전자기사 (2006-03-05)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.길이 l[m], 단면적의 지름 d[m]인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J[Wb/m2]인 경우 원통 양단에서의 전 자극의 세기는 몇 Wb 인가?
- ①πd2J
- ②πdJ
- ③4J/πd2
- ④πd2J/4
2.전자파의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?
- ①전파 Ex를 특성 임피던스로 나누면 자파 Hy가 된다.
- ②매질이 도전성을 갖지 않으면 전파 Ex와 자파 Hy는 동위상이 된다.
- ③전파 Ex와 자파 Hy의 진동방향은 진행 방향에 수평인 종파이다.
- ④전자파의 속도는 주파수와 무관하다.
3.평등자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?
- ①길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드에 전류를 흘린다.
- ②단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.
- ③단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선에 전류를 흘린다.
- ④길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘린다.
4.간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?
- ①1.5×1011
- ②1.5×1012
- ③1.36×1011
- ④1.36×1012
5.점전하 0.5C이 전계 E = 3ax + 5ay + 8az [V/m] 중에서 속도 4ax + 2ay + 3az 로 이동할 때 받는 힘은 몇 N인가?
- ①4.95
- ②7.45
- ③9.95
- ④13.47
6.도전률이 5.8×107 ℧/m, 비투자율이 1인 구리에 60㎐ 주파수를 갖는 전류가 흐를 때, 표피 두께는 몇 mm 인가?
- ①8.53
- ②9.78
- ③11.28
- ④13.03
7.전선에 흐르는 전류를 1.5배 증가시켜도 저항에 의한 전압 강하가 변하지 않으려면 전선의 반지름을 약 몇 배로 하여야 하는가?
- ①0.67
- ②0.82
- ③1.22
- ④3
8.그림과 같은 1m 당 권선수 n, 반지름 a[m] 의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?
- ①a와는 상관없고 n2 에 비례한다.
- ②a와 n의 곱에 비례한다.
- ③a2 과 n2 의 곱에 비례한다.
- ④a2 에 반비례하고 n2 에 비례한다.
9.자기모멘트 9.8×10-5 Wbㆍm의 막대자석을 지구자계의 수평성분 10.5 AT/m 의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 몇 J인가?
- ①9.3×10-5
- ②9.3×10-3
- ③1.03×10-5
- ④1.03×10-3
10.전기력선에 관한 다음 설명 중 틀린 것은?
- ①전기력선은 도체 표면에 수직으로 출입한다.
- ②도체 내부에는 전기력선이 다수 존재한다.
- ③단위전하에서는 진공 중에서 1/ε0개의 전기력선이 출입한다.
- ④전기력선은 전계가 0 이 아닌 곳에서는 등전위면과 직교한다.
11.다음 중 거리 r에 반비례하는 것은?
- ①무한장 직선전하에 의한 전계
- ②구도체 전하에 의한 전계
- ③전기쌍극자에 의한 전계
- ④전기쌍극자에 의한 전위
12.그림과 같이 반지름 a인 무한길이 직선도선에 I인 전류가 도선 단면에 균일하게 흐르고 있다. 이 때 축으로부터 r (a>r)인 거리에 있는 도선 내부의 점 P의 자계의 세기에 관한 설명으로 옳은 것은?
- ①r 에 비례한다.
- ②r 에 반비례한다.
- ③r2 에 반비례한다.
- ④r 에 관계없이 항상 0 이다.
13.전계 E[V/m], 전속밀도 D[C/m2], 유전률 ε[F/m]인 유전체 내에 저장되는 에너지 밀도는 몇 J/m3 인가?
- ①ED
- ②
- ③
- ④
14.x > 0 인 영역에 ε1 = 3인 유전체, x < 0 인 영역에서 ε2 = 5 인 유전체가 있다. 유전률 ε2 인 영역에서 전계 E2 = 20ax + 30ay + 40az [V/m]일 때, 유전률 ε1 인 영역에서의 전계 E1 은 몇 V/m 인가?
- ①
- ②20ax + 90ay - 40az
- ③100ax + 10ay - 40az
- ④60ax + 30ay - 40az
15.유전률 ε[F/m], 고유저항 ρ[Ωㆍm]인 유전체로 채운 정전용량 C[F]의 콘덴서에 전압 V[V]를 가할 때, 유전체중의 t초 동안에 발생하는 열량은 몇 cal 인가?
