전자산업기사 (2006-09-10)
총 80문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.다음 회로에서 R1 = 1[kΩ], R2 = 100[kΩ], R3 = 1[kΩ], R4 = 100[kΩ], V1 = 8.5[V], V2 = 8[V]일 때, V0는 몇 [V] 인가?
- ①10[V]
- ②50[V]
- ③30[V]
- ④20[V]
2.α 차단 주파수가 50[MHz]인 트랜지스터의 C-E 때의 β 차단 주파수는 약 몇 [MHz] 인가? (단, β = 50 이다.)
- ①0.5[MHz]
- ②1[MHz]
- ③1.5[MHz]
- ④2[MHz]
3.중심 주파수가 15[kHz]이고, 대역폭이 1[kHz]인 대역 통과 필터의 Q 값은?
- ①Q = 1/15
- ②Q = 15
- ③Q = 1/10
- ④Q = 10
4.다음 그림의 회로 명칭은?
- ①전압제어형 윈 브리지 발진회로
- ②이상(移相)형 발진회로
- ③R-C 결합 증폭회로
- ④전류제어형 윈 브리지 발진회로
5.다음 중 전력 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
- ①B급 증폭기의 최대 효율은 10% 이하이다.
- ②C급 증폭기는 차단점 이사에서 바이어스 된다.
- ③C급 증폭기는 전력 손실이 많아 출력 전력이 적다.
- ④A급 증폭기는 Q점이 부하선의 중앙에 위치해야 최대출력을 얻을 수 있다.
6.이상적인 차동 증폭기의 동상 제거율(common mode rejection ratio)은?
- ①1
- ②0
- ③∞
- ④-1
7.트랜지스터의 정특성에서 VCE = 7.5[V]일 때 IB를 100[μA]에서 250[μV]까지 변화시키니 VBE가 0.2[V]에서 0.3[V]로 되었다면 이 트랜지스터의 hie는 약 얼마인가?
- ①200[Ω]
- ②667[Ω]
- ③30[kΩ]
- ④75[kΩ]
8.시미트 트리거(schmitt trigger) 회로에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①구형파 발생회로
- ②입력전압의 크기로서 회로의 개폐(on, off)를 결정해준다.
- ③외부 클록 펄스가 필요하다.
- ④쌍안정 멀티바이브레이터의 일종이다.
9.다음 중 직렬 전압 궤환의 특징이 아닌 것은?
- ①입력 및 출력 임피던스의증가
- ②주파수 대역폭의 증가
- ③비직선 일그러짐의 감소
- ④전압 이득의 안정
10.차동증폭회로에서 차동이득 Ad = 10 이고, 동상이득 Ac = 0.01 이면 동상신호제거비(CMRR)는 몇 [dB] 인가?
- ①10
- ②30
- ③60
- ④100
11.듀티 사이클(duty cycle)이 0.1이고 펄스폭이 0.4[μs]인 펄스의 주기는?
- ①1[μs]
- ②2[μs]
- ③3[μs]
- ④4[μs]
12.그림과 같은 회로의 명칭은?
- ①카운터
- ②쌍안정 멀티바이브레이터
- ③단안정 멀티바이브레이터
- ④비안정 멀티바이브레이터
13.다음 중 정류회로의 효율을 올바르게 나타낸 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
14.전압 이득이 80[dB]인 증폭기에 궤환율이 0.01인 부궤환을 걸었을 때 증폭기의 이득은 약 얼마인가
- ①20[dB]
- ②30[dB]
- ③40[dB]
- ④60[dB]
15.회로에서 입력 단자와 출력 단자가 도통되는 상태는?
- ①VS > VB, VA < VB
- ②VS < VA, VA < VB
- ③VS < VA, VS > VB
- ④VS > VA, VS < VB
16.전력 증폭기의 직류 공급 전력은 10[V], 400[mA]이고, 부하에서의 출력 전력은 3.6[W]일 때 이 증폭기의 효율은?
- ①70[%]
- ②75[%]
- ③90[%]
- ④95[%]
17.RC 결합 증폭기에서 저주파 특성을 제한하는 요소가 되는 것은?
- ①결합용량
- ②분포용량
- ③전압 혹은 전류이득
- ④극간(혹은 접합)용량
18.트랜지스터의 이미터 접지와 베이스 접지와의 관계 중 이미터 순방향 전류 이득을 hfe , 베이스 순방향 전류 이득을 hfb 라고 할 때 옳은 관계는?
- ①
- ②
- ③
- ④
19.다음 Bias 회로 중 안정계수 S가 가장 큰 Bias 회로는? (단, 모든 회로(기본회로) 조건은 동일하다.)
