전자기사 · 2004

전자기사 (2004-09-05)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.진공 중의 도체계에서 콘덴서 극판의 면적을 2배로 하면 정전용량은 몇 배로 되는가? (단, 극판 간격은 일정하다.)

    1. ①1/2배
    2. ②1/4배
    3. ③4배
    4. ④2배

  2. 2.다음 설명 중 잘못된 것은?

    1. ①적산전력계의 아라고판(Alago Plate)의 회전은 이동자계의 원리에 의한다.
    2. ②전자렌지(microwave oven)의 발열원리는 전자유도에 의한다.
    3. ③전자조리기의 발열원리는 전자유도에 의한다.
    4. ④토스터(toaster)기의 발열원리는 주울열에 의한다.

  3. 3.선밀도 λ[C/m]인 무한장 직선도체를 축으로 하는 반지름 a[m]인 원통면상의 전계는 몇 V/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.평균 자로의 길이가 10cm, 평균 단면적이 2cm2 인 원형 솔레노이드의 자기인덕턴스를 1.2mH 정도로 하고자 한다. 여기에 필요한 권선수로 가장 적당한 것은?(단, 철심의 비투자율은 15000 으로 한다.)

    1. ①6
    2. ②12
    3. ③24
    4. ④29

  5. 5.두 도체판이 직각으로 교차하고 있는 경우의 전계는 W=Z2의 변환으로 구해지는 바 이 때에 그림과 같은 W평면상의 등전위면 V 및 전기력선 U를 Z평면에 옳게 나타낸 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.그림과 같이 단면적이 균일한 환상철심에 권수 N1인 A코일과 권수 N2 인 B코일이 있을 때 A코일의 자기인덕턴스가 L1[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스 M 은 몇 H 인가? (단, 누설자속은 0 이라고 한다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  7. 7.Z = 0 인 평면상에 한변이 2a[m]인 정사각형에 선전류I[A]가 반시계 방향으로 그림과 같이 흐를 때 정사각형의 중심점 C 의 자계의 세기 H 는 몇 A/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  8. 8.최대 전계 Em = 6V/m인 10MHz의 평면파가 자유공간을 전파할 때 평균 포인팅 벡터의 크기는 몇 W/m2 인가?

    1. ①4.77×10-2
    2. ②4.77×10-3
    3. ③9.54×10-2
    4. ④9.54×10-3

  9. 9.보기항 중 다른 세개와 차원식이 틀린 것은?(단, E : 전계의 세기, H : 자계의 세기, K: 도전률, i : 전류밀도, A : 자계의 벡터포텐샬이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.무한히 긴 직선전류에 의한 자계의 세기[AT/m]를 구하는 식은?(단, r : 반지름, I : 전류이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  11. 11.자기회로의 퍼미언스(permeance)에 대응하는 전기회로의 요소는?

    1. ①도전률
    2. ②콘덕턴스
    3. ③정전용량
    4. ④엘라스턴스

  12. 12.유전률 ε, 전계의 세기 E 인 유전체의 단위체적에 축적되는 에너지는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.자속밀도10Wb/m2의 자계 중에 10cm의 도체를 자계와 30도의 각도로 30m/s로 움직일 때, 도체에 유기되는 기전력은 몇 V 인가?

    1. ①15
    2. ②15√3
    3. ③1500
    4. ④1500√3

  14. 14.자유공간 중에서 점 P(2,-4,5)가 도체면상에 있으며 이 점에서 전계 E = 3ax - 6ay + 2az[V/m]이다. 도체면에 법선성분 En 및 접선성분 Et의 크기는 몇 V/m 인가?

    1. ①En = 3, Et = -6
    2. ②En = 7, Et = 0
    3. ③En = 2, Et = 3
    4. ④En = -6, Et = 0

  15. 15.길이 10cm, 단면의 반지름이 1cm인 원통형 자성체가 길이방향으로 균일하게 자화되어 있을 때 자화의 세기가 0.5Wb/m2 이라면 이 자성체의 자기모멘트는 몇 Wb·m 인가?

    1. ①1.57×10-5
    2. ②1.57×10-4
    3. ③1.57×10-3
    4. ④1.57×10-2

  16. 16.자기유도계수(self inductance)를 구하는 방법이 아닌것은?

