전자산업기사 (2004-03-07)
총 80문항
정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.
1.그림과 같은 회로의 설명으로 옳은 것은?
- ①클리핑 회로이다.
- ②클램프 회로이다.
- ③진폭 제한 회로이다.
- ④양단 클리핑 회로이다.
2.트랜지스터 회로의 바이어스를 거는 방법은?
- ①베이스-이미터 사이는 역방향, 컬렉터-베이스 사이도 역방향
- ②베이스-이미터 사이는 역방향, 컬렉터-베이스 사이는 순방향
- ③베이스-이미터 사이는 순방향, 컬렉터-베이스 사이도 순방향
- ④베이스-이미터 사이는 순방향, 컬렉터-베이스 사이는 역방향
3.반송파 전력이 20[kW] 일 때 변조율 70[%]로 진폭 변조 하였다. 상측파대 전력은?
- ①20[kW]
- ②10[kW]
- ③4.9[kW]
- ④2.45[kW]
4.공통 컬렉터 증폭기(CC)의 특성 중 옳지 않은 것은?
- ①이미터 폴로어(Emitter Follower)라고도 부른다.
- ②전압 이득이 매우 크다.
- ③버퍼로 많이 사용된다.
- ④입력 저항이 크다.
5.다음의 연산증폭기를 사용한 회로에서 출력 Vo의 식은?
- ①
- ②
- ③
- ④
6.이상적인 연산 증폭기의 특성이 옳은 것은? (단, Ri는 증폭기의 입력 저항, Ro는 출력 저항을 의미한다.)
- ①Ri= ∞ , Ro= 0
- ②Ri= 0, Ro= ∞
- ③Ri= ∞ , Ro= ∞
- ④Ri= 0, Ro= 0
7.궤환 발진기의 발진 조건에 대한 설명 중 옳지 않은 것은? (단, A는 증폭도, β 는 궤환량이다. )
- ①정궤환을 이용한다.
- ②A의 위상 변화는 180° 이다.
- ③β 의 위상 변화는 180° 이다.
- ④궤환 이득 Aβ = 1 이며, 위상 변화는 180° 이다.
8.고주파 특성이 좋고 입력 임피던스가 작으며, 출력 임피던스가 큰 회로 방식은?
- ①cathode follower
- ②컬렉터 접지
- ③이미터 접지
- ④베이스 접지
9.반파 정류회로와 전파 정류회로의 전압 변동율을 각 각 A, B라 할 때 이의 관계는? (단, 부하의 조건은 같다.)
- ①A=B
- ②A>B
- ③A<B
- ④A와 B는 서로 무관하다.
10.부궤환 증폭기(negative feedback amplifier)의 장점이 아닌 것은?
- ①전력 효율이 개선된다.
- ②주파수 특성이 개선된다.
- ③일그러짐(distortion)이 감소한다.
- ④부하 변동에 의한 이득 변동의 감소로 증폭의 동작이 안정된다.
11.듀티 사이클(duty cycle)이 0.1이고, 주기가 40 ㎲인 펄스의 폭은?
- ①10 ㎲
- ②0.2 ㎲
- ③2 ㎲
- ④4 ㎲
12.다음 그림과 같은 다이오드 논리회로(logical circuit)는 어느 논리회로에 해당하는가? (단, 전압이 걸릴 때 "1", 걸리지 않을 때를 "0"으로 한다.)
- ①AND 회로
- ②OR 회로
- ③NOT 회로
- ④NOR 회로
13.다음 논리 게이트 중에서 출력 분기수(fan out)가 가장 큰 것은?
- ①DTL
- ②TTL
- ③RTL
- ④CMOS
14.J-K 플립-플롭에서 Jn=0, Kn=1일 때 클럭 펄스가 1이면 Qn+1의 출력 상태는?
- ①반전
- ②1
- ③0
- ④부정
15.레지스터를 구성하기 위해 가장 알맞은 회로는?
- ①D F/F
- ②가산기
- ③감산기
- ④디코더
16.전력 증폭기에서 출력 전류에 왜곡이 발생하지 않는 바이어스(Bias) 방식은?
- ①A급
- ②B급
- ③AB급
- ④C급
17.논리식 를 최소화 하면?
- ①A+B
- ②AB
- ③
- ④
18.고주파 트랜지스터에서 α 차단주파수 fα 와 β 차단주파수 fβ 의 관계식 중 옳은 것은? (단, C-B의 저주파 단락 전류 증폭률은 αo이다.)
