전자기사 (2005-09-04)
총 100문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.그림과 같이 Gap의 단면적 S[m2]의 전자석에 자속밀도 B[Wb/m2]의 자속이 발생될 때 철편을 흡입하는 힘은 몇 N 인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
2.서로 멀리 떨어져 있는 두 도체를 각각 V1[V] ,V2[V] (V1>V2)의 전위로 충전한 후 가느다란 도선으로 연결 하였을 때 그 도선을 흐르는 전하 Q는 몇 C인가? (단, C1[F], C2[F]는 두 도체의 정전용량이라 한다)
- ①
- ②
- ③
- ④
3.간격에 비해서 충분히 넓은 평행판 콘덴서의 판사이에 비유전율 εs인 유전체를 채우고 외부에서 판에 수직 방향으로 전계 E0를 가할 때 분극전하에 의한 전계의 세기는 몇 V/m인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
4.벡터 포텐셜 A=-3xyzaX+2X2aY일 때 그 자속밀도 B는 얼마인가?
- ①B=(4x+3xz)aX-3xyaY
- ②B=-3xyaX+(4x+3xz)aY
- ③B=-3xyaY+(4x+3xz)aZ
- ④B=-3xyaY+3yzaX+(4x+3xz)aZ
5.직각좌표상의 점(0,1/5,0)에서의 의 발산을 구하면 얼마가 되겠는가?(단, r 은 구좌표계의 표시이다.)
- ①5
- ②25
- ③1/5
- ④1/25
6.단면적 3Cm2, 평균 반지름 30Cm 인 공심 트로이드에 권선수가 500인 코일을 감고 코일에 2a 의 전류를 흘렸더니 공심 트로이드의 자속이 2×10-7Wb 이었다면 공심트로이드의 자기저항은 몇 AT/Wb인가?
- ①3×109
- ②5×109
- ③7×109
- ④9×109
7.누설이 없는 콘덴서의 소모전력은 얼마인가? (단. C는 콘덴서의 정전용량, V 는 전압이다.)
- ①(1/2)CV2
- ②CV2
- ③∞
- ④0
8.한변의 길이가 3m인 정삼각형의 회로에 2A의 전류가 흐를 때 정삼각형 중심에서의 자계의 크기는 몇 AT/m 인가?
- ①1/π
- ②2/π
- ③3/π
- ④4/π
9.전류가 흐르고 있는 도체와 직각 방향으로 자계를 가하게 되면 도체 측면에 정,부의 전하가 생기는 것을 무슨 효과라 하는가?
- ①Thomson 효과
- ②Peltier효과
- ③Seebeck 효과
- ④Hall 효과
10.철궤도간 거리가 1.5m 이며 궤도는 서로 절연이 되어 있다. 열차가 매시 60km의 속도로 달리면서 차축이 지구자계의 수직분력 B=0.15×10-4Wb/m2을 절단할 때 두 궤도 사이에 발생하는 기전력은 몇 V인가?
- ①1.75×10-4
- ②2.75×10-4
- ③3.75×10-4
- ④4.75×10-4
11.전자유도 법칙에 관계가 가장 먼 것은?
- ①노이만의 법칙
- ②렌쯔의 법칙
- ③페러데이의 법칙
- ④암페어의 오른나사 법칙
12.코일로 감겨진 자기회로에서 철심의 투자율을 μ라하고 회로의 길이를 ℓ 이라 할 때 그 회로의 일부에 미소공극 l0를 만들어 주면 회로의 자기저항은 처음의 몇 배가 되는가? (단, l0≪l 즉, l-l0≒l이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
13.자기회로에 대한 키르히호프의 법칙에 대한 설명으로 가장 적당한 것은?
- ①임의의 결합점으로 유입하는 자속의 대수합은 0 이다.
- ②임의의 폐자로에서 자기저항ㅇ과 기자력의 대수합 은 0 이다.
- ③임의의 폐자로에서 자기저항과 기자력의 대수합은 0 이다.