- ①4.2×CV2t/ρε
- ②4.2×CVt/ρε
- ③0.244.2×CV2t/ρε
- ④0.24×CVt/ρε
16.자속의 연속성을 나타낸 식은?
- ①div B = ρ
- ②div B = 0
- ③B = μH
- ④div B = μH
17.전계 E = i2e3xsin 5y - je3xcos 5y + k3ze4z 일 때, 점 (x = 0, y = 0, z = 0)에서의 발산은?
- ①0
- ②3
- ③6
- ④10
18.내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b 인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C0 이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전률 9인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?
- ①C0/9
- ②C0/3
- ③C0
- ④9C0
19.C1, C2 의 두 폐회로간의 상호인덕턴스를 구하는 노이만의 공식은?
- ①
- ②
- ③
- ④
20.반지름 a 인 접지 구도체의 중심에서 d( > a )되는 점에 점전하 Q가 있을 때 영상전하 Q'의 크기는?
- ①
- ②
- ③
- ④
21.분포 정수 회로에서 회로 정수 사이에는 어떤 관계가 있는가?
- ①AD-CD=1
- ②AD-BC=1
- ③AD+BC=1
- ④AB+CD=1
22.분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1[Ω], 분류기의 저항이 0.01[Ω]이면 그 배율은?
- ①4
- ②10
- ③11
- ④14
23.Δ 결선되 부하를 Y 결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)
- ①9배
- ②1/9배
- ③3배
- ④1/3배
24.그림과 같은 회로에서 스위치를 닫은 후 회로에ㅐ 흐르는 전류 I(t)의 시정수는?
- ①2RC
- ②5RC
- ③1/5CR
- ④
25.RLC 병렬회로가 공진 주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작 할때, 이 회로는?
- ①유도성 회로가 된다.
- ②용량성 회로가 된다.
- ③저항성 회로가 된다.
- ④탱크 회로가 된다.
26.RL 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2을 나타낸 것으로 올바른 것은?
- ①θ < θ1 < θ2
- ②θ2 < θ1 < θ
- ③θ2 < θ < θ1
- ④θ1 < θ < θ2
27.2단자 임피던스가 S + 3/S2 + 3S + 2일 때 극점(pole)은?
- ①-3
- ②0
- ③-1, -2, -3
- ④-1, -2
28.정현파 전압의 진폭이 Vm 이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?
- ①Vm/2
- ②
- ③Vm/π
- ④2Vm/π
29.무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0 는? (단, R, L, G, C 는 각 각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 캐패시턴스이다.)
- ①Z0 = (R+jωL)(G+jωC)
- ②
- ③Z0 = R+jωL/G+jωC
- ④
30.다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11 은 얼마인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
31.RC 저역 필터회로에서 ω = 1/RC일 때 위상각은?
- ①0°
- ②+45°
- ③-45°
- ④+90°
32.R-L 직렬회로에 v(t) = 100sin(104t + Q1) [V]의 전압을 가할 때 i(t) = 20sin(104t + Q2) [A]의 전류가 흘렀다. R = 30[Ω] 일 때 인덕턴스 L의 값은?
- ①L = 4[mH]
- ②L = 40[mH]
- ③L = 0.4[mH]
- ④L = 0.04[mH]
33.그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?
- ①ωL1 = 1/ωC
- ②ωL2 = 1/ωC
- ③ωM = 1/ωC
- ④ωM = ωL2
34.I1 = 2 + j3, I2 = i + j [A] 일 때 합성 전류의 크기 I[A]는?
- ①5
- ②4
- ③3
- ④2
35.ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?
- ①A
- ②B
- ③C
- ④D
36.다음 회로의 합성 캐패시턴스는?
- ①4μF
- ②0.8μF
- ③0.5μF
- ④5μF
37.단위계단함수의 라플라스 변환은?
- ①1
- ②S
- ③1/S
- ④1/S-1
38.그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타낼 때 A값은? (단. A는 개방 역방향 전압 이득임.)
- ①Z1
- ②1
- ③1/Z2
- ④1+Z1/Z2
39.전송선로의 특성 임피던스가 50[Ω]이고, 부하 저항이 150[Ω]이면 부하에서의 반사계수는?
- ①0
- ②0.5
- ③0.3
- ④1
40.그림과 같은 파형은 Laplace 변환은?