    1. ①자기에너지법
    2. ②자속쇄교법
    3. ③벡터포텐셜법(Vector Potential Method)
    4. ④스칼라포텐셜법(Scalar Potential Method)

  17. 17.그림과 같은 평등 전계내에 유전체구가 있을 때 구내의 전계의 세기는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.전기력선의 성질에 대하여 틀린 것은?

    1. ①전하가 없는 곳에서 전기력선은 발생, 소멸이 없다.
    2. ②전기력선은 그 자신만으로 폐곡선이 되는 일은 없다.
    3. ③전기력선은 등전위면과 수직이다.
    4. ④전기력선은 도체내부에 존재한다.

  19. 19.유전률이 각각 ε1, ε2인 두 유전체가 접한 경계면에서 전하가 존재하지 않는다고 할 때 유전률이 ε1인 유전체에서 유전률이 ε2인 유전체로 전계 E1이 입사각θ1=0°로 입사할 경우 성립되는 식은?

    1. ①E1=E2
    2. ②E1=ε1ε2E2
    3. ③
    4. ④

  20. 20.그림과 같은 쌍극자에 의한 P점의 전위는 몇 V 인가? (단, 쌍극자 모멘트 M = Qℓ[C·m]라 하며, 길이의 단위는 m 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  21. 21.R-L 직렬회로의 과도응답에서 감쇠율은?

    1. ①R/L
    2. ②L/R
    3. ③R
    4. ④L

  22. 22.2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?

    1. ①-3
    2. ②0
    3. ③-1, -2, -3
    4. ④-1, -2

  23. 23.역률 80[%], 부하의 유효전력이 80[kW]이면 무효전력은?

    1. ①20 [K Var]
    2. ②40 [K Var]
    3. ③60 [K Var]
    4. ④80 [K Var]

  24. 24.리액턴스 함수가 로 표시되는 리액턴스 2단자 망은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.다음 회로가 주파수에 무관한 정저항 회로가 되기 위한 R의 값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  26. 26.다음 회로의 영상 임피던스 Z01 은 약 얼마인가?

    1. ①4Ω
    2. ②6Ω
    3. ③5.2Ω
    4. ④7.4Ω

  27. 27.12개의 가지와 5개의 마디로 구성된 그래프의 나무가지(tree branch)의 수는?

    1. ①2
    2. ②3
    3. ③4
    4. ④5

  28. 28."2개 이상의 전원을 포함하는 선형 회로망에서 회로 내의 임의의 점의 전류 또는 임의의 2점간의 전압은 각 각의 전원에 대해서 해석하여 합한다."라는 회로망 정리는?

    1. ①노톤 정리
    2. ②보상 정리
    3. ③테브난 정리
    4. ④중첩의 정리

  29. 29.정현파 전압의 진폭이 Vm이라면 이를 반파 정류했을 때의 평균값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  30. 30.다음 회로의 어드미턴스 파라미터 Y11은 얼마인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  31. 31.회로에 흐르는 전류 I는? (단, E: 100[V], ω : 1,000[rad/sec] )

    1. ①8.95
    2. ②7.24
    3. ③4.6
    4. ④3.5

  32. 32.이상변압기 두 코일의 권선비는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  33. 33.인 파형의 주파수는 약 얼마인가?

    1. ①60 ㎐
    2. ②120 ㎐
    3. ③311 ㎐
    4. ④377 ㎐

  34. 34.이상적인 전류원의 내부 임피던스 Z는?

    1. ①Z=0
    2. ②Z=∞
    3. ③Z=1[Ω]
    4. ④Z는 정해지지 않는다.

  35. 35.ABCD 파라미터에서 단락 역방향 전달 임피던스는?

    1. ①A
    2. ②B
    3. ③C
    4. ④D

  36. 36.f(t)=sint cost의 Laplace 변환은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  37. 37.그림의 회로에서 독립적인 전류방정식 N과 독립적인 전압 방정식 B는 몇 개인가?

    1. ①N＝2, B＝3
    2. ②N＝1, B＝2
    3. ③N＝2, B＝2
    4. ④N＝3, B＝2

  38. 38.RL 병렬회로에서, 일정하게 인가된 정현파 전류의 위상 θ 에 대하여 저항에 흐르는 전류 위상 θ1과 인덕터에 흐르는 전류 위상 θ2을 나타낸 것으로 올바른 것은?

