전자기사 · 2006

전자기사 (2006-09-10)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.진공 중에서 정전용량이 C0 [F]인 평행판콘덴서에 그림과 같이 판면적의 2/3에 비유전률 εS인 에보나이트판을 삽입하면 콘덴서의 정전용량은 몇 F가 되는가?

    1. ①C0/3
    2. ②2εSC0/3
    3. ③2εSC02
    4. ④

  2. 2.진공 중에 서로 떨어져 있는 두 도체 A, B 가 있다. 도체 A에만 1C의 전하를 줄 때 도체 A, B 의 전위가 각각 3V와 2V 이었다. 지금 A, B 에 각각 2C 및 1C 의 전하를 주면 도체 A의 전위는 몇 V인가?

    1. ①8
    2. ②9
    3. ③10
    4. ④11

  3. 3.콘덴서 간에 유전율 10-10 [F/m], 도전율 5×10-6 [℧/m]인 도전성 물질이 있을 때 정전용량이 10㎌ 이라면 콘덕턴스는 몇 ℧ 인가?

    1. ①0.5
    2. ②1
    3. ③1.5
    4. ④2

  4. 4.∇ × (∇ρ) = cur1(gradρ)의 값은?

    1. ①0
    2. ②-1
    3. ③1
    4. ④ρ

  5. 5.정전용량이 각각 C1, C2, 그 사이의 상호유도계수가 M인 절연된 두 도체가 있다. 두 도체를 가는 선으로 연결할 경우, 그 정전용량은 어떻게 표현되는가?

    1. ①C1 + C2 - M
    2. ②C1 + C2 + M
    3. ③C1 + C2 + 2M
    4. ④2C1 + 2C2 + M

  6. 6.전하 q[C]이 공기 중의 자계 H[AT/m]에 수직 방향으로 v[m/s]의 속도로 돌입하였을 때 받는 힘은 몇 N 인가?

    1. ①μ0qvH
    2. ②
    3. ③qvH
    4. ④qH/μ0v

  7. 7.다음 중 상자성체는?

    1. ①철(Fe)
    2. ②코발트(Co)
    3. ③백금(Pt)
    4. ④니켈(Ni)

  8. 8.진공 중에서 전기쌍극자 M, M으로부터 임의의 점 P까지의 거리 r, M 과 r 이 이루는 각을 θ라 하면 P 점에서 전계의 r 방향성분 Er과 θ 방향성분 Eθ 는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.반지름 a[m]인 2개의 원형 선조 루프가 ±Z 축상에 그림과 같이 놓여진 경우 I[A] 의 전류가 흐를 때 원형전류 중심축상의 자계 Hz [A/m] 는? (단, az, aø는 단위벡터이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.반지름이 a[m]이고, 두께 t[m]인 원판도체의 외부와 내부에 전하밀도 +σ[C/m2], -σ[C/m2]의 전하가 균일하게 분포되어 있다. 원판의 중심축상에서 중심으로부터 d[m]의 거리에 있는 점 P 의 전위는 몇 V 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  11. 11.전위함수 V = x2 + y2 [V]일 때 점(3,4)[m]에서의 등전위선의 반지름은 몇 m 이며, 전력선방정식은 어떻게 되는가?

    1. ①등전위선의 반지를 : 3, 전력선 방정식 :
    2. ②등전위선의 반지를 : 4, 전력선 방정식 :
    3. ③등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :
    4. ④등전위선의 반지를 : 5, 전력선 방정식 :

  12. 12.강자성체의 자속밀도 B의 크기와 자화의 세기 J의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?

    1. ①J는 B와 같다.
    2. ②J는 B보다 약간 작다.
    3. ③J는 B보다 약간 크다.
    4. ④J는 B보다 대단히 크다.

  13. 13.다음 식 중 틀린 것은?

    1. ①
    2. ②E = -grad V
    3. ③
    4. ④

  14. 14.E = (i + j2 + k3)[V/㎝] 로 표시되는 전계가 있다. 0.01μC의 전하를 원점으로부터 i3[m]로 움직이는데 필요한 일은 몇 J 인가?

    1. ①3×10-8
    2. ②3×10-7
    3. ③3×10-6
    4. ④3×10-5

  15. 15.Ωㆍsec와 같은 단위는?

