전자기사 · 2006

전자기사 (2006-03-05)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.길이 l[m], 단면적의 지름 d[m]인 원통이 길이 방향으로 균일하게 자화되어 자화의 세기가 J[Wb/m2]인 경우 원통 양단에서의 전 자극의 세기는 몇 Wb 인가?

    1. ①πd2J
    2. ②πdJ
    3. ③4J/πd2
    4. ④πd2J/4
  2. 2.전자파의 특성에 대한 설명으로 틀린 것은?

    1. ①전파 Ex를 특성 임피던스로 나누면 자파 Hy가 된다.
    2. ②매질이 도전성을 갖지 않으면 전파 Ex와 자파 Hy는 동위상이 된다.
    3. ③전파 Ex와 자파 Hy의 진동방향은 진행 방향에 수평인 종파이다.
    4. ④전자파의 속도는 주파수와 무관하다.
  3. 3.평등자계를 얻는 방법으로 가장 알맞은 것은?

    1. ①길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 솔레노이드에 전류를 흘린다.
    2. ②단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 솔레노이드에 전류를 흘린다.
    3. ③단면적에 비하여 길이가 충분히 긴 원통형 도선에 전류를 흘린다.
    4. ④길이에 비하여 단면적이 충분히 큰 원통형 도선에 전류를 흘린다.
  4. 4.간격 3m의 평행 무한평면도체에 각각 ±4C/m2의 전하를 주었을 때, 두 도체간의 전위차는 약 몇 V인가?

    1. ①1.5×1011
    2. ②1.5×1012
    3. ③1.36×1011
    4. ④1.36×1012
  5. 5.점전하 0.5C이 전계 E = 3ax + 5ay + 8az [V/m] 중에서 속도 4ax + 2ay + 3az 로 이동할 때 받는 힘은 몇 N인가?

    1. ①4.95
    2. ②7.45
    3. ③9.95
    4. ④13.47
  6. 6.도전률이 5.8×107 ℧/m, 비투자율이 1인 구리에 60㎐ 주파수를 갖는 전류가 흐를 때, 표피 두께는 몇 mm 인가?

    1. ①8.53
    2. ②9.78
    3. ③11.28
    4. ④13.03
  7. 7.전선에 흐르는 전류를 1.5배 증가시켜도 저항에 의한 전압 강하가 변하지 않으려면 전선의 반지름을 약 몇 배로 하여야 하는가?

    1. ①0.67
    2. ②0.82
    3. ③1.22
    4. ④3
  8. 8.그림과 같은 1m 당 권선수 n, 반지름 a[m] 의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?

    1. ①a와는 상관없고 n2 에 비례한다.
    2. ②a와 n의 곱에 비례한다.
    3. ③a2 과 n2 의 곱에 비례한다.
    4. ④a2 에 반비례하고 n2 에 비례한다.
  9. 9.자기모멘트 9.8×10-5 Wbㆍm의 막대자석을 지구자계의 수평성분 10.5 AT/m 의 곳에서 지자기 자오면으로부터 90° 회전시키는데 필요한 일은 몇 J인가?

    1. ①9.3×10-5
    2. ②9.3×10-3
    3. ③1.03×10-5
    4. ④1.03×10-3
  10. 10.전기력선에 관한 다음 설명 중 틀린 것은?

    1. ①전기력선은 도체 표면에 수직으로 출입한다.
    2. ②도체 내부에는 전기력선이 다수 존재한다.
    3. ③단위전하에서는 진공 중에서 1/ε0개의 전기력선이 출입한다.
    4. ④전기력선은 전계가 0 이 아닌 곳에서는 등전위면과 직교한다.
  11. 11.다음 중 거리 r에 반비례하는 것은?