- ④임의의 폐자로에서 자속과 기자력의 대수합은 0 이다
14.균일 분포전류 I[A] 가 반지름 a[m] 인 비자성 원형도체에 흐를 때 단위길이당 도체 내부의 인덕턴스는 몇 H/m인가? (단, 도체의 투자율은 μ0로 가정한다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
15.다음 사항 중 옳은 것은?
- ①지구 상공에는 대기가 전리되어 있어 전자와 이온으로 구성된 전리층이 있는데 A층, B층, C층, D층, E층, F층 등이 있다.
- ②지구상에서 전자파를 발산하면 파장이 긴 것일수록 전리층을 쉽게 벗어 날 수가 있다.
- ③장파는 주로 F층에서 반사되어 지구로 되돌아 온다.
- ④송신 안테나에서 방사되는 전자파는 직접파, 대지 반사파, 산악 회절파, 전리층 반사파 등으로 수신 안테나에 이른다.
16.정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전율 εr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF 가 되는가?
- ①2
- ②1/2
- ③4/3
- ④5/3
17.3개의 도체 a, b, c 가 있다. 도체 c 를 a 로 정전차폐했을 때의 조건은?
- ①a, b 사이의 유도계수는 0 이다.
- ②b, c 사이의 유도계수는 0 이다.
- ③b의 전하는 c의 전위와 관계가 있다.
- ④c의 전하는 b의 전위와 관계가 있다.
18.영역 1 의 자유공간에서 전파 Ei0[V/m]와 자파Hi0[A/m]가 비유전율 εr=3을 가진 유전체 영역으로 수직하게 입사하게 될 때 계면에서의 값으로 옳은 것은?
- ①반사 전파의 크기는 -0.268 Ei0이다.
- ②투과 전파의 크기는 0.732Ei0이다.
- ③반사 자파의 크기는 1.268Hi0이다.
- ④투과 자파의 크기는 1.268Hi0이다.
19.10mm의 지름을 가진 동선 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면에 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?
- ①7.85×1016
- ②20.45×1015
- ③31.25×1019
- ④50×1019
20.진공 중에 놓인 Q[C]의 전하에서 발산되는 전기력선의 수는?
- ①Q
- ②ε0
- ③Q/ε0
- ④ε0/Q
21.그림과 같은 선형 저항기에 나타나는 전압은?
- ①1[V]
- ②2[V]
- ③3[V]
- ④4[V]
22.다음 회로에서 전압전달비를 구하면?(단, S=jω)
- ①1/(RCS+1)
- ②R/(RCS+1)
- ③CS/(RCS+1)
- ④RCS/(RCS+1)
23.시간 a 만큼 옯겨진 그림고 같은 단위 계단 함수를 라플라스 변환하면?
- ①
- ②
- ③
- ④
24.R-L-C직렬공진회로에서 공진 주파수가 fr이고, 반전력 대역폭이 △f일 때 공진도 Qr은?
- ①
- ②
- ③
- ④
25.2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?
- ①Norton의 정리
- ②Thevenin의 정리
- ③치환정리
- ④중첩의 정리
26.그림고 같은 회로에서 테브난 등가 전압은?
- ①10.5V
- ②14V
- ③19.5V
- ④21V
27.다음 그림과 같은 4단자 회로의 어드미턴스 파라미터의 Y22는?
- ①Y1+Y2
- ②Y2+Y3
- ③Y3
- ④Y2
28.두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
- ①KㆍVㆍL → KㆍCㆍL
- ②테브낭 정리 → 노튼 정리
- ③전압원 → 전류원
- ④폐로전류 → 절점전류
29.단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?
- ①유효전력
- ②무효전력
- ③평균전력
- ④피상전력
30.저항 3Ω과 리액턴스 4Ω을 병렬 연결한 회로의 역률은?
- ①0.2
- ②0.4
- ③0.6
- ④0.8
31.그림과 같은 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
- ①L1+L2
- ②L1+L2-2M
- ③L1+L2+2M
- ④
32.그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치(rms)는?
- ①
- ②
- ③
- ④
33.수돈 4단자 회로망(또는 2단자 쌍 회로망)이 가역적이기 위한 조건이 바르지 못한 것은? (단, 다음의 그림에서 I1=Y11V1+Y12V2,-I2=Y21V1+Y22V2이고 V1과 I1에 관해서는 V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2이다.)