    1. ①F
    2. ②F/m
    3. ③H
    4. ④H/m

  16. 16.대전된 도체의 표면 전하밀도는 도체표면의 모양에 따라 어떻게 되는가?

    1. ①곡률반경이 크면 커진다.
    2. ②곡률반경이 크면 작아진다.
    3. ③표면모양에 관계없다.
    4. ④평면일 때 가장 크다.

  17. 17.수직편파는?

    1. ①대지에 대해서 전계가 수직면에 있는 전자파
    2. ②대지에 대해서 전계가 수평면에 있는 전자파
    3. ③대지에 대해서 자계가 수직면에 있는 전자파
    4. ④대지에 대해서 자계가 수평면에 있는 전자파

  18. 18.그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은? (단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)

    1. ①E11 = 0, Dn1 = ρs
    2. ②E12 = 0, Dn2 = ρs
    3. ③E11 = E12, Dn1 = Dn2
    4. ④E11 = E12 = 0, Dn1 = Dn2 = 0

  19. 19.자장 내에 전하가 받는 힘에 대한 설명이 틀린 것은?

    1. ①자장에 전하의 이동속도에 따른 힘이 존재한다.
    2. ②자장에 놓여 진 도선전류가 흐르면 도선이 힘을 받는다.
    3. ③자장 내 전하가 받는 힘은 렌츠(Lentz)의 법칙에 따른다.
    4. ④전계와 자계가 공존하는 공간에서 전하가 받는 힘을 로렌츠(Lorentz)힘으로 표현된다.

  20. 20.단면적 s[m2], 단위 길이에 대한 권수가 n[회/m]인 무한히 긴 솔레노이드의 단위 길이당의 자기인덕턴스는 몇 H/m인가?

    1. ①μㆍsㆍn
    2. ②μㆍsㆍn2
    3. ③μㆍs2ㆍn2
    4. ④μㆍs2ㆍn

  21. 21.다음 중 e-atsinωt 의 라플라스 변환은?

    1. ①S + a/(S + a)2 + ω2
    2. ②ω/(S - a)2 + ω2
    3. ③ω/(S + a)2 + ω2
    4. ④ω/(S + a) + ω

  22. 22.t의 함수 f(t)가 f(t) = f(-t)의 조건을 만족할 때 f(t)는?

    1. ①기함수
    2. ②우함수
    3. ③정현대칭함수
    4. ④복소함수

  23. 23.그림과 같은 4단자 회로망의 임피던스 파라미터 Z11 은?

    1. ①Z11 = R1 + R3
    2. ②Z11 = R2 + R3
    3. ③Z12 = -R3
    4. ④

  24. 24.정 K형 저역통과 필터의 공칭 임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.임피던스 함수 로 표시되는 2단자 회로망을 도시하면?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.전기회로에서 일어나는 과도현상과 시정수와의 관계를 옳게 표현한 것은?

    1. ①과도현상과 시정수와는 관계가 없다.
    2. ②시정수가 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
    3. ③시정수의 역이 클수록 과도현상은 빨리 사라진다.
    4. ④시정수의 역이 클수록 과도현상이 오래 지속 된다.

  27. 27.내부저항 r[Ω]인 전원이 있다. 부하 R에 최대 전력을 공급하기 위한 조건은?

    1. ①r = 2R
    2. ②R = r
    3. ③R = r2
    4. ④R = r3

  28. 28.R = 20[Ω], L = 0.05[H], C = 1[㎌]인 RLC 직렬회로에서 Q는 약 얼마인가?

    1. ①25.2
    2. ②17.2
    3. ③15.2
    4. ④11.2

  29. 29.최대 눈금이 50[V]인 직류 전압계가 있다. 이 전압계를 사용하여 150[V]의 전압을 측정하려면 배율기의 저항은 몇 [Ω]을 사용하여야 하는가? (단, 전압계의 내부 저항은 5000[Ω]이다.)

    1. ①10000
    2. ②15000
    3. ③20000
    4. ④25000

  30. 30.다음 중 파형의 대칭성에 해당 되지 않는 것은?

    1. ①우함수
    2. ②기함수
    3. ③고조파 대칭
    4. ④반파 대칭

  31. 31.R-L-C 직렬회로가 유도성 회로일 때의 설명이 옳은 것은?