- ①고정 Bias 회로
- ②전압 궤환 Bias 회로
- ③전류 궤환 Bias 회로
- ④트랜지스터를 사용한 비선형 Bias 회로
20.궤환 발진기에서 바크하우젠(Barkhausen)의 발진 조건을 표시한 것으로 옳은 것은?
- ①βA > 1
- ②βA < 1
- ③βA = 2
- ④-βA = 1
21.매초마다 S 면을 통과하는 전자에너지를 W = ∫ㆍPnㆍdS [W]로 표시하는데 이 중 틀린 설명은?
- ①P의 방향은 전자파의 진행방향과 다르다.
- ②n 이 내향일 때는 S 면내에 공급되는 총 전력이다.
- ③벡터 P를 포인팅 벡터라 한다.
- ④n 이 외향일 때는 S 면에서 나오는 총 전력이 된다.
22.1[m]의 간격을 가진 선간전압 66,000[V]인 2개의 평행 왕복 도선에 10[kA]의 전류가 흐를 때, 도선 1[m]마다에 작용하는 힘의 크기는 몇 [N/m] 인가?
- ①1
- ②10
- ③20
- ④200
23.공기 중에서 반지름 a9m0, 도선의 중심축간 거리 d[m]인 평행 도선간의 정전용량은 몇 [F/m] 인가?(단, d≫a 이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
24.유전율 εo인 진공내를 전자파가 전파할 때 진공 중의 투자율은 약 몇 [H/m] 인가?
- ①9.56×10-7
- ②12.56×10-7
- ③15.56×10-7
- ④18.56×10-7
25.압전기 현상에서 응력과 분극이 동일 방향으로 발생하는 경우를 무슨 효과라 하는가?
- ①횡효과
- ②종효과
- ③역효과
- ④직접효과
26.원점 주위의 전류밀도가 의 분포를 가질 때 반지름 5[cm]의 구면을 지나는 전 전류는 몇 [A]인가?
- ①0.1π
- ②0.2π
- ③0.3π
- ④0.4π
27.비유전율 10인 기름속에 10-3C의 전하가 각각 놓여있다. 두 전하간에 0.92[kg]의 힘이 작용할 때, 두 전하는 몇 [m] 떨어져 있는가?
- ①3
- ②3.5
- ③8
- ④10
28.히스테리시스손은 최대 자속밀도의 몇 승에 비례하는가?
- ①1.6
- ②2
- ③2.6
- ④3.2
29.자유공간에서 정전계의 기본 법칙 중 틀린 것은?
- ①VㆍE = ρv/ε0
- ②øSㆍds = Q/ε0
- ③div 0 = ρ
- ④∇×E = J
30.평등 자계 내에 자계와 수직방향으로 일정 속도의 전자를 입사시킬 때 전자의 궤적은?
- ①쌍곡선
- ②포물선
- ③직선
- ④원
31.10[μF]의 콘덴서에 100[V], 60[Hz]의 교류 전압을 인가할 때의 전류는 약 몇 [A] 인가?
- ①0.3768[A]
- ②0.7536[A]
- ③1.1304[A]
- ④1.5072[A]
32.100[mH]인 코일에 100[V], 60[Hz]의 교류전압을 인가했을 때 코일의 유도성 리액턴스의 값은?
- ①37.68[H]
- ②37.68[Ω]
- ③68.25[H]
- ④68.25[Ω]
33.저항과 캐피시턴스 직렬회로의 시정수는?
- ①R/C
- ②C/R
- ③RC
- ④1/RC
34.그림과 같은 시간 함수를 라플라스 변환하면?
- ①1
- ②S
- ③1/S
- ④1/S-1
35.단위 길이당 임피던스 및 어드미턴스가 각각 Z 및 Y인 전파 정수 r 를 표시한 것은?
- ①ZY
- ②
- ③1/ZY
- ④
36.10[μH]의 인덕터와 40[pF]의 캐피시터가 동조시키는 주파수는 약 얼마인가?
- ①15.9[MHz]
- ②50[MHz]
- ③31.8[MHz]
- ④7.96[MHz]
37.이상 변압기의 권선비가 N1 : N2 = 1 : 2일 때 a, b 단자에서 본 임피던스는?
- ①50[Ω]
- ②100[Ω]
- ③200[Ω]
- ④400[Ω]
38.어떤 회로에서 인가 전압이 100[V]일 때 유효전력이 300[W], 무효전력이 400[Var]이라면 전류[A]는?
- ①3[A]
- ②4[A]
- ③5[A]
- ④50[A]
39.다음과 같은 회로에서, 임피던스 파라미터의 개방 순방향 전달 임피던스는?