    1. ①θ ＜ θ1 ＜ θ2
    2. ②θ2 ＜ θ1 ＜ θ
    3. ③θ2 ＜ θ ＜ θ1
    4. ④θ1 ＜ θ ＜ θ2

  39. 39.4단자 회로망에서 파라미터 사이의 관계로 옳은 것은?

    1. ①
    2. ②h22=Z22
    3. ③
    4. ④

  40. 40.R-C 직렬회로에 일정 전압 E[V]를 인가하고, t=0에서 스위치를 ON한다면 콘덴서 양단에 걸리는 전압 VC 는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  41. 41.그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?

    1. ①R-C
    2. ②브리지
    3. ③콜피츠
    4. ④하트레이

  42. 42.트랜지스터를 베이스 접지에서 이미터 접지로 했더니 ICEO가 50배가 되었다. 트랜지스터의 β 는?

    1. ①49
    2. ②50
    3. ③59
    4. ④120

  43. 43.Push-Pull 증폭기가 단일 Transistor 증폭기에 비해 그 장점을 잘못 설명한 것은?

    1. ①전원의 맥동에 의한 잡음제거
    2. ②양극 효율 증대
    3. ③기수고조파에 의한 일그러짐의 감소
    4. ④Push-Pull 증폭기의 큰 출력

  44. 44.트랜지스터의 컬렉터 누설전류가 주위 온도 변화로 20㎂에서 150㎂로 증가할 때 컬렉터 전류가 1㎃에서 1.2㎃로 되었다면 안정도 S는 약 얼마인가?

    1. ①1.5
    2. ②1.8
    3. ③2.0
    4. ④2.2

  45. 45.부궤환 증폭기에서 개방 루프 전압이득 변화범위가 Av =1,000±100인 경우 궤환 전압이득의 변화가 ±0.1%이하로 유지하려면 궤환 계수β의 값을 얼마로 하면 되는가?

    1. ①0.099
    2. ②1.38
    3. ③1.87
    4. ④3.67

  46. 46.트랜지스터의 고주파 특성으로 차단주파수 fα는?

    1. ①베이스 폭의 자승에 반비례하고, 정공의 확산 정수에 비례한다.
    2. ②정공의 확산 정수에 반비례한다.
    3. ③베이스 주행 시간에 비례한다.
    4. ④베이스 폭의 자승에 비례한다.

  47. 47.전가산기 회로(full adder)는?

    1. ①입력 2개, 출력 4개로 구성
    2. ②입력 2개, 출력 3개로 구성
    3. ③입력 3개, 출력 2개로 구성
    4. ④입력 3개, 출력 3개로 구성

  48. 48.부궤환 증폭기의 특성으로 옳지 않은 것은?

    1. ①잡음이 1/1-β A 만큼 감소한다.
    2. ②이득이 1/1-β A로 감소한다.
    3. ③주파수 대역이 1/1-β A로 좁아진다.
    4. ④안정도가 1/1-β A 만큼 개선된다.

  49. 49.논리 회로의 출력은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  50. 50.다음 회로의 진리표를 갖는 논리회로는?

    1. ①NAND
    2. ②Exclusive OR
    3. ③NOR
    4. ④full adder

  51. 51.궤환 회로를 포함한 직렬형 정전압 회로의 특징을 잘못 기술한 것은?

    1. ①부하가 가벼울 때의 효율은 병렬형에 비하여 휠씬 크다.
    2. ②출력 전압의 넓은 범위에 걸쳐 쉽게 설계할수 있다.
    3. ③증폭단을 증가시킴으로써 출력저항을 크게할수 있다.
    4. ④증폭단을 증가시킴으로써 전압안정 계수를 매우 작게 할수 있다.

  52. 52.그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단,β =100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임.)

    1. ①0.2 [㎃]
    2. ②0.5 [㎃]
    3. ③5 [㎃]
    4. ④20 [㎃]

  53. 53.P채널 전계효과 트랜지스터(FET)에 흐르는 전류는 주로 어떤 현상인가?

    1. ①전자의 확산현상
    2. ②정공의 확산현상
    3. ③전자의 드리프트(drift)현상
    4. ④정공의 드리프트(drift)현상

  54. 54.다음 궤환 발진기의 발진조건(barkhausen)을 나타낸 식이다. A가 발진기 회로에 들어 있는 증폭기의 증폭도, β 가 궤환량을 나타낼 때 옳은 식은?