    1. ①전류는 전압보다 뒤진다.
    2. ②전류는 전압보다 앞선다.
    3. ③전류와 전압은 동위상이다.
    4. ④공진이 되어 지속적으로 발진한다.

  32. 32.필터의 차단 주파수는 출력 전압이 입력 전압의 몇 배인 주파수로 정의하는가?

    1. ①배
    2. ②배
    3. ③1/2배
    4. ④배

  33. 33.“회로망 중의 임의의 폐회로에 있어서 그 각지로(枝路)의 전압 강하의 총합은 그 폐회로 중의 기전력의 총 합과 같다.” 이와 관계되는 법칙은?

    1. ①플레밍의 법칙
    2. ②렌쯔의 법칙
    3. ③패러데이의 법칙
    4. ④키르히호프의 법칙

  34. 34.원점을 지나지 않는 원의 역 궤적은?

    1. ①원점을 지나는 원
    2. ②원점을 지나는 직선
    3. ③원점을 지나지 않는 원
    4. ④원점을 지나지 않는 직선

  35. 35.다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
    2. ②루프 해석법과 망로 해석법은 절점 해석법과는 달리 비평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.
    3. ③루프 해석법과 망로 해석법 및 절점 해석법 모두 비평면 회로에 대해서도 적용될 수 있다.
    4. ④루프 해석법과 절점 해석법은 망로 해석법과는 달리 평면 회로에 대해서만 적용될 수 있다.

  36. 36.그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

    1. ①중역 필터
    2. ②대역 필터
    3. ③저역 필터
    4. ④고역 필터

  37. 37.R-L-C 직렬회로에서 과도현상의 진동이 일어나지 않을 조건은?

    1. ①(R/2L)2 - 1/LC ＞ 0
    2. ②(R/2L)2 - 1/LC ＜ 0
    3. ③(R/2L)2 = 1/LC
    4. ④R/2L = 1/LC

  38. 38.시간 t에 대하여 그림과 같은 파형의 전류가 20[Ω] 저항에 흐를 때 소비전력이 100[W]이다. 이 전류를 가동 코일형 계기로 측정하면 약 몇 [A]를 나타내겠는가?

    1. ①0.79[A]
    2. ②1.58[A]
    3. ③2.24[A]
    4. ④3.16[A]

  39. 39.자계 코일에 권수 N = 2000회, 저항 R = 6Ω에서 전류 I = 10A 가 통과하였을 경우 자속 ø = 6×10-2 Wb 이다. 이 회로의 시정수는 몇 sec 인가?

    1. ①1
    2. ②2
    3. ③10
    4. ④12

  40. 40.두 코일 간의 유도 결합의 정도를 나타내는 결합계수 K에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①K=1은 상호 자속이 전혀 없는 경우이다.
    2. ②K=0은 유도 결합이 전혀 없는 경우이다.
    3. ③K=1은 누설 자속이 전혀 없는 경우이다.
    4. ④결합계수 K는 0과 1 사이의 값을 갖는다.

  41. 41.다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?

    1. ①AB
    2. ②
    3. ③
    4. ④AC

  42. 42.다음 중 직렬 전류 궤환 증폭기의 궤환 신호 성분은?

    1. ①전압
    2. ②전류
    3. ③전력
    4. ④임피던스

  43. 43.배타적 OR(Exclusive OR)와 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?

    1. ①플립플롭 회로
    2. ②래치 회로
    3. ③전 가산기 회로
    4. ④반 가산기 회로

  44. 44.다음 중 PLL 회로의 구성요소가 아닌 것은?

    1. ①Phase detector(위상 검파기)
    2. ②HPF(고역 통과 필터)
    3. ③VOD(전압 제어 발전기)
    4. ④Reference Oscillator(기준발진기)

  45. 45.트랜지스터의 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 20μA에서 150μA로 증가할 때 컬렉터 전류가 1mA에서 1.2mA로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?

    1. ①1.5
    2. ②1.8
    3. ③2.0
    4. ④2.2

  46. 46.다음 B급 푸시풀(Push-Pull) 증폭기의 특징이 아닌 것은?

    1. ①차단 상태 부근에 바이어스 되어 있다.
    2. ②트랜지스터의 비선형 특성에서 오는 일그러짐이 증가 한다.
    3. ③우수 고조파가 상쇄되어 일그러짐이 적다.
    4. ④B급이다, AB급으로 동작시킨다.