- ①3
- ②3/S
- ③
- ④
41.궤환 발진기에서 바크하우젠(Bark hausen)의 발진 조건을 표시한 것 중 옳은 것은?
- ①βA = 0
- ②βA < 1
- ③-βA = 1
- ④βA > 1
42.다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로는?
- ①NOR
- ②HALF - ADDER
- ③EXCLUSIVE - OR
- ④EXCESS - 3 ADDER
43.변조도 80[%]인 진폭 변조에서 반송파의 평균 출력이 300[mW]일 때 피변조 반송파의 평균 출력은?
- ①120[mW]
- ②240[mW]
- ③396[mW]
- ④420[mW]
44.PNP트랜지스터의 베이스에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①베이스의 폭은 정공의 확산 길이보다 훨씬 짧다.
- ②재결합이 잘 되도록 하기 위하여 불순물 밀도를 높게 한다.
- ③베이스의 폭은 좁고, 불순물 밀도는 적게 한다.
- ④베이스 영역의 소수케리어는 정공이다.
45.10112 를 Gray Code로 변환하면?
- ①1111
- ②1110
- ③1010
- ④1011
46.그림과 같은 회로의 명칭은? (단, FF :flip-flop)
- ①J-K FF
- ②R-S FF
- ③T FF
- ④D FF
47.비안정 멀티바이브레이터 회로에서 베이스 전압의 파형은?
- ①구형파
- ②정현파
- ③삼각파
- ④스텝파
48.그림과 같은 동조증폭기에서 코일의 큐를 QC, 부하만의 큐를 QL이라 할 때 이 증폭기 전체의 선택도 Q는 어떤 관계식이 되는가? (단, QC = ω0L/r, QL = RLω0C 이며, hoe 는 거의 0 이다.)
- ①Q = QC + QL
- ②Q = 1/QC + 1/QL
- ③Q = QC/QL
- ④Q = QCQL/QC + QL
49.다음 그림과 같은 이득이 AV 인 연산 증폭회로에서 출력 전압 V0 를 나타내는 것은? (단, V1, V2 및 V3 는 입력 신호 전압이다.)
- ①V0 = R/R'(V1 + V2 + V3)
- ②V0 = R/3R'(V1 + V2 + V3)
- ③V0 = R'/R(V1 + V2 + V3)
- ④V0 = -R'/R(V1 + V2 + V3)
50.다음 그림과 같은 논리회로의 출력은?
- ①
- ②
- ③X = AB + AB
- ④
51.다음 회로에서 VCE = 6.5 [V]가 되기 위한 Rb 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE = 0.7[V], β = 100 이다.)
- ①약 129[kΩ]
- ②약 275[kΩ]
- ③약 320[kΩ]
- ④약 421[kΩ]
52.발진 회로에 사용하는 수정편의 등가회로는 그림과 같고, 각 파라미터는 그림에 표시한 값을 갖는다. 이 수정편의 “Q"를 계산하면?
- ①410
- ②589
- ③1277
- ④2317
53.포토 커플러(photo coupler)란?
- ①태양 전지의 일종이다.
- ②빛을 전기로 변환하는 장치이다.
- ③전기를 빛으로 변환하는 장치이다.
- ④발광소자와 수광소자를 하나로 조합한 장치이다.
54.그림과 같은 h정수를 쓴 이미터 접지회로 모델에서 이미터, 베이스 사이의 전압 Vbe 는?
- ①hfeIb + hoeVce
- ②hieIb + hreVce
- ③hreIb + hieVce
- ④hoeIb + hfeVce
55.PN접합 다이오드의 온도와 역포화 전류와의 관계를 올바르게 나타낸 것은?
- ①역포화 전류는 온도가 10[°C] 증가함에 따라 직선적으로 감소한다.
- ②역포화 전류는 온도에 관계없이 항상 일정하다.
- ③역포화 전류는 온도가 10[°C] 증가함에 따라 직선적으로 증가한다.
- ④온도가 10[°C] 증가할 때마다 역포화 전류는 약 2배씩 증가한다.
56.주어진 회로는 어떤 종류의 발진기인가?
- ①colpitts 발진기
- ②hartley 발진기
- ③wien bridge 발진기
- ④phase-shift 발진기
57.수정발진기에서 안정된 발진을 유지할 수 있는 주파수 범위는? (단, fs : 수정자체의 직렬공진 주파수, fp : 전극용량을 포함한 병렬공진 주파수)
- ①fs < f < fp
- ②f > fs > fp
- ③f < fs < fp
- ④fs > f > fp
58.다음 회로에서 A = C = 8Volts, B = 0Volts 일 때 출력 전압 VO 는?
