다.
    4. ④C3는 저주파에서 부 궤환을 일으켜서 이득을 감소시킨다.

  52. 52.저주파 증폭기의 이득이 40dB일때 19/100의 부궤환을 걸면 찌그러짐은 몇 % 개선되는가?

    1. ①5
    2. ②10
    3. ③15
    4. ④20

  53. 53.불 대수의 정리 중 옳지 않은 것은?

    1. ①A + B = B +A
    2. ②A +BC = (A+B)(A+C)
    3. ③A + = 1
    4. ④AB = +B

  54. 54.트랜지스터의 ho 정수를 측정할 때 필요한 조건은?

    1. ①출력단자를 개방시킨다.
    2. ②출력단자를 단락시킨다.
    3. ③입력 단자를 개방시킨다.
    4. ④입력 단자를 단락시킨다.

  55. 55.짧은 ON시간과 긴 OFF시간을 가지며 펄스(디지털)신호를 사용하는 증폭기회로에서 주로 쓰이는 증폭기는?

    1. ①A급
    2. ②B급
    3. ③C급
    4. ④D급

  56. 56.전가산기 회로(full adder)의 구성으로 옳은 것은?

    1. ①입력 2개, 출력 4개로 구성
    2. ②입력 2개, 출력 3개로 구성
    3. ③입력 3개, 출력 2개로 구성
    4. ④입력 3개, 출력 3개로 구성

  57. 57.부궤한 증폭기에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①이득만 감소되고 기타 특성에는 변화가 없다.
    2. ②이득이 커지고, 잡음, 왜율, 대역폭 특성이 개선된다.
    3. ③이득이 감소되는 반면 잡음, 왜율, 대역폭은 증가된다.
    4. ④이득, 잡음, 왜율은 감소되는 반면 대역폭이 넓어진다.

  58. 58.그림과 같은 회로의 동작에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①정방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.
    2. ②부방향 peak를 기준레벨 VR로 클램프 한다.
    3. ③출력은 2Vi 이다.
    4. ④출력은 Vi 이다.

  59. 59.복원중 (정확한 문제내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다. 문제 오류로 정답은 3번입니다. 여기서 3번을 누르시면 정답처리됩니다.))

    1. ①복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    2. ②복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    3. ③복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)
    4. ④복원중 (정확한 보기내용을 아시는분께서는 오류 신고를 통하여 보기 내용 작성 부탁드립니다.)

  60. 60.다음 회로에서 A=1, B=0, C=1, D=1일 때 출력 Y, Z의 논리 상태로 옳은 것은?

    1. ①Y=0, Z=1
    2. ②Y=1, Z=1
    3. ③Y=1, Z=0
    4. ④Y=0, Z=0

  61. 61.확산정수 D, 이동도 , 절대온도 T 간의 관계식을 옳게 나타낸 것은? (단, k는 볼츠만의 상수이고, e는 캐리어의 전하이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  62. 62.다음 중 2종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?

    1. ①Thomson 효과
    2. ②Hall 효과
    3. ③Seebeck 효과
    4. ④Peltier 효과

  63. 63.실리콘 제어 정류소자(SCR)의 설명으로 옳지 않은것은?

    1. ①동작원리는 PNPN다이오드와 같다.
    2. ②일반적으로 사이리스터(thyristor)라고도 한다.
    3. ③게이트 전류에 의하여 방전개시 전압을 제어할 수 있다.
    4. ④SCR의 브레이크 오버 전압은 게이트가 차단 상태로 들어가는 전압이다.

  64. 64.일정한 자속밀도 B를 가지고 있는 균일한 자계와 수직을 이루는 평면상을 일정한 속도 V로 원운동하고 있는 전자의 회전 주기에 관계 없는 것은?

    1. ①자속 밀도
    2. ②전자의 전하
    3. ③전자의 질량
    4. ④전자의 속도

  65. 65.진성 반도체에서 전자나 전공의 농도가 같다고 할 때 전도대의 준위를 0.4eV, 가전자대의 준위가 0.8eV라 하면 Fermi준위는 몇 eV인가?

    1. ①0.32
    2. ②0.6
    3. ③1.2
    4. ④1.44

  66. 66.반도체에서 용량의 변화에 의해 동작되는 소자로 가변용량 다이오드라고도 하는 것은?