- ①Z11 = V1/I1
- ②Z21 = V2/I2
- ③Z12 = V1/I2
- ④Z22 = V2/I2
40.R-L 직렬 회로에서 교류 전압을 가했더니 R 양단에 4[V], L 양단에 3[V]가 나타났다. 이 때 인가 전압은?
- ①
- ②
- ③7[V]
- ④5[V]
41.다음 논리 연산 중 이항(binary) 연산에 해당되는 것은?
- ①Move
- ②Complement
- ③Shift
- ④AND
42.중앙처리장치의 하드웨어 요소를 기능별로 나누었을 때 해당되지 않는 것은?
- ①기억 기능
- ②입력 기능
- ③전달 기능
- ④제어 기능
43.서로 다른 변수가 같은 기억 장소를 가질 때 생기는 착오 현상을 무엇이라고 하는가?
- ①Dynamic nesting
- ②Side effects
- ③Aliansing
- ④Binding
44.C 언어에서 산술 연산자로 사용되는 기호는?
- ①&
- ②^
- ③%
- ④?
45.채널로부터 주 기억장치로 데이터 전송 요구가 일어났을 때에만 채널이 버스의 사용권을 일시적으로 중앙처리 장치로부터 빼앗는 전송 방식은?
- ①셀렉터 채널
- ②멀티플렉서 채널
- ③인터럽트
- ④사이클 스틸
46.전자계산기에서 다음에 시행할 명령문의 어드레스를 기억하고 있는 것은?
- ①디코더
- ②버퍼
- ③프로그램 카운터
- ④누산기
47.주소(address) 지정방식이 아닌 것은?
- ①직접 어드레싱(direct addrssing)
- ②이미디어트 어드레싱(immediate addressing)
- ③간접 어드레싱(indirect addressing)
- ④임시 어드레싱(temporary addressing)
48.7K word memory의 실제 word 수는?
- ①1024
- ②4096
- ③7168
- ④8193
49.다음 덧셈 명령 가운데 2 주소(address) 명령 형식에 해당하는 것은?
- ①ADD R1, R2, R3
- ②ADD R1, R2
- ③ADD R1
- ④ADD
50.10진수 8을 Excess-3 code로 표시하면?
- ①1000
- ②1001
- ③1010
- ④1011
51.스택(Stack)에서 데이터의 입ㆍ출력 처리 방법은?
- ①선입선출법(FIFO)
- ②후입선출법(LIFO)
- ③큐(Queue)
- ④데크(Deque)
52.코딩을 하면 바로 프로그램이 작성될 수 있을 정도로 가장 세밀하게 그려진 순서도는?
- ①개략 순서도
- ②상세 순서도
- ③시스템 순서도
- ④처리 순서도
53.순차 액세스(sequential access) 방식을 사용하는 보조기억장치는?
- ①자기테이프 장치
- ②자기디스크 장치
- ③반도체 메모리
- ④자기드럼 장치
54.STACK에 대하여 올바르게 설명한 것은?
- ①인터럽트가 발생한 경우 복귀번지를 저장하기 위하여 사용하는 메모리이다.
- ②POP 명령만으로 데이터를 처리한다.
- ③두개의 오퍼랜드를 필요로 한다.
- ④FIFO 구조를 갖는다.
55.마이크로프로세서가 기억장치 및 입ㆍ출력기기와 연결을 위해 가져야 할 것이 아닌 것은?
- ①데이터 버스
- ②어드레스 버스
- ③결합 버스
- ④제어선
56.다음 중 문자를 삽입할 때 필요한 연산은?
- ①MOVE
- ②OR
- ③AND
- ④ROTATE
57.마이크로컴퓨터에서 입ㆍ출력 인터페이스가 사용되지 않는 것은?
- ①기억장치
- ②보조기억장치
- ③입력장치
- ④출력장치
58.A = 0101 1001, B = 0110 1011 일 때 A와 B의 논리 AND 연산결과는?
- ①0101 1001
- ②0100 1011
- ③0100 1001
- ④1001 0100
59.어떤 시스템에서 데이터의 전송 속도가 200[bps]라고 할 때 이 시스템에 10초간 전송하는 데이터는 모두 몇 [bit] 인가?
- ①2
- ②20
- ③200
- ④2000
60.입ㆍ출력 장치에서 자료처리 방법에 해당되지 않는 것은?
- ①프로그램 입ㆍ출력 방식
- ②인터럽트 입ㆍ출력 방식
- ③직접 메모리 전송 방식(DMA)
- ④병렬 연산처리 방식
61.역률이 0.001 인 콘덴서의 Q는 얼마인가?