  47. 47.2진 디지털 부호에 따라서 반송파의 위상이 두 가지로 천이 되도록 하는 변조방식은?

    1. ①PSK 방식
    2. ②FSK 방식
    3. ③ASK 방식
    4. ④DPCM 방식

  48. 48.저주파 전력 증폭기의 출력 측 기본파 전압이 100[V], 제2 및 제3 고조파 전압이 각각 4[V]와 3[V]이면 이 경우의 왜율은?

    1. ①5%
    2. ②10%
    3. ③15%
    4. ④20%

  49. 49.다음 이상적인 연산증폭기의 특성이 아닌 것은?

    1. ①온도에 대하여 드리프트(drift)가 없는 특성을 가진다.
    2. ②대역폭(BW) = 0
    3. ③출력 저항(Ro) = 0
    4. ④전압이득 lAvl = ∞

  50. 50.그림에서 A는 반전 연산 증폭기이다. V1 - V0의 관계는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  51. 51.그레이 코드(Gray code) 1111을 2진수로 변환하면?

    1. ①1110
    2. ②1010
    3. ③1011
    4. ④1111

  52. 52.그림과 같은 논리회로를 간소화 하면?

    1. ①X = A + B + C
    2. ②X = B + C
    3. ③
    4. ④X = ABC

  53. 53.다음 중 연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

    1. ①적분 증폭기
    2. ②미분 증폭기
    3. ③아날로그 가산증폭기
    4. ④디지털 반가산증폭기

  54. 54.다음 표는 부궤환에 의한 입ㆍ출력 임피던스의 변화이다. ( )안의 보기 내용 중 옳지 않은 것은?

    1. ①① 증가
    2. ②② 감소
    3. ③③ 감소
    4. ④④ 증가

  55. 55.연산증폭기(op amp.)와 다이오드로 구성된 다음 그림과 같은 회로의 명칭은?

    1. ①진폭제한회로
    2. ②반파정류회로
    3. ③전파정류회로
    4. ④정현파-삼각파 변환회로

  56. 56.다음 중 Exclusive OR 회로에 대한 논리식이 아닌 것은? (단, Y는 출력이고, A와 B는 입력임)

    1. ①
    2. ②Y = A⊕B
    3. ③
    4. ④

  57. 57.다음 그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?

    1. ①동작점의 안정화
    2. ②주파수 대역폭 증대
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④출력증대

  58. 58.다음 중 가장 적당한 고주파 전력 증폭기는?

    1. ①A급 증폭기
    2. ②B급 증폭기
    3. ③C급 증폭기
    4. ④AB급 증폭기

  59. 59.전원 정류회로의 리플 함유율을 적게 하는 방법으로 옳지 않은 것은?

    1. ①입력측 평활용 콘덴서 정전 용량을 크게 한다.
    2. ②평활용 초크 코일의 인덕턴스를 크게 한다.
    3. ③출력측 평활용 콘덴서를 정전 용량을 작게 한다.
    4. ④교류 입력전원의 주파수를 높게 한다.

  60. 60.다음 중 고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, α0 : CB의 저주파 단락 전류 증폭률, β0 : CE의 저주파 단락 전류 증폭률)

    1. ①fs = β0ㆍfα
    2. ②fs = (1+α0)ㆍfα
    3. ③
    4. ④fβ = fα(1-β0)

  61. 61.다음 중 플라즈마(Plasma)와 같은 기체 상태의 경우 적용될 수 있는 분포식은?

    1. ①Schro dinger 방정식
    2. ②Maxwell-Boltzmann
    3. ③1차원의 Poisson 방정식
    4. ④Einstein 관계식

  62. 62.반도체 재료의 제조시 고유저항 측정을 가끔 하는 이유는?

    1. ①다결정 재료의 수명 시간을 결정하기 때문
    2. ②진성 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    3. ③불순물 반도체의 캐리어 농도를 결정하기 때문
    4. ④캐리어의 이동도를 결정하기 때문

  63. 63.다음 중 홀(hall) 효과와 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①고저항 측정기
    2. ②전류계
    3. ③자장계
    4. ④분압계

  64. 64.금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?