- ①Z12=Z21
- ②Y12=Y21
- ③AB-CD=1
- ④h12=-h21
34.R, L, C가 직렬로 연결될 때 공진현상이 일어날 조건은? (단, ω는 각 주파수이다.)
- ①
- ②
- ③
- ④
35.다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)
- ①삼각파
- ②구형파.
- ③톱니파
- ④정현파
36.의 라플라스 역변환은?
- ①2e-3t
- ②2e3t
- ③3e-2t
- ④3e2t
37.1 neper는 약 몇 dB인가?
- ①3.146
- ②8.686
- ③7.076
- ④6.326
38.S-평면상에 영점(0)과 극(X)이 다음과 같이 표현되는 함수는?
- ①단위계단함수
- ②sinωt
- ③e-atsinωt
- ④e-atcosωt
39.그림의 정현파에서 의 주기 T를 올바르게 표시한 것은?
- ①2πω
- ②2πf
- ③ω/(2π)
- ④(2π)/ω
40.대칭 4단자의 영상 임피던스는?
- ①
- ②
- ③
- ④
41.B급 푸시풀(Push-pull) 증폭기의 설명으로 옳은 것은?
- ①최대 효율은 π/4이다.
- ②컬렉터 효율이 A급보다 낮다.
- ③Cross-over 일그러짐이 제거된다.
- ④공급 전원을 흐르는 전류의 변동 폭이 매우 작다.
42.미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
- ①출력은 입력의 변화율에 반비례한다.
- ②출력은 입력읜 변화율에 비례한다.
- ③출력은 입력의 변화율에 무관하다.
- ④출렫은 입력의 변화율의 제곱에 비례한다.
43.다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?
- ①
- ②
- ③
- ④
44.그림에서 A는 연산 증폭기이다. V1=2[V], V2=4[V]일 때 Vo는?
- ①6[V]
- ②-2[V]
- ③2[V]
- ④8[V]
45.궤환 증폭기에서 무궤환시 전압 이득이 100이고, 고역 3[dB] 차다 s주파수가 15[kH] 일 때, 궤환시 전압 이득이 50이면 궤환시 고역 3[dB] 차단 주파수는?
- ①5 [kHz]
- ②10 [kHz]
- ③20 [kHz]
- ④30 [kHz]
46.B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?
- ①
- ②
- ③
- ④
47.턴-오프 시간(turn-off time)은?
- ①축척시간과 하강시간의 합이다.
- ②상승시간과 지연시간의 합이다.
- ③상승시간과 축척시간의 합이다.
- ④상승시간과 하강시간의 합이다.
48.FET의 핀치오프(Pinch-off) 전압에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①핀치오프 전업은 채널(Channel)이 완전히 막히는 상태에 이르는 전압이다.
- ②핀치오프 전압은 캐이러(Carrier)의 전하량에 반비례 한다.
- ③핀치오프 전압은 채널 폭의 자승에 비례한다.
- ④핀치오프 전압은 불순물 농도에 비례한다.
49.음귀환에 의한 입ㆍ출력 임피던스 변화의 설명 중 옳은 것은?
- ①직렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
- ②직렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
- ③병렬-전압 귀환 회로의 출력 임피던스는 증가한다.
- ④병렬-전류 귀환 회로의 입력 임피던스는 감소한다.
50.FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌 것은?
- ①입력 임피던스가 크다.
- ②진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
- ③이득×대역폭이 커서 고주파에서도사용하기 쉽다.
- ④오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.
51.베이스 저항에 큰 영향을 주는 것이 아닌 것은?
- ①이미터 접합의 바이어스 전압
- ②컬렉터 접합의 바이어스 전압
- ③베이스 영역의 불순물 전압
- ④베이스 영역의 폭
52.반파정류의 경우 출력파의 맥동율 rh와 전파정류의 경우 출력파의 맥동율 rf는 각각 약 얼마인가?