    1. ①무한장 직선전하에 의한 전계
    2. ②구도체 전하에 의한 전계
    3. ③전기쌍극자에 의한 전계
    4. ④전기쌍극자에 의한 전위
  12. 12.그림과 같이 반지름 a인 무한길이 직선도선에 I인 전류가 도선 단면에 균일하게 흐르고 있다. 이 때 축으로부터 r (a>r)인 거리에 있는 도선 내부의 점 P의 자계의 세기에 관한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①r 에 비례한다.
    2. ②r 에 반비례한다.
    3. ③r2 에 반비례한다.
    4. ④r 에 관계없이 항상 0 이다.
  13. 13.전계 E[V/m], 전속밀도 D[C/m2], 유전률 ε[F/m]인 유전체 내에 저장되는 에너지 밀도는 몇 J/m3 인가?

    1. ①ED
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  14. 14.x > 0 인 영역에 ε1 = 3인 유전체, x < 0 인 영역에서 ε2 = 5 인 유전체가 있다. 유전률 ε2 인 영역에서 전계 E2 = 20ax + 30ay + 40az [V/m]일 때, 유전률 ε1 인 영역에서의 전계 E1 은 몇 V/m 인가?

    1. ①
    2. ②20ax + 90ay - 40az
    3. ③100ax + 10ay - 40az
    4. ④60ax + 30ay - 40az
  15. 15.유전률 ε[F/m], 고유저항 ρ[Ωㆍm]인 유전체로 채운 정전용량 C[F]의 콘덴서에 전압 V[V]를 가할 때, 유전체중의 t초 동안에 발생하는 열량은 몇 cal 인가?

    1. ①4.2×CV2t/ρε
    2. ②4.2×CVt/ρε
    3. ③0.244.2×CV2t/ρε
    4. ④0.24×CVt/ρε
  16. 16.자속의 연속성을 나타낸 식은?

    1. ①div B = ρ
    2. ②div B = 0
    3. ③B = μH
    4. ④div B = μH
  17. 17.전계 E = i2e3xsin 5y - je3xcos 5y + k3ze4z 일 때, 점 (x = 0, y = 0, z = 0)에서의 발산은?

    1. ①0
    2. ②3
    3. ③6
    4. ④10
  18. 18.내원통의 반지름 a, 외원통의 반지름 b 인 동축원통 콘덴서의 내외 원통사이에 공기를 넣었을 때 정전용량이 C0 이었다. 내외 반지름을 모두 3배로 하고 공기대신 비유전률 9인 유전체를 넣었을 경우의 정전용량은?

    1. ①C0/9
    2. ②C0/3
    3. ③C0
    4. ④9C0
  19. 19.C1, C2 의 두 폐회로간의 상호인덕턴스를 구하는 노이만의 공식은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  20. 20.반지름 a 인 접지 구도체의 중심에서 d( > a )되는 점에 점전하 Q가 있을 때 영상전하 Q'의 크기는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  21. 21.분포 정수 회로에서 회로 정수 사이에는 어떤 관계가 있는가?

    1. ①AD-CD=1
    2. ②AD-BC=1
    3. ③AD+BC=1
    4. ④AB+CD=1
  22. 22.분류기를 사용하여 전류를 측정하는 경우 전류계의 내부저항이 0.1[Ω], 분류기의 저항이 0.01[Ω]이면 그 배율은?

    1. ①4
    2. ②10
    3. ③11
    4. ④14
  23. 23.Δ 결선되 부하를 Y 결선으로 바꾸면 소비전력은 어떻게 되는가? (단, 선간 전압은 일정하다.)

    1. ①9배
    2. ②1/9배
    3. ③3배
    4. ④1/3배
  24. 24.그림과 같은 회로에서 스위치를 닫은 후 회로에ㅐ 흐르는 전류 I(t)의 시정수는?

    1. ①2RC
    2. ②5RC
    3. ③1/5CR
    4. ④
  25. 25.RLC 병렬회로가 공진 주파수보다 큰 주파수 영역에서 동작 할때, 이 회로는?

    1. ①유도성 회로가 된다.
    2. ②용량성 회로가 된다.
    3. ③저항성 회로가 된다.
    4. ④탱크 회로가 된다.
  26. 26.RL 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1 과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2을 나타낸 것으로 올바른 것은?