- ①fα=(1-αo)fβ
- ②fα=(1+αo)fβ
- ③fβ=(1-αo)fα
- ④fβ=(1+αo)fα
19.소스와 접지 사이의 용량을 무시할 수 있는 낮은 주파수 범위에서 그림과 같은 회로의 출력 저항은? (단, 이다.)
- ①Ro = Rg
- ②Ro=1/gm
- ③Ro=gm/1+μ
- ④Ro=μ/1+μ
20.도면과 같은 차동증폭기에서 출력 전압(Vo)은?
- ①-1[V]
- ②-5[V]
- ③-7[V]
- ④-12[V]
21.역자성체 내에서 비투자율 μs는?
- ①μs≫1
- ②μs>1
- ③μs<1
- ④μs=1
22.이상적인 직류 전압원에 대한 설명 중 옳은 것은?
- ①이 소자는 선형 V-i 특성을 갖는 시변 소자이다.
- ②이 소자는 비선형 V-i 특성을 갖는 시변 소자이다.
- ③이 소자는 선형 V-i 특성을 갖는 시불변 소자이다.
- ④이 소자는 비선형 V-i 특성을 갖는 시불변 소자이다.
23.그림과 같이 무한 도체판으로부터 a[m] 떨어진 점에 +Q[C]의 점전하가 있을 때 2. 3. a[m]인 P점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
- ①
- ②
- ③
- ④
24.그림과 같은 이상 변압기(ideal transformer) M의 값은 몇 [H]인가? (단, L1=2[H], L2=8[H]이다.)
- ①2
- ②4
- ③8
- ④16
25.유전속의 분포가 그림과 같을 때 ε1과 ε2의 관계는?
- ①ε1 = ε2
- ②ε1 < ε2
- ③ε1 > ε2
- ④ε1 =ε2 = 0
26.자기 인덕턴스 L1, L2 가 각각 4[mH], 9[mH]인 두 코일이 이상결합(理想結合)되었다면 상호 인덕턴스 M은 몇 [mH]가 되는가?
- ①6
- ②6.5
- ③9
- ④36
27.그림과 같은 회로로 입력 파형을 미분하기 위한 입력파형의 주기 T와 회로의 시정수 RC 사이의 조건은?
- ①T≪ RC
- ②T ≫RC
- ③T = RC
- ④T ≤ RC
28.10[Ω]의 저항과 10[Ω ]의 리액턴스가 병렬로 연결되어 있을 때 역률은?
- ①1
- ②1/√2
- ③1/√3
- ④0
29.전극 간격 d[m], 면적 S[m2], 유전률 ε[F/m]이고 정전용량이 c[F]인 평행판콘덴서에 e = Em sinωt[V]의 전압을 가할 때의 변위전류는?
- ①ωc Em cosωt
- ②ωc Em sinωt
- ③1/ωcEm cosωt
- ④1/ωcEm sinωt
30.저항과 캐패시던스 직렬회로의 시정수는?
- ①R/C
- ②C/R
- ③RC
- ④/RC
31.진공 중에 무한장 직선전하가 단위길이당 λ[C/m]가 분포되어 있을 때 전하의 중심축에서 r[m] 떨어진 점의 전계의 크기는?
- ①거리의 제곱에 비례한다.
- ②거리의 제곱에 반비례한다.
- ③거리에 비례한다.
- ④거리에 반비례한다.
32.전류에 의한 자계의 발생 방향을 결정하는 법칙은?
- ①비오사바르의 법칙
- ②쿨롱의 법칙
- ③페러데이의 법칙
- ④암페어의 오른손 법칙
33.교류전압 100[V], 전류 20[A]로서 1.6[kW]의 전력을 소비하는 회로의 리액턴스는 몇 [Ω]인가?
- ①3
- ②4
- ③5
- ④10
34.유전율 ε[F/m], 고유저항 ρ[Ω·m]의 유전체를 삽입한 정전용량 C[F]인 콘덴서에 전압 V[V]를 걸었을 때의 그 중에 발생하는 열량은 몇 cal 인가?
- ①CV2/4.2ρɛ
- ②CV/4.2ρɛ
- ③CV2/8.4ρɛ
- ④ɛV/4.2ρC
35.sint의 Laplace 변환은?
- ①1/S+1
- ②S/S2+1
- ③1/S2+1
- ④S2/S2+1
36.하이브리드 G 파라미터와 임피던스 및 어드미턴스 파라미터와의 관계로서 옳은 것은?
- ①
- ②
- ③
- ④
37.비유전률이 9 인 유리(비자성체)에서의 고유 임피던스는 약 몇 Ω 인가?
- ①42
- ②84
- ③126
- ④377
38.다음은 단위 임펄스 함수(unit impulse function)δ (t)에 관련된 사항들이다. 옳지 않은 것은?