- ①rh=0.964, rf=0.482
- ②rh=0.846, rf=0.423
- ③rh=0.622, rf=0.311
- ④rh=1.21, rf=0.482
53.트랜지스터 컬렉터 누설 전류가 주위 온도 변화로 1.6[μA]로 증가되었을 때 컬렉터 전류의 변화가 1[mA]라 하면 안정률은 약 얼마인가?
- ①1
- ②6.3
- ③16
- ④10π
54.수정 발진기의 가장 중요한 특징으로 옳은 것은?
- ①발진조건을 만족하는 유도성 주파수 범위가 매우 넓다.
- ②발진주파수를 바꿀 때는 수정자체를 바꿀 필요가 없다.
- ③주파수 안정도가 높다.
- ④수정편의 Q가 매우 작다.
55.다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력 파형은?
- ①구형파형
- ②정현파형
- ③톱니파형
- ④ramp 파형
56.다음 회로의 트랜지스터를 근사적인 hwjd수 모델로 대치 했을 때 전압이득(Vo/Vs)으로 옳은 것은?
- ①-hieRL/(Rs+hfe)
- ②-hfeRL/(Rs+hie
- ③hieRL/(Rs-hfe)
- ④hfeRL/(Rs-hie)
57.그림과 같은 연산 증폭기에서 입력 바이어스 전류란?
- ①Vo=0일때(IB1+IB2)/2
- ②Vo=∞일때(IB1+IB2)/2
- ③Vo=0일때(IB1+IB2)
- ④Vo=∞일 때(IB1+IB2)
58.R=1[MΩ], C=1[μF]의 직렬회로에 V=10[V]를 공급할 때 1[sec]후의 VR양단 전압은?
- ①6.32[V]
- ②1[V]
- ③10[V]
- ④3.68[V]
59.Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①이득 감소
- ②sensitivity 감소
- ③대역폭 감소
- ④잡음 감소
60.그림과 같은 브리지 정류회로에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①RL에는 A쪽에거 B쪽으로 전류가 흐른다.
- ②RL에 흐르는 전류는 전파 정류된 파형이다.
- ③다이오드에 걸리는 역방향 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치의 2배에 가깝다.
- ④RL에 걸리는 전압 최대치는 T의 2차 전압 최대치에 가깝다.
61.터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터널링 (Tunnelling)은 언제 발생하는가?
- ①역방향에서만 발생
- ②정전압니 높을 때만 발생
- ③바이어스가 영 일 때 발생
- ④아주 낮은 전압에 이쓴 정방향에서 발생
62.페르미 디락 (Fermi-Dirac) 분포에 대한 설명 중 가장 옳지 않은 것은?
- ①고체내의 전자는 Pauli의 베타 원리의 지배를 받는다.
- ②대부분의 전자는 이 분포의 저에너지역에 조재한다.
- ③금속은 온도에 관계없이 무관한다.
- ④이 분포에 의하면, 도체가 가열될 때 저자는 분자 비열 용량에 거의 영향을 주지 않는다.
63.일 함수(Work function)의 설명중 옳지 않은 것은?
- ①금속의 종류에 따라 값이 다르다.
- ②일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
- ③표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
- ④전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.
64.일반적인 드리프트 트랜지스터 장ㆍ단점에 대한 설명 중 그 내용이 가장 부적당한 것은?
- ①컬렉터 용량이 감소한다.
- ②이미터 효율이 적어진다.
- ③이미터 용량이 증가한다.
- ④컬렉터 항복 전압이 낮아진다.
65.선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
- ①포화영역 부근에 세워져야 한다.
- ②차단영역 부근에 세워져야 한다.
- ③화성영역 부근에 세워지기만 하면 된다.
- ④차단영역과 포화역역 중간 지점에 세워져야 한다.
66.절대온도 0[° K]가 아닌 상태의 에너지 준위에서 입자의 점유율이 1/2이 되는 조건은?
- ①E=Ef
- ②E=(1/2)Ef
- ③E>Ef
- ④E<Ef
67.실리콘 단결정 반도체에서 P형 불순물로 적합하지 않은 것은?