    1. ①β A=0
    2. ②β A=1
    3. ③β A＜∞
    4. ④β A＞1

  55. 55.어떤 파형의 상부와 하부의 두 레벨을 동시에 잘라내어 입력 파형의 극히 좁은 레벨을 꺼내는 회로는?

    1. ①클리퍼
    2. ②리미터
    3. ③슬라이서
    4. ④클램퍼

  56. 56.소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?

    1. ①60.6
    2. ②70.7
    3. ③75.5
    4. ④78.5

  57. 57.커패시터 필터를 가진 전파 정류 회로에서 맥동 전압을 나타낸 설명 중 옳은 것은?

    1. ①맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 반비례한다.
    2. ②맥동 전압은 콘덴서 용량 C에만 반비례한다.
    3. ③맥동 전압은 부하 저항 및 콘덴서 용량 C에 비례한다.
    4. ④맥동 전압은 용량 C에만 반비례하고, 부하저항과는 관계가 없다.

  58. 58.고주파 트랜지스터에서 fα 와 fβ 의 관계식은? (단, αo: CB의 저주파 단락 전류 증폭률, βo: CE의 저주파 단락 전류 증폭률)

    1. ①fβ = βofα
    2. ②fβ = (1 + αo) fα
    3. ③
    4. ④fβ = fα (1 - βo)

  59. 59.다음 설명 중 옳은 것은?

    1. ①FM은 진폭을 변화시키는 진폭 변조이다.
    2. ②각 변조에는 주파수 변조와 위상 변조 방식이 있다.
    3. ③진폭 변조의 변조 입력은 반송파의 진폭과는 관계없다.
    4. ④안테나를 통해 전파를 송출, 수신하는 경우 주파수가 높을수록 안테나 길이가 커야 한다.

  60. 60.B급 증폭기에서 컬렉터 전류는 얼마동안 흐르게 되는가?

    1. ①반주기 동안
    2. ②한주기 동안
    3. ③반주기 이하
    4. ④한주기와 반주기 사이

  61. 61.베이스 접지전류 증폭율이 0.98일 때 이미터 접지 전류 증폭율은?

    1. ①20
    2. ②39
    3. ③40
    4. ④49

  62. 62.반도체(Semiconductors)에 관한 설명 중 서로 옳지 않은 것은?

    1. ①열전대 - Seebeck 효과
    2. ②홀 발진기 - 자기 효과
    3. ③전자 냉각 - Peltier 효과
    4. ④광전도 셀 - 외부 광전 효과

  63. 63.캐리어의 확산 거리에 대한 설명으로 옳은 것은?

    1. ①확산계수와는 무관하다.
    2. ②캐리어의 이동도에만 관계있다.
    3. ③캐리어의 수명시간에만 관계있다.
    4. ④캐리어의 수명시간과 이동도에 관계있다.

  64. 64.P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)

    1. ①
    2. ②
    3. ③Na-ηi
    4. ④Na+ηi

  65. 65.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①진성반도체에서 전자의 밀도와 정공의 밀도는 같다.
    2. ②불순물 반도체의 고유저항은 진성반도체의 고유저항보다 크다.
    3. ③열적 평형상태에서 전자와 정공의 열적 생성과 재결합율은 같다.
    4. ④캐리어의 재결합율은 전자와 홀의 농도에 비례한다.

  66. 66.반도체의 특성에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①온도에 의해 도전율이 현저하게 변화한다.
    2. ②불순율이 증가하면 고유 저항이 증가한다.
    3. ③미량의 불순물을 첨가하면 도전율은 거의 비례하여 증가한다.
    4. ④홀 효과가 크다.

  67. 67.Pauli의 배타율 원리를 만족하는 분포 함수는?

    1. ①Fermi-Dirac 분포
    2. ②Bose-Einstein 분포
    3. ③Shrodinger 파동방정식
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포

  68. 68.사이리스터(thyristor)의 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①게이트 단자가 있다.
    2. ②두 가지의 안정 상태를 가진다.
    3. ③이중 베이스를 가지고 있다.
    4. ④3개 또는 그 이상의 PN접합으로 이루어진다.