    1. ①θ < θ1 < θ2
    2. ②θ2 < θ1 < θ
    3. ③θ2 < θ < θ1
    4. ④θ1 < θ < θ2
  27. 27.2단자 임피던스가 S + 3/S2 + 3S + 2일 때 극점(pole)은?

    1. ①-3
    2. ②0
    3. ③-1, -2, -3
    4. ④-1, -2
  28. 28.정현파 전압의 진폭이 Vm 이라면 이를 반파 정류 했을 때의 평균값은?

    1. ①Vm/2
    2. ②
    3. ③Vm/π
    4. ④2Vm/π
  29. 29.무한장 전송 선로의 특성 임피던스 Z0 는? (단, R, L, G, C 는 각 각 단위 길이당의 저항, 인덕턴스, 컨덕턴스, 캐패시턴스이다.)

    1. ①Z0 = (R+jωL)(G+jωC)
    2. ②
    3. ③Z0 = R+jωL/G+jωC
    4. ④
  30. 30.다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11 은 얼마인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  31. 31.RC 저역 필터회로에서 ω = 1/RC일 때 위상각은?

    1. ①0°
    2. ②+45°
    3. ③-45°
    4. ④+90°
  32. 32.R-L 직렬회로에 v(t) = 100sin(104t + Q1) [V]의 전압을 가할 때 i(t) = 20sin(104t + Q2) [A]의 전류가 흘렀다. R = 30[Ω] 일 때 인덕턴스 L의 값은?

    1. ①L = 4[mH]
    2. ②L = 40[mH]
    3. ③L = 0.4[mH]
    4. ④L = 0.04[mH]
  33. 33.그림의 교류 회로에서 R에 전류가 흐르지 않기 위한 조건은?

    1. ①ωL1 = 1/ωC
    2. ②ωL2 = 1/ωC
    3. ③ωM = 1/ωC
    4. ④ωM = ωL2
  34. 34.I1 = 2 + j3, I2 = i + j [A] 일 때 합성 전류의 크기 I[A]는?

    1. ①5
    2. ②4
    3. ③3
    4. ④2
  35. 35.ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?

    1. ①A
    2. ②B
    3. ③C
    4. ④D
  36. 36.다음 회로의 합성 캐패시턴스는?

    1. ①4μF
    2. ②0.8μF
    3. ③0.5μF
    4. ④5μF
  37. 37.단위계단함수의 라플라스 변환은?

    1. ①1
    2. ②S
    3. ③1/S
    4. ④1/S-1
  38. 38.그림과 같은 4단자 회로망에서 4단자 정수를 나타낼 때 A값은? (단. A는 개방 역방향 전압 이득임.)

    1. ①Z1
    2. ②1
    3. ③1/Z2
    4. ④1+Z1/Z2
  39. 39.전송선로의 특성 임피던스가 50[Ω]이고, 부하 저항이 150[Ω]이면 부하에서의 반사계수는?

    1. ①0
    2. ②0.5
    3. ③0.3
    4. ④1
  40. 40.그림과 같은 파형은 Laplace 변환은?

    1. ①3
    2. ②3/S
    3. ③
    4. ④
  41. 41.궤환 발진기에서 바크하우젠(Bark hausen)의 발진 조건을 표시한 것 중 옳은 것은?

    1. ①βA = 0
    2. ②βA < 1
    3. ③-βA = 1
    4. ④βA > 1
  42. 42.다음 NAND 게이트로 구성된 논리회로는?

    1. ①NOR
    2. ②HALF - ADDER
    3. ③EXCLUSIVE - OR
    4. ④EXCESS - 3 ADDER
  43. 43.변조도 80[%]인 진폭 변조에서 반송파의 평균 출력이 300[mW]일 때 피변조 반송파의 평균 출력은?

    1. ①120[mW]
    2. ②240[mW]
    3. ③396[mW]
    4. ④420[mW]
  44. 44.PNP트랜지스터의 베이스에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①베이스의 폭은 정공의 확산 길이보다 훨씬 짧다.
    2. ②재결합이 잘 되도록 하기 위하여 불순물 밀도를 높게 한다.
    3. ③베이스의 폭은 좁고, 불순물 밀도는 적게 한다.
    4. ④베이스 영역의 소수케리어는 정공이다.
  45. 45.10112 를 Gray Code로 변환하면?