- ①10
- ②100
- ③1000
- ④11000
62.다음 중 지시계기의 구비 조건으로 옳지 않은 것은?
- ①정확도가 높고, 오차가 적을 것
- ②눈금이 균등하거나 대수 눈금일 것
- ③구조가 튼튼하고, 취급하기가 편리할 것
- ④응답도(responsibility)가 낮을 것
63.스위프주파수 발생기의 기본 블록도에서 □ 안의 발진기는?
- ①VCO(voltage controlled oscillator)
- ②고주파 발진기
- ③펄스 발진기
- ④저주파 발진기
64.다음 중 잡음지수 F는? (단, Si : 입력신호, Ni : 입력잡음, So : 출력신호, No : 출력잡음)
- ①F = SiNo/SoNi
- ②F = SoNo/NiSi
- ③F = SiNo/NoSo
- ④F = SoNi/NoSi
65.전자회로의 주파수 특징을 시험하는데 관계없는 것은?
- ①오실로스코프
- ②스위프 신호 발생기
- ③마커 신호 발생기
- ④맥스웰 브리지
66.지시 각을 θ 라 하면 스프링 제어장치의 토크는?
- ①θ 에 비례한다.
- ②θ2 에 비례한다.
- ③에 비례한다.
- ④1/θ 에 비례한다.
67.다음 중 싱크로스코프로 직접 측정할 수 없는 것은?
- ①주파수
- ②위상
- ③전압파형
- ④회전수
68.다음 중 C-M형 전력계로 측정되는 것은?
- ①부하의 정합 상태를 알 수 있다.
- ②고주파 전류 측정도 할 수 있다.
- ③임피던스 측정을 할 수 있다.
- ④저주파에 널리 사용한다.
69.다음 기록계 중 영위법(zero method)에 해당되는 것은?
- ①직동식 기록계
- ②타점식 기록계
- ③자동 평형식 기록계
- ④X-Y 기록계
70.어떤 전원 장치의 무부하시 전압이 220[V]였는데 정격 부하의 전압이 180[V]가 되었다. 이때의 전압 변동률은 약 얼마인가?
- ①22.2[%]
- ②18.6[%]
- ③16.6[%]
- ④11.2[%]
71.불규칙한 비주기성 파형 또는 한 번 밖에 일어나지 않는 현상의 파형 측정에 적당한 계기는?
- ①주파수 카운터
- ②싱크로스코프
- ③VTVM
- ④엡스타인 장치
72.칼로리 미터법에 의해 고주파 전력을 측정하는 식으로 옳은 것은? (단, 인입구 온도 T1[℃], 출구의 온도 T2[℃], 냉각수의 유량을 Q[cc/min]라 할 때)
- ①P = KQ(T2+T1)[W]
- ②P = KQ(T1-T2)[W]
- ③P = KQ(T1×T2)[W]
- ④P = KQ(T2-T1)[W]
73.다음 중 오실로스코프로 측정 불가능한 것은?
- ①전압
- ②변조도
- ③주파수
- ④코일의 Q
74.교류, 직류 어느 것에 사용하여도 동일한 지시치를 주며, 정밀급으로서 가장 중요한 계기는?
- ①검류계
- ②가동철편형
- ③전류력계형
- ④열전대형
75.계기정수 2400[Rev/kWh]의 적산전력계가 30초에 15 회전했을 때의 전력[W]은?
- ①500
- ②750
- ③1000
- ④1250
76.오차에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①개인적 오차 : 읽는 사람에 따라 생기는 오차
- ②우연 오차 : 측정 조건이 나쁘거나 측정자의 주의력 부족에 의한 오차
- ③이론적인 오차 : 측정 조건의 변동, 측정자의 주의력 동요에 의한 오차
- ④계통적인 오차 : 일정한 원인, 눈금의 부정호가, 외부 자장 등에 의한 오차
77.정전 용량이나 유전체 손실각을 측정하는 브리지는?
- ①셰링 브리지
- ②공진 브리지
- ③윈 브리지
- ④캠벨 브리지
78.소인 발진기를 사용할 때 병행하는 계기는?
- ①고주파 발진기
- ②감쇠기
- ③진공관 전압계
- ④오실로스코프
79.그림과 같은 교류 브리지가 평형되었을 때 L의 값은?
- ①L = R2/R1C
- ②L = CR1R2
- ③L = C/R1R2
- ④L = R1R2/C
80.1[Ω] 이하의 저저항 측정에 사용되는 브리지는?
- ①휘트스톤 브리지
- ②캘빈더블 브리지
- ③맥스웰 브리지
- ④헤비사이드