  69. 69.진성반도체에 있어서 전도대의 전자밀도 n은 에너지gap Eg의 크기에 따라 변한다. 다음 중 옳은 것은?

    1. ①n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 증가한다.
    2. ②n은 Eg의 증가에 지수 함수적으로 감소한다.
    3. ③n은 Eg에 반비례한다.
    4. ④n은 Eg에 비례한다.

  70. 70.순수 반도체에서 온도가 상승하면?

    1. ①반도체의 저항이 증가한다.
    2. ②정공이 전도대로 이전한다.
    3. ③원자의 에너지가 증가한다.
    4. ④원자의 에너지가 감소한다.

  71. 71.과대 전류에 대한 보호용으로 사용되는 다이오드는?

    1. ①리드 다이오드
    2. ②제너 다이오드
    3. ③터널 다이오드
    4. ④온도형 다이오드

  72. 72.에피텍셜(epitaxial) 성장이란?

    1. ①다결정의 Ge 성장
    2. ②다결정의 Si 성장
    3. ③기판에 매우 얇은 단결정의 성장
    4. ④기판에 매우 얇은 다결정의 성장

  73. 73.진공속의 텅스텐(W) 표면에서 전자 1개가 방출하는데 최소한 몇 Joule의 에너지를 필요로 하는가? (단, 텅스텐의 일함수는 4.52[eV]이다.)

    1. ①4.52[J]
    2. ②18.127×10-18[J]
    3. ③11.602×10-19[J]
    4. ④7.24×10-19[J]

  74. 74.다음은 드브로이(de Broglie) 전자파의 파장 λ 를 나타내는 관계식이다. h에 가장 합당한 것은?

    1. ①일함수
    2. ②페르미(Fermi)의 상수
    3. ③프랭크(Plank)의 상수
    4. ④볼쯔만(Boltzmann)의 상수

  75. 75.트랜지스터의 평형 상태에 대한 설명으로 옳지않은 것은?

    1. ①세 단자가 접속되어 있는 상태이다.
    2. ②페르미 준위는 모든 곳에서 균일하다.
    3. ③트랜지스터가 열평형 상태인 경우이다.
    4. ④다수 캐리어의 확산 운동과 소수 캐리어의 드리프트 운동이 균형을 유지한 상태이다.

  76. 76.2중 베이스 다이오드(double base diode)는?

    1. ①역 다이오드
    2. ②쇼트키 다이오드
    3. ③UJT
    4. ④쇼클리 다이오드

  77. 77.어떤 도체의 단면을 1[A]의 전류가 흐를 때 이 단면을 0.01초 동안에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C]이다.)

    1. ①6.25×1016[개]
    2. ②6.25×1018[개]
    3. ③6.25×1020[개]
    4. ④6.25×1022[개]

  78. 78.빛의 파동성을 입증할 수 있는 근거는?

    1. ①산란 현상
    2. ②회절 현상
    3. ③광전 현상
    4. ④컴프턴(compton) 효과

  79. 79.진성반도체 Si가 300[°K]에서 저항율 636[Ωㆍm], 전자 및 정공의 이동도를 각각 0.25[m2/VㆍS], 0.15[m2/VㆍS]라 하면, 그 때의 전자 밀도는?(단, e=1.602×10-19[C])

    1. ①약 4.9×1016[개/m3]
    2. ②약 5.2×1015[개/m3]
    3. ③약 4.2×1014[개/m3]
    4. ④약 2.45×1016[개/m3]

  80. 80.평행판 A, B 사이의 거리가 1[cm]이며, 판 B에 대한 판 A의 전위는 +100[V]이다. 초기속도 0으로 판 B를 출발한 전자가 판 A에 도달하는데 걸리는 시간은 몇 [sec]인가?

    1. ①3.37×10-7
    2. ②1.69×10-7
    3. ③1.69×10-9
    4. ④3.37×10-9

  81. 81.전자계산기의 주요 장치를 설명한 것 중 옳지 않은 것은?

    1. ①연산장치 : 산술 및 논리연산을 처리한다.
    2. ②제어장치 : 기계어를 해석하는 기능을 갖고 있다.
    3. ③보조기억장치 : 데이터나 프로그램을 일시적으로 기억시킨다.
    4. ④입ㆍ출력장치 : 필요한 정보의 입ㆍ출력을 담당하는 장치이다.