    1. ①1111
    2. ②1110
    3. ③1010
    4. ④1011
  46. 46.그림과 같은 회로의 명칭은? (단, FF :flip-flop)

    1. ①J-K FF
    2. ②R-S FF
    3. ③T FF
    4. ④D FF
  47. 47.비안정 멀티바이브레이터 회로에서 베이스 전압의 파형은?

    1. ①구형파
    2. ②정현파
    3. ③삼각파
    4. ④스텝파
  48. 48.그림과 같은 동조증폭기에서 코일의 큐를 QC, 부하만의 큐를 QL이라 할 때 이 증폭기 전체의 선택도 Q는 어떤 관계식이 되는가? (단, QC = ω0L/r, QL = RLω0C 이며, hoe 는 거의 0 이다.)

    1. ①Q = QC + QL
    2. ②Q = 1/QC + 1/QL
    3. ③Q = QC/QL
    4. ④Q = QCQL/QC + QL
  49. 49.다음 그림과 같은 이득이 AV 인 연산 증폭회로에서 출력 전압 V0 를 나타내는 것은? (단, V1, V2 및 V3 는 입력 신호 전압이다.)

    1. ①V0 = R/R'(V1 + V2 + V3)
    2. ②V0 = R/3R'(V1 + V2 + V3)
    3. ③V0 = R'/R(V1 + V2 + V3)
    4. ④V0 = -R'/R(V1 + V2 + V3)
  50. 50.다음 그림과 같은 논리회로의 출력은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③X = AB + AB
    4. ④
  51. 51.다음 회로에서 VCE = 6.5 [V]가 되기 위한 Rb 값으로 가장 적당한 것은? (단, 여기서 VBE = 0.7[V], β = 100 이다.)

    1. ①약 129[kΩ]
    2. ②약 275[kΩ]
    3. ③약 320[kΩ]
    4. ④약 421[kΩ]
  52. 52.발진 회로에 사용하는 수정편의 등가회로는 그림과 같고, 각 파라미터는 그림에 표시한 값을 갖는다. 이 수정편의 “Q"를 계산하면?

    1. ①410
    2. ②589
    3. ③1277
    4. ④2317
  53. 53.포토 커플러(photo coupler)란?

    1. ①태양 전지의 일종이다.
    2. ②빛을 전기로 변환하는 장치이다.
    3. ③전기를 빛으로 변환하는 장치이다.
    4. ④발광소자와 수광소자를 하나로 조합한 장치이다.
  54. 54.그림과 같은 h정수를 쓴 이미터 접지회로 모델에서 이미터, 베이스 사이의 전압 Vbe 는?

    1. ①hfeIb + hoeVce
    2. ②hieIb + hreVce
    3. ③hreIb + hieVce
    4. ④hoeIb + hfeVce
  55. 55.PN접합 다이오드의 온도와 역포화 전류와의 관계를 올바르게 나타낸 것은?

    1. ①역포화 전류는 온도가 10[°C] 증가함에 따라 직선적으로 감소한다.
    2. ②역포화 전류는 온도에 관계없이 항상 일정하다.
    3. ③역포화 전류는 온도가 10[°C] 증가함에 따라 직선적으로 증가한다.
    4. ④온도가 10[°C] 증가할 때마다 역포화 전류는 약 2배씩 증가한다.
  56. 56.주어진 회로는 어떤 종류의 발진기인가?

    1. ①colpitts 발진기
    2. ②hartley 발진기
    3. ③wien bridge 발진기
    4. ④phase-shift 발진기
  57. 57.수정발진기에서 안정된 발진을 유지할 수 있는 주파수 범위는? (단, fs : 수정자체의 직렬공진 주파수, fp : 전극용량을 포함한 병렬공진 주파수)

    1. ①fs < f < fp
    2. ②f > fs > fp
    3. ③f < fs < fp
    4. ④fs > f > fp
  58. 58.다음 회로에서 A = C = 8Volts, B = 0Volts 일 때 출력 전압 VO 는?