    1. ①열전자 방출
    2. ②냉음극 방출
    3. ③2차 전자 방출
    4. ④광전자 방출

  65. 65.평행판 A, B 사이의 거리가 1[㎝]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 약 몇 [sec]인가?

    1. ①3.37×10-7
    2. ②1.69×10-7
    3. ③1.69×10-8
    4. ④3.37×10-9

  66. 66.트랜지스터가 차단 영역에 있을 때 접합 면에 걸리는 전압은?

    1. ①EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 정바이어스
    2. ②EB 접합 : 정바이어스, CB 접합 : 역바이어스
    3. ③EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 역바이어스
    4. ④EB 접합 : 역바이어스, CB 접합 : 정바이어스

  67. 67.다음 중 물질을 구성하는 요소가 아닌 것은?

    1. ①전자
    2. ②양성자
    3. ③중성자
    4. ④쌍극자

  68. 68.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
    2. ②불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항 보다 크다.
    3. ③열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재격합률은 같다.
    4. ④캐리어의 재결합률은 전자와 홀의 농도에 비례한다.

  69. 69.다음 에너지 대역에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①전도대와 가전자대 사이 영역을 금지대라 한다.
    2. ②원자간 거리가 멀어져 고립되면 에너지 준위의 갈라짐이 발생한다.
    3. ③가전자로 채워져 있는 허용 에너지대를 가전자대라 한다.
    4. ④금지 대역폭(energy band gap)의 크기에 따라 도체, 반도체, 절연체로 구분한다.

  70. 70.다음 중 캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①확산계수와는 무관하다.
    2. ②캐리어의 이동도에만 관계있다.
    3. ③캐리어의 수명시간에만 관계있다.
    4. ④캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.

  71. 71.다음 중 Pauli 배타율 원리가 만족되는 분포 함수는?

    1. ①Maxwell-Boltzmann
    2. ②Fermi-Dirac
    3. ③Schro dinger
    4. ④Einstein

  72. 72.다음 중 에피텍셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  73. 73.Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?

    1. ①0V
    2. ②0.7V
    3. ③7V
    4. ④70V

  74. 74.다음 중 반도체의 저항이 온도에 의해 변화하는 소자는?

    1. ①Thermistor
    2. ②SCR
    3. ③TRIAC
    4. ④DIAC

  75. 75.다음 중 페르미-디락(Fermi-Dirac)의 분포함수는?

    1. ①f(E) = 1+e(E-E1)/KT
    2. ②f(E) = 1/(1+e(E-E1)/KT)
    3. ③f(E) = 1-e(E-E1)/KT
    4. ④f(E) = 1/(1-e(E-E1)/KT)

  76. 76.전자의 운동량(P)과 파장(λ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은? (단, h 는 Plank 상수)

    1. ①P = λh
    2. ②P = h/λ
    3. ③P = λ/h
    4. ④λ = 1/Ph

  77. 77.금속체 내에 있는 전자가 표면장벽을 넘어서 금속 밖으로 방출되기 위하여 필요한 최소의 에너지를 가리키는 것은?

    1. ①광 에너지
    2. ②운동 에너지
    3. ③페르미 준위
    4. ④일 함수

  78. 78.다음 중 이동도(μ)의 단위로 옳은 것은?

    1. ①cm/Vㆍs
    2. ②cm2/Vㆍ-s
    3. ③cm2/s
    4. ④cm/s

  79. 79.낙뢰와 같이 급격한 서지 전압(Surge Voltage)으로부터 회로를 보호하기 위하여 전원이 인가되는 초단에 주로 사용되는 소자는?

    1. ①서미스터
    2. ②바리스터
    3. ③쇼트키 다이오드
    4. ④제너 다이오드

  80. 80.전자가 외부의 힘(열, 빛, 전장)을 받아 핵의 구속력으로부터 벗어나 결정 내를 자유로이 이동할 수 있는 자유전자의 상태로 존재하는 에너지대는?

    1. ①충만대(filled band)
    2. ②가전자대(valence band)
    3. ③전도대(conduction band)
    4. ④금지대(forbidden band)

  81. 81.10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?

    1. ①2단
    2. ②4단
    3. ③8단
    4. ④10단

  82. 82.다음 중 어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?