- ①In
- ②Ga
- ③As
- ④B
68.원자의 성질로 4가지 양자수(n, l, m, s)로서 결정 되는 한개의 양자 상태에는 한 개만의 전자 밖에 들어갈 수 없다는 원리는?
- ①루더포드(Ruther ford)의 분사의 원리
- ②파우리(Pauli)의 베타 원리
- ③보어(Bohr)의 이론
- ④아인슈타인(Einstein)의 에너지 보전 법칙
69.캐리어의 확산 길이는 무엇에 의존하는가?
- ①반도체의 모양
- ②캐리어의 이동도에만 의존
- ③캐리어의 수명시간에만 의존
- ④캐리어의 이동도와 수명시간에 의존
70.서미스터(Thermistor)는 저항이 무엇에 대하여 비직선적으로 변하는 소자인가?
- ①전류
- ②전압
- ③주파수
- ④온도
71.이동도(mobility)에 관한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①이동도의 단위는 m2/Vㆍsec
- ②반도체에서 전자의 이동도는 정공의 이동도보다 크다.
- ③도전율이 크면 이동도도 크다.
- ④온도가 증가하면 이동도는 증가한다.
72.1 eV를 올바르게 설명한 것은?
- ①1개의 전자가 1J의 에너지를 얻는데 필요한 에너지이다.
- ②1개의 전자가 1cm의 간격을 옮기는데 필요한 전압이다.
- ③1개의 전자가 1V의 전위차 사이를 옮기는데 필요한 운동 에너지이다.
- ④1개의 전자가 1[m/sec]의 속도를 얻는데 필요한 에너지이다.
73.반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?
- ①원 운동
- ②불규칙 운동
- ③포물선 운동
- ④타원 운동
74.전자 수가 32인 원자의 가전자 수는?
- ①2개
- ②4개
- ③8개
- ④18개
75.JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①채널의 폭에 비례한다.
- ②재료의 비유전율에 반비례한다.
- ③채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.
- ④드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.
76.루비 레이저(ruby Laser)의 펌핑(pumping) 에너지는?
- ①광적 에너지인다.
- ②직류 전원이다.
- ③주파수가 낮은 교류 전원이다.
- ④자계 에너지이다.
77.진성 반도체에서 온도가 상승하면?
- ①반도체의 저항이 증가한다.
- ②원자의 에너지가 증가한다.
- ③정공이 전도대에 발생된다.
- ④금지대가 감소한다.
78.두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?
- ①홀(Hall) 효과
- ②광전(Photo) 효과
- ③지벡(Seebeck) 효과
- ④펠티어(Peltier) 효과
79.균일자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각 속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)
- ①
- ②
- ③
- ④
80.쌍극성 접합 트랜지스터(BJT)의 순방향 전류전달비αF가 0.98일 때 전류이득 βF는?
- ①40
- ②43
- ③46
- ④48
81.Channel 과 DMA에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①DMA는 하나의 인스트럭션으로 여러 블록을 입ㆍ출력 할 수 있다.
- ②DMA 방식은 CPU의 간섭없이 일련의 데이터를 기억장치와 직접 입ㆍ출력할 수있는 방식이다.
- ③Block multiplexer channel 은 여러개의 고속의 장치를 동시에 동작시킬 수 있다.
- ④Channel은 처리 속도가 빠른 CPU 와 처리속도가 늦은 입ㆍ출력 장치 사이에 발생된느 작업상의 낭비를 줄여 준다.
82.다음 중 프로그램 카운터가 명령의 번지 부분과 더해져서 유효 번지가 결정되는 주소 지정 방식은?
- ①상대 번지 모드
- ②직접 번지 모드
- ③인덱스 번지 모드
- ④베이스 레지스터 번지 모드
83.명령 인출 사이클(fetch cycle)에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
- ①machine cycle에 속한다.
- ②명령어를 해독하는 과정이 포함된다.
- ③반드시 execution cycle에서만 발생된다.
- ④program counter에서 주소가 MAR 로 전달된다.
84.흐름도 작성시 주의사항이 아닌 것은?
- ①모든 문장을 하나의 블록으로 상세히 그린다.