    1. ①-4[V]
    2. ②-5[V]
    3. ③-8[V]
    4. ④-10[V]
  59. 59.다음 회로 Qn = 0 인 상태에서 S = 1, R = 0이 가해지면 그 직후의 출력은?

    1. ①Q = 1,
    2. ②Q = 0,
    3. ③Q = 1,
    4. ④Q = 0,
  60. 60.다음 회로는 연산증폭기를 사용한 윈 브리지 발진회로를 나타내고 있다. 발진주파수는?

    1. ①1/2πRC
    2. ②
    3. ③
    4. ④
  61. 61.열평형 상태에서 pn 접합 전류가 0 이라면, 그 의미는?

    1. ①전위장벽이 없어졌다.
    2. ②접합을 흐르는 다수 캐리어가 없다.
    3. ③접합을 흐르는 소수 캐리어가 없다.
    4. ④접합을 흐르는 소수 캐리어와 다수 캐리어가 같다.
  62. 62.캐리어의 확산 길이는?

    1. ①캐리어의 이동도에만 의존한다.
    2. ②캐리어의 수명 시간에만 의존한다.
    3. ③캐리어의 확산 계수에만 의존한다.
    4. ④캐리어의 확산 계수와 수명 시간에 따라 변한다.
  63. 63.pn 접합에 역바이어스 전압을 걸어주면 어떠한 현상이 일어나는 가?

    1. ①이온화가 증가한다.
    2. ②접합면의 정전용량이 증가한다.
    3. ③접합면의 장벽 전위가 낮아진다.
    4. ④접합면의 공간 전하용량이 증가한다.
  64. 64.전계에 의한 전자 또는 정공의 흐름에 의한 전류는?

    1. ①확산 전류
    2. ②드리프트 전류
    3. ③차단 전류
    4. ④포화 전류
  65. 65.500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④50
  66. 66.Hall 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?

    1. ①캐리어의 종류만을 구할 수 있다.
    2. ②캐리어 농도와 도전율을 알 수 있다.
    3. ③캐리어 종류와 도전율을 구할 수 있다.
    4. ④캐리어의 종류, 농도는 물론 도전율을 알 경우 이동도도 구할 수 있다.
  67. 67.PN 접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?

    1. ①Tunnel 다이오드
    2. ②Zener 다이오드
    3. ③Varistor
    4. ④Varactor 다이오드
  68. 68.트랜지스터의 고주파 특성으로서 차단 주파수 α는 무엇으로 결정되는가?

    1. ①컬렉터에 걸어주는 전압
    2. ②이미터에 걸어주는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
    3. ③베이스 폭의 자승에 반비례하고, 확산계수에 비례한다.
    4. ④베이스 폭에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.
  69. 69.반도체의 전자와 정공에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전자가 공유결합을 이탈하면 정공이 생성된다.
    2. ②전자의 흐름과 정공의 흐름은 반대이다.
    3. ③전자와 정공이 결합하면 에너지를 흡수한다.
    4. ④자유전자는 정공보다 이동도가 더 크다.
  70. 70.FET가 초퍼(Chopper)로서 적합한 이유는?

    1. ①전력 소모가 적다.
    2. ②대량 생산에 적합하다.
    3. ③입력 임피던스가 매우 높다.
    4. ④오프 셋(off set) 전압이 매우 작다.
  71. 71.열저자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?

    1. ①쇼트키 효과
    2. ②펠티어 효과
    3. ③지벡 효과
    4. ④홀 효과
  72. 72.균등 전계내의 전자의 운동에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①전자는 전계와 반대 방향의 일정한 힘을 받는다.
    2. ②전자의 운동 속도는 인가된 전위차 V의 제곱근에 반비례 한다.
    3. ③전계 E에 의한 전자의 운동 에너지는 [J]이다.
    4. ④전위차 V에 의한 가속전자의 운동 에너지는 eV[J]이다.
  73. 73.전류 제어용 소자는?