    1. ①direct addressing
    2. ②indirect addressing
    3. ③relative addressing
    4. ④temporary addressing

  83. 83.다음 중 명령 fetch에 대한 동작 순서가 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  84. 84.다음 중 어드레싱 모드(addressing mode)에서 현재의 명령어 번지와 프로그램 카운터의 합으로 표시되는 방식은?

    1. ①direct addressing mode
    2. ②indirect addressing moded
    3. ③absolute addressing mode
    4. ④relative addressing mode

  85. 85.컴퓨터에서 물리적인 메모리 주소에 가상 메모리 주소를 배정하는 기법을 무엇이라 하는가?

    1. ①interrupt
    2. ②mapping
    3. ③merging
    4. ④overlapping

  86. 86.다음 중 순서도(Flow chart)작성 시 장점에 속하지 않는 것은?

    1. ①코딩하기가 쉽다.
    2. ②분석과정이 명료해 진다.
    3. ③라인 프린터의 속도가 신속하다.
    4. ④논리적 오차나 불합리한 점을 쉽게 발견할 수 있다.

  87. 87.다음 논리식을 간략화 한 것으로 옳은 것은?   

    1. ①A(B+C)
    2. ②(A+B)C
    3. ③1
    4. ④A+B+C

  88. 88.다음 중 소프트웨어적으로 인터럽트의 우선 순위를 결정하는 인터럽트 형식은?

    1. ①폴링 방법에 의한 인터럽트
    2. ②벡터 방식에 의한 인터럽트
    3. ③수퍼바이저 콜에 의한 인터럽트
    4. ④데이지체인 방법에 의한 인터럽트

  89. 89.다음 중 자기 보수성(Self-Complement)의 특징을 갖고 있는 코드는?

    1. ①Excess-3 code
    2. ②Gray code
    3. ③BCD code
    4. ④Parity code

  90. 90.다음 보기의 연산은?

    1. ①MOVE 연산
    2. ②Complement 연산
    3. ③AND 연산
    4. ④OR 연산

  91. 91.채널(channel)의 종류가 아닌 것은?

    1. ①counter channel
    2. ②selector channel
    3. ③multiplexer channel
    4. ④block multiplexer channel

  92. 92.숫자나 문자 등의 키보드(Keyboard) 입력을 2진 코드로 부호화하는데 사용될 수 있는 소자는?

    1. ①인코더(Encoder)
    2. ②디코더(Decoder)
    3. ③멀티플렉서(Multiplexer)
    4. ④디멀티플렉서(Demultiplexer)

  93. 93.흐름도(flowchart) 기호와 그 용도의 관계가 옳지 않은 것은?

    1. ①: 각종 처리되는 작용
    2. ②: 일반적인 입ㆍ출력 작용
    3. ③: 비교, 판단
    4. ④: 흐름의 중단된 부분 연결

  94. 94.중앙처리장치의 주요기능에 대한 내용 중 옳지 않은 것은?

    1. ①기억기능-레지스터(register)
    2. ②연산기능-연산기(ALU)
    3. ③전달기능-누산기(accumulator)
    4. ④제어기능-조합회로와 기억소자

  95. 95.연산자(operation)의 기능에 속하지 않는 것은?

    1. ①기억 기능
    2. ②제어 기능
    3. ③전달 기능
    4. ④함수연산 기능

  96. 96.다음 중 에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

    1. ①hamming code
    2. ②ring counter code
    3. ③gray code
    4. ④8421 code

  97. 97.순차접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?

    1. ①반도체 메모리
    2. ②자기드럼
    3. ③자기테이프
    4. ④자기디스크

  98. 98.ASCII 코드의 존(zone)비트와 디짓(digit)비트의 구성으로 옳게 표시한 것은?

    1. ①존 비트 : 4. 디짓 비트 : 3
    2. ②존 비트 : 3. 디짓 비트 : 4
    3. ③존 비트 : 4. 디짓 비트 : 4
    4. ④존 비트 : 3. 디짓 비트 : 3

  99. 99.프로그래밍 언어의 종류 중 객체 지향적인 프로그래밍 언어는?

    1. ①FORTRAN
    2. ②ALGOL
    3. ③어셈블리어
    4. ④C++

  100. 100.어셈블리 언어(Assembly Language)로 된 프로그램을 기계어(Machine Language)로 변환하는 것은?

    1. ①Compiler
    2. ②Transiator
    3. ③Assembler
    4. ④Language Decoder