- ①-4[V]
- ②-5[V]
- ③-8[V]
- ④-10[V]
59.다음 회로 Qn = 0 인 상태에서 S = 1, R = 0이 가해지면 그 직후의 출력은?
- ①Q = 1,
- ②Q = 0,
- ③Q = 1,
- ④Q = 0,
60.다음 회로는 연산증폭기를 사용한 윈 브리지 발진회로를 나타내고 있다. 발진주파수는?
- ①1/2πRC
- ②
- ③
- ④
61.열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0 이라면, 그 의미는?
- ①전위장벽이 없어졌다.
- ②접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
- ③접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
- ④접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
62.캐리어의 확산 길이는?
- ①캐리어의 이동도에만 의존한다.
- ②캐리어의 수명 시간에만 의존한다.
- ③캐리어의 확산 계수에만 의존한다.
- ④캐리어의 확산 계수와 수명 시간에 따라 변한다.
63.pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는 가?
- ①이온화가 증가한다.
- ②접합면의 정전용량이 증가한다.
- ③접합면의 장벽 전위가 낮아진다.
- ④접합면의 공간 전하용량이 증가한다.
64.전계에 의한 전자 또는 정공의 흐름에 의한 전류는?
- ①확산 전류
- ②드리프트 전류
- ③차단 전류
- ④포화 전류
65.500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?
- ①
- ②
- ③
- ④50
66.Hall 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
- ①캐리어의 종류만을 구할 수 있다.
- ②캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.
- ③캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.
- ④캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.
67.PN 접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?
- ①Tunnel 다이오드
- ②Zener 다이오드
- ③Varistor
- ④Varactor 다이오드
68.트랜지스터의 고주파 특성으로서 차단 주파수 α는 무엇으로 결정되는가?
- ①컬렉터에 걸어주는 전압
- ②이미터에 걸어주는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
- ③베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
- ④베이스 폭에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
69.반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①전자가 공유결합을 이탈하면 정공이 생성된다.
- ②전자의 흐름과 정공의 흐름은 반대이다.
- ③전자와 정공이 결합하면 에너지를 흡수한다.
- ④자유전자는 정공보다 이동도가 더 크다.
70.FET가 초퍼(Chopper)로서 적합한 이유는?
- ①전력 소모가 적다.
- ②대량 생산에 적합하다.
- ③입력 임피던스가 매우 높다.
- ④오프 셋(off set) 전압이 매우 작다.
71.열저자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?
- ①쇼트키 효과
- ②펠티어 효과
- ③지벡 효과
- ④홀 효과
72.균등 전계내의 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
- ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례 한다.
- ③전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 [J]이다.
- ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.
73.전류 제어용 소자는?
- ①3극 진공관
- ②접합 트랜지스터
- ③접합 전계효과 트랜지스터
- ④절연 게이트 전계효과 트랜지스터
74.0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K = 1.38×10-23 [J/K] 이다.)
- ①2.69×1025[m-3]
- ②7.2×1025[m-3]
- ③5.45×1020[m-3]
- ④11.4×1022[m-3]
75.트랜지스터의 동작 특성에 대해서 옳은 것은?
- ①컬렉터는 베이스 영역보다 불순물 농도가 높다.
- ②베이스 영역은 N형 반도체이어야 한다.
- ③베이스 영역은 소수캐리어의 확산거리에 비해서 좁아야 한다.
- ④컬렉터 접합은 순바이어스 되어야 한다.
76.n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?
- ①2극관
- ②3극관
- ③4극관
- ④5극관
77.접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?
- ①확산에 의해서
- ②드리프트에 의해서
- ③컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
- ④이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
78.전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
- ②금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
- ③금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
- ④금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량 보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Shottky 효과라 한다.
79.전계의 세기 E = 105 [V/m] 의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?
- ①1600 [m/s2]
- ②1.602×10-14[m2]
- ③5.93×105[m2]
- ④1.75×1016[m2]
80.쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 잘못된 것은?
- ①전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
- ②전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
- ③깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화된다.
- ④깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파는 정재파이다.