    1. ①3극 진공관
    2. ②접합 트랜지스터
    3. ③접합 전계효과 트랜지스터
    4. ④절연 게이트 전계효과 트랜지스터
  74. 74.0℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가? (단, 볼츠만 상수 K = 1.38×10-23 [J/K] 이다.)

    1. ①2.69×1025[m-3]
    2. ②7.2×1025[m-3]
    3. ③5.45×1020[m-3]
    4. ④11.4×1022[m-3]
  75. 75.트랜지스터의 동작 특성에 대해서 옳은 것은?

    1. ①컬렉터는 베이스 영역보다 불순물 농도가 높다.
    2. ②베이스 영역은 N형 반도체이어야 한다.
    3. ③베이스 영역은 소수캐리어의 확산거리에 비해서 좁아야 한다.
    4. ④컬렉터 접합은 순바이어스 되어야 한다.
  76. 76.n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?

    1. ①2극관
    2. ②3극관
    3. ③4극관
    4. ④5극관
  77. 77.접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?

    1. ①확산에 의해서
    2. ②드리프트에 의해서
    3. ③컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
    4. ④이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
  78. 78.전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
    2. ②금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
    3. ③금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
    4. ④금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량 보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Shottky 효과라 한다.
  79. 79.전계의 세기 E = 105 [V/m] 의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1600 [m/s2]
    2. ②1.602×10-14[m2]
    3. ③5.93×105[m2]
    4. ④1.75×1016[m2]
  80. 80.쉬뢰딩거(Schrodinger) 방정식에 관한 설명으로 잘못된 것은?

    1. ①전자의 위치 에너지가 0이라도 적용할 수 있다.
    2. ②전자의 위치를 정확히 구할 수 있다.
    3. ③깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자의 에너지는 양자화된다.
    4. ④깊은 전위장벽의 상자에 싸여 있는 전자에 대한 전자파는 정재파이다.
  81. 81.프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?

    1. ①레지스터 모드
    2. ②간접번지 모드
    3. ③상대번지 모드
    4. ④인덱스 어드레싱 모드
  82. 82.다음 중 순차 논리회로가 아닌 것은?

    1. ①전가산기(Full Adder)
    2. ②Master-Slave 방식의 JK 플립플롭
    3. ③8진 UP 카운터(Counter)
    4. ④4비트 시프트 레지스터
  83. 83.인터럽트를 발생하는 모든 장치들을 인터럽트의 우선 순위에 따라서 직렬로 연결하여 인터럽트의 우선순위를 처리하는 방법은?

    1. ①Handshaking 방식
    2. ②Daisy-Chain 방식
    3. ③우선순위 인코더 방식
    4. ④병렬 우선순위 인터럽트
  84. 84.다음 명령어의 형식에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①3-주소 명령어 형식은 세 개의 자료 필드를 갖고 있다.
    2. ②2-주소 명령어 형식에서는 연산 후에도 원래 입력 자료가 항상 보존된다.
    3. ③1-주소 명령어 형식에서는 연산 결과가 항상 누산기 (accumulator)에 기억된다.
    4. ④0-주소 명령어 형식을 사용하는 컴퓨터는 일반적으로 스택(stack)을 갖고 있다.
  85. 85.다음 주소 지정 방식 중 데이터 처리가 가장 신속한 것은?

    1. ①자료가 기억된 장소에 직접 혹은 간접으로 사상시킬 수 있는 주소가 기억된 장소에 사상시키는 주소
    2. ②주소에 상수 또는 레지스터에 기억된 주소의 일부분을 계산 또는 접속시켜서 사상시키는 주소
    3. ③명령어 내에 가지고 있는 데이터를 계산한 자료자신에 대하여 사상시키는 주소
    4. ④자료가 기억된 장소에 직접 사상시킬 수 있는 주소
  86. 86.순서도의 사용에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①프로그램 코딩의 직접적인 자료가 된다.
    2. ②프로그램의 내용과 일처리 순서를 파악하기 쉽다.
    3. ③프로그램 언어마다 다르게 표현되므로 공통적으로 사용할 수 없다.
    4. ④오류 발생 시 그 원인을 찾아 수정하기 쉽다.
  87. 87.직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?