- ②되도록이면 선이 얽히지 않게 그린다.
- ③적당한 설명을 덧 붙인다.
- ④서브루틴은 따로 그린다.
85.논리 연산 중 마스트 동작은 어느 동작과 같은가?
- ①OR
- ②AND
- ③EX-OR
- ④NOT
86.다음 중 순서도(flowchart) 종류에 해당되지 않는 것은?
- ①시스템 순서도(system flowchart)
- ②실체 순서도(entity flowchart)
- ③상세 순서도(detail flowchart)
- ④개략 순서도(general flowchart)
87.다음의 구성은 무엇을 나타내는가?
- ①중앙처리장치
- ②산술논리연상장치
- ③제어장치
- ④입ㆍ출력 처리기
88.다음 중 부동소수점 표현의 수들 사이의 곱셈 알고리즘 과정에 해당되지 않는 것은?
- ①0인지 여부를 조사한다.
- ②가수의 위치를 조정한다.
- ③가수를 곱한다.
- ④결과를 정규화 한다.
89.수평형 제어 방식의 설명 중 옳지 않은 것은?
- ①성능의 향상을 꾀한다.
- ②주로 소형 계산기에서 채택하는 제어 방식이다.
- ③하나의 비트가 한 개의 마이크로 동작에 대응한다.
- ④제어 워드가 크므로 넓은 메모리 공간이 필요하다.
90.다음 제어기억 장치에서 주소를 결정하는 방법으로 옳지 않은 것은?
- ①제어 주소 레지스터의 내용을 하나씩 감소시킨다.
- ②마이크로 명령에서 지정하는 번지로 무조건 분기한다.
- ③상태 비트에 따른 조건부 분기를 한다.
- ④매크로 동작 비트로부터 ROM(제어기억장치)으로의 매핑
91.마이크로 프로그램의 설명 중 가장 적당한 것은?
- ①작은 보조기억장치에 저장된 프로그램이다.
- ②크기가 작은 프로그램을 말한다.
- ③컴퓨터에 하드웨어로 내장된 컴퓨터의 동작을 제어하기 위한 프로그램이다.
- ④마이크로 컴퓨터에서 사용되는 프로그램이다.
92.다음 그림은 어떤 컴퓨터 구조에 해당하는 것인가? (단,CU:control unit, PU:processor unit, MM: memory module, IS:instruction stream, DS: data stream)
- ①SISD 구조
- ②SIMD 구조
- ③MISD 구조
- ④MIMD 구조
93.흐름도(flowchart)에서 기호는?
- ①프로세스(process)
- ②판단(decision)
- ③시작, 끝(terminal)
- ④반복(repeat)
94.다음 불 대수 중 옳지 않은것은?
- ①A+0=A
- ②AㆍA=1
- ③
- ④
95.일반적으로 마이크로컴퓨터의 시스템 보드(System Board)상에 직접 연결되어 있지 않은 장치는?
- ①마이크로 프로세서(Micro Prcessor)
- ②ROM(Read Only Memory)
- ③RAM(Random Access Memory)
- ④하드 디스크(Hard Disk)
96.스택(stack) 구조가 갖는 명령 형식은?
- ①0-주소명령형식
- ②1-주소명령형식
- ③2-주소명령형식
- ④3-주소명령형식
97.다음의 어셈블리 프로그램을 실행하는 동작은?
- ①AND
- ②Exclusive OR
- ③NAND
- ④OR
98.다른 세가지와 그 값이 같지 않은 것은?
- ①2진수 101111
- ②8진수 57
- ③10진수 48
- ④OR
99.외부 인터럽트(External Interrupt) 발생 원인으로 볼 수 없는 것은?
- ①Machine Check Interrupt
- ②I/O Interrrupt
- ③Program Check Interrupt
- ④Time Out Interrupt
100.다음 그림과 같은 명령 형식에서 나타낼 수 있는 명령어와 주소의 수는?
- ①OP = 8, Address = 256
- ②OP = 16, Address = 512
- ③OP = 8, Address = 512
- ④OP = 16, Address = 256