    1. ①쇼트키(schottky)다이오드
    2. ②바렉터(varactor)다이오드
    3. ③터널(tunnel)다이오드
    4. ④제너(zener)다이오드

  67. 67.전계의 세기 E=105V/m의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1.602×1014m/s2
    2. ②1.75×1016m/s2
    3. ③5.93×105m/s2
    4. ④1600m/s2

  68. 68.물질을 구성하고 있는 소립자에도 파동성이 있다고 최초로 주장한 사람은?

    1. ①Einstein
    2. ②De Broglie
    3. ③Rutherford
    4. ④Avogadro

  69. 69.300〫 K에서 P형 반도체의 억셉터 준위가 32%가 채워져 있을 때 페르미 준위와 억셉터 준위의 차이는 몇 eV 인가?

    1. ①0.02
    2. ②0.08
    3. ③0.2
    4. ④0.8

  70. 70.전자볼트(elelctron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1ev로 정한것이다. 1eV는 대략 몇 J(joule)인가?

    1. ①9.109×1031
    2. ②1.759×1011
    3. ③1.602×1019
    4. ④6.547×1034

  71. 71.실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 사용될 수 있는 것은?

    1. ①P(인)
    2. ②As(비소)
    3. ③B(붕소)
    4. ④Sb(안티몬)

  72. 72.터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?

    1. ①부성 저항 특성이다.
    2. ②역바이어스 상태에서는 도체이다.
    3. ③작은 정바이어스 상태에서 저항은 대단히 크다.
    4. ④고속 스위칭 회로와 마이크로 웨이브 발진기에 응용된다.

  73. 73.반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?

    1. ①열전대 - Seebeck 효과
    2. ②홀 발진기 - 자기효과
    3. ③전자 냉각 - Peltier 효과
    4. ④광전도 셀 - 외부 광전 효과

  74. 74.서미스터(Thermistor)소자에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①반도체로 만들어진다.
    2. ②저항의 온도계수가 +값이다.
    3. ③온도에 따라 저항의 값이 크게 변화한다.
    4. ④온도 자동제어의 검출부나 회로의 온도 특성보상등에 사용된다.

  75. 75.온도의 상승에 따라 제너 항복(Zener break down)전압은?

    1. ①증가한다.
    2. ②감소한다.
    3. ③증가했다 감소한다.
    4. ④온도상승과 무관하다

  76. 76.진성 반도체에 있어서 Fermi준위의 위치는? (단, Ec는 전도대(conduction band)중에서 가장 낮은 에너지 준위이고, Ev는 가전대(valence band)중에서 가장 높은 에너지 준위이다.)

    1. ①Ec 보다 약간 높다.
    2. ②Ec 보다 약간 낮다.
    3. ③Ev 보다 약간 높다.
    4. ④Ec와 Ev의 중간 정도이다.

  77. 77.충분히 높은 주파수의 빛이 금속 표면에 가해졌을 때 그 금속의 표면에서 전자가 방출되는 현상을 무엇이라 하는가?

    1. ①광학 효과 (Optical Effect)
    2. ②컴프턴 효과(Compton Effect)
    3. ③에벌런치 효과(Avalanche Effect)
    4. ④광전 효과(Photoelectric Effect)

  78. 78.정상 동작 상태로 바이어스 된 NPN 트랜지스터에 컬렉터 접합을 통과하는 주된 전류는?

    1. ①확산 전류
    2. ②정공 전류
    3. ③드리프트 전류
    4. ④베이스 전류와 같다.

  79. 79.컬렉터(collector)접합부의 온도 상승으로 인하여 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

    1. ①얼리(early)현상
    2. ②항복(break down)현상
    3. ③열 폭주(thermal runaway)현상
    4. ④펀치 스로우(punch through)현상

  80. 80.다음 중 더블 베이스 다이오드(double base diode)라고도 하는 것은?

    1. ①역 다이오드
    2. ②쇼트키 다이오드
    3. ③바렉터 다이오드
    4. ④유니정션 트랜지스터(UJT)

  81. 81.영어회화와 비슷한 구어체 문장 형태로 구성되어 있으며 하드웨어에 관한 전문 지식이 없이도 쉽게 배울 수 있고, 사무 처리용으로 많이 쓰이는 컴퓨터 프로그래밍 언어는?

    1. ①FORTRAN
    2. ②C
    3. ③ALGOL
    4. ④COBOL

  82. 82.다음 중 두 문자의 비교(compare)에 가장 적합한 논리 연산은?

    1. ①AND
    2. ②Exclusive-OR
    3. ③OR
    4. ④NOR

  83. 83.8비트의 데이터 버스와 16비트의 주소 버스를 가지는 마이크로컴퓨터의 최대 주기억 용량은 몇 Kbyte인가?