81.프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
- ①레지스터 모드
- ②간접번지 모드
- ③상대번지 모드
- ④인덱스 어드레싱 모드
82.다음 중 순차 논리회로가 아닌 것은?
- ①전가산기(Full Adder)
- ②Master-Slave 방식의 JK 플립플롭
- ③8진 UP 카운터(Counter)
- ④4비트 시프트 레지스터
83.인터럽트를 발생하는 모든 장치들을 인터럽트의 우선 순위에 따라서 직렬로 연결하여 인터럽트의 우선순위를 처리하는 방법은?
- ①Handshaking 방식
- ②Daisy-Chain 방식
- ③우선순위 인코더 방식
- ④병렬 우선순위 인터럽트
84.다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①3-주소 명령어 형식은 세 개의 자료 필드를 갖고 있다.
- ②2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
- ③1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기 (accumulator)에 기억된다.
- ④0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
85.다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?
- ①자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소
- ②주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소
- ③명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소
- ④자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소
86.순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①프로그램 코딩의 직접적인 자료가 된다.
- ②프로그램의 내용과 일처리 순서를 파악하기 쉽다.
- ③프로그램 언어마다 다르게 표현되므로 공통적으로 사용할 수 없다.
- ④오류 발생 시 그 원인을 찾아 수정하기 쉽다.
87.직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?
- ①단순 방식(Simplex)
- ②반이중 방식(Half-Duplex)
- ③전이중 방식(Full-Duplex)
- ④해당하는 방식이 없다.
88.컴퓨터를 크게 세 부분으로 나눌 때 포함되지 않는 것은?
- ①중앙처리장치
- ②연산논리장치
- ③주기억장치
- ④입ㆍ출력장치
89.n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 적절히 나타낸 것은?
- ①-2n ~ 2n-1
- ②-2n-1 ~ 2n-1
- ③-2n-1 ~ (2n-1-1)
- ④-(2n-1-1) ~ (2n-1-1)
90.기억된 프로그램의 명령을 하나씩 읽고 해독하여 각장치에 필요한 지시를 하는 기능은?
- ①기억 기능
- ②연산 기능
- ③제어 기능
- ④입ㆍ출력 기능
91.마이크로컴퓨터의 구성에서 memory-mapped 입ㆍ출력과 isolated입ㆍ출력 방식에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ①isolated 입ㆍ출력 버스 연결이 쉽다.
- ②memory-mapped 입ㆍ출력은 주기억공간을 최대로 활용할 수 있다.
- ③memory-mapped 입ㆍ출력은 메모리와 입ㆍ출력 번지 사이의 구별이 있다.
- ④memory-mapped 입ㆍ출력에는 입ㆍ출력 전용 명령어가 필요없다.
92.다음에 실행할 명령의 번지를 갖고 있는 레지스터는?
- ①program counter
- ②instruction register
- ③memory buffer register
- ④control address register
93.마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?
- ①CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 무조건 I/O 전송
- ②CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 조건부 I/O 전송
- ③I/O 장치 제어에 의한 인터럽트 방식
- ④I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식
94.CPU는 4개의 사이클 반복으로 동작을 행한다. 이 중 4개의 사이클에 속하지 않는 것은?
- ①Fetch cycle
- ②Execute cycle
- ③Interrupt cycle
- ④Branch cycle
95.고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?
- ①컴파일러(Compiler)
- ②어셈블러(Assembler)
- ③유틸리티(Utility)
- ④연계 편집 프로그램
96.two address machine에서 기억 용량이 216 워드이고 워드 길이가 40bit 라면 이 명령형에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?
- ①8
- ②7
- ③6
- ④5
97.어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?
- ①어셈블러
- ②인터프리터
- ③로더
- ④컴파일러
98.조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?
- ①분기형
- ②분류형
- ③루프형
- ④직선형
99.특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위하여 필요한 연산 방법은?
- ①Complement 연산
- ②OR 연산
- ③AND 연산
- ④MOVE 연산
100.캐시 메모리(cache memory)의 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①기억 용량은 작으나 속도가 아주 빠른 메모리이다.
- ②CPU가 주 메모리에 액세스할 때의 속도 차이를 줄이고 처리 효율을 높이기 위하여 사용한다.
- ③메모리에 저장된 항목을 쉽게 검색하기 위해 사용한다.
- ④주기억 장치보다 액세스 속도가 5-10배 정도 빠르다.