  82. 82.다음에 실행할 명령의 번지를 갖고 있는 레지스터는?

    1. ①program counter
    2. ②instruction register
    3. ③memory buffer register
    4. ④control address register

  83. 83.서브 프로그램 호출을 구현하는데 많이 쓰이는 데이터 구조는?

    1. ①Queue
    2. ②Dequeue
    3. ③Linked list
    4. ④Stack

  84. 84.주소 설계시 고려해야 할 사항이 아닌 것은?

    1. ①주소를 효율적으로 나타낼 수 있어야 한다.
    2. ②주소공간과 기억공간을 독립시켜야 한다.
    3. ③사용자에게 사용하기 편리해야 한다.
    4. ④캐시 메모리가 있어야 한다.

  85. 85.다음 그림의 연산 결과를 올바르게 나타낸 것은?

    1. ①0001
    2. ②0101
    3. ③0111
    4. ④1111

  86. 86.단위 프로그램에서 동일한 기억 장소를 함께 사용하고 있는 다른 이름의 변수를 무엇이라고 부르는가?

    1. ①Alias
    2. ②Coroutine
    3. ③Overloading
    4. ④Side effect

  87. 87.IRG(Inter Record Gap)로 인한 기억공간의 낭비를 줄이기 위하여 물리적 레코드(record)를 만드는데 필요한 것은?

    1. ①버퍼링
    2. ②맵핑
    3. ③블록킹
    4. ④페이징

  88. 88.목적 프로그램을 생성하지 않는 방식은?

    1. ①interpreter
    2. ②compiler
    3. ③assembler
    4. ④micro-assembler

  89. 89.직렬 데이터 전송(Serial Data Transfer) 방식 중 양쪽 방향으로 동시에 데이터를 전송할 수 있는 방식은?

    1. ①단순 방식(Simplex)
    2. ②반이중 방식(Half-Duplex)
    3. ③전이중 방식(Full-Duplex)
    4. ④해당하는 방식이 없다.

  90. 90.컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?

    1. ①Interrupt
    2. ②Mapping
    3. ③Merging
    4. ④Overlapping

  91. 91.인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

    1. ①DMA
    2. ②Polling
    3. ③Daisy-Chain
    4. ④Vectored Interrupt

  92. 92.다음 보기의 주소지정방식은?

    1. ①자료자신(immediate addressing mode)
    2. ②직접주소지정방식(direct addressing mode)
    3. ③간접주소지정방식(indirect addressing mode)
    4. ④상대주소지정방식(relative addressing mode)

  93. 93.65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?

    1. ①6
    2. ②7
    3. ③8
    4. ④9

  94. 94.256kbits 용량의 DRAM을 8개 사용하여 2bytes KS 한글 코드를 몇 개나 기억 시킬 수 있는가?

    1. ①256
    2. ②128
    3. ③64
    4. ④32

  95. 95.에러를 찾아서 교정을 할 수 있는 코드는?

    1. ①hamming code
    2. ②ring counter code
    3. ③gray code
    4. ④8421 code

  96. 96.8비트 데이터에 홀수 패리티 비트(odd parity bit)를 첨가할 때 옳지 않은 것은?

    1. ①111110000
    2. ②110011000
    3. ③101001110
    4. ④100100010

  97. 97.CPU를 구성하고 있는 요소 중 중요한 두 부분은?

    1. ①제어장치, 기억장치
    2. ②연산장치, 제어장치
    3. ③산술장치, 연산장치
    4. ④연산장치, 논리장치

  98. 98.기억 장치에서 명령어를 읽어 CPU로 가져오는 것을 무엇이라고 하는가?

    1. ①Indirect
    2. ②Execute
    3. ③Interrupt
    4. ④Fetch

  99. 99.마이크로컴퓨터의 기본 동작에 필요한 프로그램은?

    1. ①모니터 프로그램
    2. ②인터프리터 프로그램
    3. ③시스템 프로그램
    4. ④DOS 프로그램

  100. 100.인터럽트에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①하드웨어의 오류에 의해 발생하기도 한다.
    2. ②인터럽트가 발생하면 특정한 일을 수행한다.
    3. ③프로그램의 수행을 중단시키기 위해 사용되기도 한다.
    4. ④인터럽트가 발생하면 현재 수행 중인 프로그램은 무조건 종료된다.