- ①폭은 거의 0이고, 높이는 거의 무한대가 되며 면적은 1이 되는 펄스이다.
- ②
- ③단위 램프 함수(unit ramp function)을 미분한 것이다.
- ④임의 회로망의 입력 전압으로 δ (t)를 가하면 출력 전압은 전압비 전달함수와 같게 된다.
39.전기력선의 성질 중 틀린 것은?
- ①진공 중에서 전기력선은 단위전하에서 1/εo개가 출입한다.
- ②전기력선은 도체 내부에서 연속적이다.
- ③전기력선 밀도는 전계의 세기와 같다.
- ④전기력선은 등전위면에 수직이다.
40.1차, 2차 코일의 자기인덕턴스가 각각 49mH, 100mH 결합계수 0.9일 때, 이 두 코일을 자속이 합하여지도록 같은 방향으로 직렬로 접속하면 합성 인덕턴스는 몇 mH 인가?
- ①212
- ②219
- ③275
- ④289
41.마이크로프로세서가 기억장치 및 입∙출력기기와 연결을 위해 가져야 할 것이 아닌 것은?
- ①데이터 버스
- ②어드레스 버스
- ③결합 버스
- ④제어선
42.어떤 컴퓨터의 명령어에서 OP 코드가 8비트라면 명령어의 최대 가지 수는 얼마나 되겠는가?
- ①257
- ②256
- ③255
- ④254
43.컴퓨터 시스템은 보통 1-Address Machine, 2-Address Machine, 3-Address Machine으로 나눈다. 이 때 구분의 기준이 되는 것은?
- ①Register의 수
- ②Operation의 수
- ③기억장치의 크기
- ④Operand 부분인 주소 부분
44.DMA 제어기의 구성과 관계없는 것은?
- ①daisy chain
- ②address register
- ③word count register
- ④control register
45.10진수 1234를 BCD 코드로 표현한 것은?
- ①0001001000110100
- ②1110110111001011
- ③1001101001000000
- ④0110010110100001
46.다음에 읽어야 할 명령이 들어있는 어드레스를 기억하는 레지스터는?
- ①PC
- ②IR
- ③AC
- ④MAR
47.비가중치(non-weighted) 코드인 것은?
- ①8421 코드
- ②Biquinary 코드
- ③2-out-of-5 코드
- ④2421 코드
48.프로세서 제어를 통하지 않고 기억장치와 입∙출력장치의 사이에서 직접 데이터를 전송하는 입∙출력 제어 방식은?
- ①프로그램 제어
- ②DMA 제어
- ③인터럽트 제어
- ④무조건 전송 방식
49.서브루틴을 호출할 때 복귀 주소(Return address)를 기억하는데 주로 사용되는 것은?
- ①스택
- ②상태 레지스터
- ③프로그램 카운터
- ④프로그램 상태 레지스터
50.다음 중 단항 연산자는?
- ①MOVE
- ②OR
- ③AND
- ④XOR
51.운영체제에 대한 설명으로 가장 옳은 것은?
- ①운영체제는 사용자 스스로 제공한다.
- ②프로그래머가 작성한 언어를 기계어로 번역하는 프로그램이다.
- ③어떤 용도를 위해 범용 프로그램과 사용자가 직접 작성한 프로그램을 말한다.
- ④컴퓨터 시스템의 효율성을 높이고, 사용자에게 편리를 제공하기 위한 소프트웨어 체제를 말한다.
52.입력 장치에 해당하지 않는 것은?
- ①Magnetic Disk
- ②Mouse
- ③Lightpen
- ④Plotter
53.가상 기억(Virtual Memory) 장치를 사용함으로써 얻을 수 있는 가장 주된 효과는?
- ①오버레이(overlay) 문제점을 해결
- ②프로그램의 고속 compile이 가능
- ③데이터의 고속 처리가 가능
- ④메모리 용량의 한계를 극복
54.2개 이상의 file을 하나의 file 로 만드는 순서도 기호 (▽)의 명칭은?
- ①SORT
- ②merge
- ③collate
- ④select
55.원시 프로그램을 기계어로 번역한 것을 무엇이라 하는가?
- ①연결 프로그램(Linkage program)
- ②목적 프로그램(Object program)
- ③사용자 프로그램(User program)
- ④원시 프로그램(Source program)
56.주기억장치에서 기억된 명령을 해독하기 위하여 꺼내는 작업을 무엇이라고 하는가?
- ①fetch
- ②timing
- ③polling
- ④interrupt
57.2개의 자료 11101101과 01101111이 ALU에 의해서 AND 연산이 이루어졌을 때 그 결과는?