    1. ①32
    2. ②64
    3. ③128
    4. ④256

  84. 84.기억 장치에서 명령어를 읽어 CPU로 가져오는 것을 무엇이라 하는가?

    1. ①Indirect
    2. ②Execute
    3. ③Interrupt
    4. ④Fetch

  85. 85.다음 프로그램 작성 과정을 순서대로 올바르게 나열한 것은?

    1. ①④ → ① → ② → ③ → ⑤
    2. ②④ → ① → ② → ⑤ → ③
    3. ③① → ④ → ② → ③ → ⑤
    4. ④① → ② → ⑤ → ③ → ④

  86. 86.컴퓨터의 여러 명령어 분류 방식에서 반드시 누산기(Accumulator)를 사용하는 방식은?

    1. ①0-주소지정방식
    2. ②1-주소지정방식
    3. ③2-주소지정방식
    4. ④3-주소지정방식

  87. 87.주소지정방식(Addressing Mode)에서 오퍼랜드(Ooerand)부분에 데이터가 포함되어 실행되는 방식은?

    1. ①index Addressing Mode
    2. ②direct Addressing Mode
    3. ③indirect Addressing Mode
    4. ④immediate Addressing Mode

  88. 88.DMA(Direct Memory Access)에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①자료전송에 CPU의 Register를 직접 사용한다.
    2. ②속도가 빠른 자료들을 입.출력할 때 사용하는 방식이다.
    3. ③DMA는 기억장치와 주변장치 사이에 직접 자료를 전송한다.
    4. ④DMA는 주기억 장치에 접근하기 위해 Cycle Stealing 을 행한다.

  89. 89.다음 중 컴파일러에서 하나의 프로그램이 처리되는 과정을 옳게 나열한 것은?

    1. ①번역 → 적재 → 실행
    2. ②번역 → 실행 → 적재
    3. ③적재 → 실행 → 번역
    4. ④적재 → 번역 → 실행

  90. 90.다음 중 데이터 처리면에서 CPU와 입.출력장치와의 속도차에서 오는 비효울적인 요소를 최대한 줄이기 위해 사용되는것은?

    1. ①병렬연산장치
    2. ②index register
    3. ③채널제어장치
    4. ④부동소수점 부가기구

  91. 91.다음은 인터럽트 체제의 동작을 나열하였다. 수행순서를 올바르게 나열 한 것은?

    1. ①② → ① → ④ → ③
    2. ②② → ④ → ① → ③
    3. ③④ → ② → ① → ③
    4. ④④ → ① → ② → ③

  92. 92.10진법 11을 16진법으로 표현하면?

    1. ①11
    2. ②A
    3. ③B
    4. ④C

  93. 93.다음은 실행 사이클 중에서 어떤 명령을 나타낸 것인가?

    1. ①STA명령
    2. ②AND명령
    3. ③LDA명령
    4. ④JMP명령

  94. 94.pusu와 pop operation에 의해서만 접근 가능한 sterage device는?

    1. ①MBR
    2. ②queue
    3. ③stack
    4. ④cache

  95. 95.부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리회로는?

    1. ①인코더
    2. ②디코더
    3. ③디멀티플렉서
    4. ④멀티플렉서

  96. 96.다음 운영체제(OS)의 구성요소 중 제어 프로그램(Control program)에 포함되지 않은 것은?

    1. ①Data management program
    2. ②Jop management program
    3. ③Superviser program
    4. ④Service program

  97. 97.다음 중 데이터통신에 널리 쓰이며, 특히 마이크로프로세서 용으로 많이 사용되는 코드는?

    1. ①EBCDIC코드
    2. ②Excess-3코드
    3. ③ASCⅡ 코드
    4. ④Gray코드

  98. 98.어큐뮬레이터(Accumulator)에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①명령을 해독하는 장치
    2. ②연산 결과의 상태를 기억하는 장치
    3. ③명령의 순서를 일시적으로 기억하는 장치
    4. ④산술.논리연산의 결과를 일시적으로 기억하는 장치

  99. 99.인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고, 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

    1. ①DMA방식
    2. ②Polling방식
    3. ③Daisy-Chain방식
    4. ④Strobe방식

  100. 100.목적 프로그램을 생성하지 않은 방식은?

    1. ①compiler
    2. ②assembler
    3. ③interpreter
    4. ④micro-assembler