    1. ①단순 방식(Simplex)
    2. ②반이중 방식(Half-Duplex)
    3. ③전이중 방식(Full-Duplex)
    4. ④해당하는 방식이 없다.
  88. 88.컴퓨터를 크게 세 부분으로 나눌 때 포함되지 않는 것은?

    1. ①중앙처리장치
    2. ②연산논리장치
    3. ③주기억장치
    4. ④입ㆍ출력장치
  89. 89.n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 적절히 나타낸 것은?

    1. ①-2n ~ 2n-1
    2. ②-2n-1 ~ 2n-1
    3. ③-2n-1 ~ (2n-1-1)
    4. ④-(2n-1-1) ~ (2n-1-1)
  90. 90.기억된 프로그램의 명령을 하나씩 읽고 해독하여 각장치에 필요한 지시를 하는 기능은?

    1. ①기억 기능
    2. ②연산 기능
    3. ③제어 기능
    4. ④입ㆍ출력 기능
  91. 91.마이크로컴퓨터의 구성에서 memory-mapped 입ㆍ출력과 isolated입ㆍ출력 방식에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①isolated 입ㆍ출력 버스 연결이 쉽다.
    2. ②memory-mapped 입ㆍ출력은 주기억공간을 최대로 활용할 수 있다.
    3. ③memory-mapped 입ㆍ출력은 메모리와 입ㆍ출력 번지 사이의 구별이 있다.
    4. ④memory-mapped 입ㆍ출력에는 입ㆍ출력 전용 명령어가 필요없다.
  92. 92.다음에 실행할 명령의 번지를 갖고 있는 레지스터는?

    1. ①program counter
    2. ②instruction register
    3. ③memory buffer register
    4. ④control address register
  93. 93.마이크로컴퓨터의 입ㆍ출력 전송 방법 중 Cycle stealing을 하는 방법은?

    1. ①CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 무조건 I/O 전송
    2. ②CPU 제어 입ㆍ출력 전송 중 조건부 I/O 전송
    3. ③I/O 장치 제어에 의한 인터럽트 방식
    4. ④I/O 장치 제어에 의한 DMA 방식
  94. 94.CPU는 4개의 사이클 반복으로 동작을 행한다. 이 중 4개의 사이클에 속하지 않는 것은?

    1. ①Fetch cycle
    2. ②Execute cycle
    3. ③Interrupt cycle
    4. ④Branch cycle
  95. 95.고급 언어로 작성된 프로그램을 컴퓨터가 이해할 수 있는 기계어로 번역해 주는 프로그램을 무엇이라고 하는가?

    1. ①컴파일러(Compiler)
    2. ②어셈블러(Assembler)
    3. ③유틸리티(Utility)
    4. ④연계 편집 프로그램
  96. 96.two address machine에서 기억 용량이 216 워드이고 워드 길이가 40bit 라면 이 명령형에 대한 명령코드는 몇 bit로 구성되는가?

    1. ①8
    2. ②7
    3. ③6
    4. ④5
  97. 97.어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?

    1. ①어셈블러
    2. ②인터프리터
    3. ③로더
    4. ④컴파일러
  98. 98.조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?

    1. ①분기형
    2. ②분류형
    3. ③루프형
    4. ④직선형
  99. 99.특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위하여 필요한 연산 방법은?

    1. ①Complement 연산
    2. ②OR 연산
    3. ③AND 연산
    4. ④MOVE 연산
  100. 100.캐시 메모리(cache memory)의 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①기억 용량은 작으나 속도가 아주 빠른 메모리이다.
    2. ②CPU가 주 메모리에 액세스할 때의 속도 차이를 줄이고 처리 효율을 높이기 위하여 사용한다.
    3. ③메모리에 저장된 항목을 쉽게 검색하기 위해 사용한다.
    4. ④주기억 장치보다 액세스 속도가 5-10배 정도 빠르다.