- ①11101111
- ②01101101
- ③10000010
- ④01111101
58.어떠한 명령(instruction)이 수행되기 위해서 가장 먼저 이루어져야 하는 마이크로 오퍼레이션은?
- ①PC → MAR
- ②PC+1 → PC
- ③PC → MBR
- ④MBR → IR
59.캐시(cache) 메모리에서 정보의 주소를 찾는 방법을 매핑(mapping)이라 할 때 가장 신속한 것은?
- ①허시 매핑 방식(hash mapping)
- ②직접 매핑 방식(direct mapping)
- ③연관 기억 장치(associative memory)
- ④프로그램 매핑 방식(program mapping)
60.정기적으로 refresh 신호를 가하면서 기억 내용을 보존해야 하는 반도체 기억소자는?
- ①EPROM
- ②PROM
- ③DRAM
- ④SRAM
61.VU계(meter)의 단위는?
- ①VU
- ②dB
- ③V-m
- ④dBm
62.Q-미터로 측정할 수 없는 것은?
- ①절연 저항
- ②용량
- ③주파수 저항
- ④코일의 Q
63.가동철편형 계기에서 주파수의 영향을 보상하기 위하여 직렬 저항에 병렬로 삽입한 콘덴서의 크기는?
- ①
- ②
- ③
- ④
64.그림의 회로에서 a, b 양단의 전압을 측정하니 V 볼트였다. 부하저항 R 값은? (단, E:전지전압 r:전지내부저항)
- ①
- ②
- ③
- ④
65.고주파 전압 측정에 이용되는 것은?
- ①레벨미터
- ②볼로미터
- ③Q미터
- ④전자 전압계
66.오실로스코프로 전압을 측정한 결과 진폭이 5cm[p-p]의 크기로 나타났다. 이 전압의 실효값은 약 얼마인가? (단, 오실로스코프의 편향감도는 1[mm/V] 이다.)
- ①17.7 [V]
- ②19.5 [V]
- ③25 [V]
- ④50 [V]
67.계수형 주파수계에서 Reset 회로의 역할은?
- ①Gate 시간을 조정한다.
- ②입력신호 레벨을 조정한다.
- ③각부의 오동작을 제거한다.
- ④계수하기 전에 계수부를 0으로 복귀시킨다.
68.헤테로다인 주파수계에서 Single beat 법보다 Double beat 법이 좋은 이유는?
- ①구조가 간단하다.
- ②취급이 용이하다.
- ③오차가 적다.
- ④측정 범위가 넓다.
69.전자회로의 주파수 특징을 시험하는데 관계없는 것은?
- ①오실로스코프
- ②스위프 신호 발생기
- ③마커 신호 발생기
- ④맥스웰 브리지
70.오실로스코프로 측정 불가능한 것은?
- ①전압
- ②변조도
- ③주파수
- ④코일의 Q
71.그림과 같은 브리지의 평형 조건은?
- ①
- ②
- ③
- ④
72.윈 브리지(wien bridge)로 측정할 수 있는 것은?
- ①역률
- ②정전 용량
- ③접지 저항
- ④코일의 자기인덕턴스
73.감도가 높고, 정밀한 측정을 요구하는 경우 사용하는 측정법 중 가장 적합한 것은?
- ①영위법
- ②편위법
- ③반경법
- ④직편법
74.셰링 브리지(Schering bridge)로 측정할 수 있는 것은?
- ①유전체 손실각
- ②철심의 와전류
- ③동선의 저항
- ④인덕턱스
75.지시 계기에서 제어 장치에 해당되는 것은?
- ①스프링 제어
- ②와류 제어
- ③액체 제어
- ④공기 제어
76.참값을 T, 측정값을 M 이라고 할 때 보정(α)을 나타내는 식은?
- ①α = M-T
- ②α = T-M
- ③α = T-M/M
- ④α = T-M/T
77.다음 저항 감쇠기 중 평형형은?
- ①L 형
- ②T 형
- ③H 형
- ④π 형
78.0과 1의 숫자로 표시된 양을 전압이나 전류로 고치는 변환기는?(단, D=Digital, A=Analog)
- ①A-D 변환기
- ②D-A 변환기
- ③A-A 변환기
- ④D-D 변환기
79.고주파 및 파형의 영향을 받지 않는 계기는?
- ①가동철편형
- ②전류력계형
- ③유도형
- ④열전대형
80.전류계가 50[A]를 지시하고 있을 때의 보정률이 +2[%]이면 정확한 값은?
- ①49 [A]
- ②50 [A]
- ③51 [A]
- ④52 [A]