문항 목록
1비유전률 4, 비투자율 4인 매질내에서의 전자파의 전파속도는 자유공간에서의 빛의 속도의 몇 배인가?
2Maxwell의 전자기파 방정식이 아닌 것은?
3면전하밀도가 ρs[C/m2]인 무한히 넓은 도체판에서 R[m] 만큼 떨어져 있는 점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?
4전위함수 V=5x2y+z[V]일 때 점(2,-2,2)에서 체적전하밀도 ρ[C/m3]의 값은?
5쌍극자 모멘트가 M[C·m]인 전기쌍극자에 의한 임의의 점 P의 전계의 크기는 전기쌍극자의 중심에서 축방향과 점 P를 잇는 선분사이의 각이 얼마일 때 최대가 되는가?
6x > 0 인 영역에서 ε1 = 3 인 유전체, x < 0 인 영역에 ε2 = 5인 유전체가 있다. 유전률 ε2 인 영역에서 전계 E2 = 20ax + 30ay - 40az[V/m]일 때, 유전률 ε1인 영역에서의 전계 E1은 몇 V/m 인가?
78m 길이의 도선으로 만들어진 정방형 코일에 π[A]가 흐를 때 정방형의 중심점에서의 자계의 세기는 몇 A/m 인가?
8전기회로에서 도전도(Ω/m)에 대응하는 것은 자기회로에서 무엇인가?
9N회 감긴 환상코일의 단면적이 S[m2]이고 평균 길이가 ℓ[m]이다. 이 코일의 권수를 반으로 줄이고 인덕턴스를 일정하게 하려고 할 때, 다음 중 옳은 것은?
10강자성체의 히스테리시스 루프의 면적은?
11환상철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때, A코일의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일의 상호인덕턴스는 몇 H 인가?
12반지름 a[m], 전하 Q[C]을 가진 두 개의 물방울이 합쳐서 한개의 물방울이 되었다. 합쳐진 후의 정전에너지를 합쳐지기 전과 비교하면 어떻게 되는가?
13유전률 ε=10 이고 전계의 세기가 100V/m인 유전체 내부에 축적되는 에너지 밀도는 몇 Ｊ/m3인가?
14면적 A[m2], 간격 d[m]인 평행판콘덴서의 전극판에 비유전률 εr인 유전체를 가득히 채웠을 때 전극판간에 V[V]를 가하면 전극판을 떼어내는데 필요한 힘은 몇 N 인가?
15자계 중에 이것과 직각으로 놓인 도선에 Ｉ[A]의 전류를 흘리니 F[N]의 힘이 작용하였다. 이 도선을 v[m/s]의 속도로 자계와 직각으로 운동시키면 기전력은 몇 V 인가?
1610A의 전류가 흐르고 있는 도선이 자계내에서 운동하여 5Wb의 자속을 끊었다고 하면, 이 때 전자력이 한 일은 몇 Ｊ인가?
17면적 100cm2 인 두장의 금속판을 0.5cm 인 일정 간격으로 평행 배치한 후 양판간에 1000V의 전위를 인가하였을 때 단위면적당 작용하는 흡인력은 몇 N/m2 인가?
18내도체의 반지름이 a[m]이고, 외도체의 내반지름이 b[m], 외반지름이 c[m]인 동축케이블의 단위길이당 자기인덕턴스는 몇 H/m 인가?
19영역 1의 자유공간에서 전파 E0i[V/m]와 자파 H0i[A/m]가 비유전율 εr=3을 가진 유전체 영역으로 수직하게 입사 될 때 계면에서의 값으로 옳은 것은?
20무한장 직선도선에 흐르는 직류전류 Ｉ에 의해, 무한장 직선도선의 전류 상하에 존재하는 자침이, 그림과 같이 자침중심축을 중심으로 회전하여 정지하였다. (ㄱ) (ㄴ) (ㄷ) (ㄹ)의 극을 순서적으로 잘 배열한 것은?
21그림에서 전류 I1과 I2는?
22임피던스Z(s)가 인 2단자 회로에 직류전원 20[A]를 인가 할 때 이 회로의 단자 전압은?
23전송선로의 특성 임피던스가 50[Ω]이고, 부하저항이 150[Ω]이면 부하에서의 반사계수는?
24수동 4단자 회로망(또는 2단자 쌍 회로망)이 가역적이기 위한 조건이 바르지 못한 것은?(단, 다음의 그림에서 I1=Y11V1+Y12V2, -I2=Y21V1+Y22V2이고 V1과 I1에 관해서는 V1=AV2+BI2, I1=CV2+DI2이다.)
25그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?
26대칭 4단자 회로망의 영상 임피던스는?
271 neper는 약 몇 dB인가?
28라플라스 변환식 F(S)=1/(S2+2S+5)의 역 변환은?
29다른 두 종류의 금속선으로 된 폐 회로의 두 접합점의 온도를 달리 하였을 때 열기전력이 발생하는 효과는?
30어떤 주파수 f에서 R과 C에 걸린 전압이 다음 그림과 같았다. 만약 주파수 f를 2배로 하면 C에 걸린 전압은?
31단위계단함수의 라플라스 변환은?
32이상 변압기의 조건 중 옳지 않은 것은?
33그림과 같은 회로에서 테브난 등가 저항은?
34다음 회로에서 전압 전달비를 구하면? (단, S=jω 이다.)
354단자 회로망에 있어서 4단자 정수(또는 ABCD 파라미터) 중 정수 A와 C의 정의가 옳은 것은?
36그림은 이상적 변압기이다. 성립되지 않는 관계식은? (단, n1,n2는 1차 및 2차 코일의 권회수, n는 이다.)
37그림과 같은 주기적 교류 전류의 실효치는?
38두 회로간에 쌍대 관계가 옳지 않은 것은?
39저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는?
40시정수 T인 RL직렬회로에 t=0에서 직류전압을 가하였을때 t=4T에서의 회로 전류는 정상치의 몇 %인가? (단, 초기치는 0으로 한다.)
41불 대수의 정리 중에서 옳지 않은 것은?
42증폭기의 고주파 특성 결정에 가장 관계가 되는 것은?
43그림과 같은 동조증폭기에서 코일의 큐를 Qc,부하만의 큐를 QL이라 할 때 이 증폭기 전체의 선택도 Q는 어떤 관계식이 되는가? (단, , QL=RLωoC 이며, hoe는 거의 0 이다.)
44직류 전원 공급 장치를 구성하는 회로가 아닌 것은?
45C급 전력 증폭기의 특징으로 옳지 못한 것은?
46전계효과 트랜지스터(FET)의 소신호 모델에서 전달 컨덕턴스 gm은?
47그림의 회로에서 Re의 중요한 역할은?
48전가산기에 대한 설명 중 옳지 않은 것은?
492진 코드(1010)2를 그레이 코드(Gray Code)로 변환하면?
50다음 회로의 전압이득()은? (단, hie = 1.1[㏀],hfe = 60,hre = 2.5×10-4RL = 1[㏀],R1 = 5.5[㏀],R2 = 1.2[㏀],Re = 1[㏀])
51포토 커플러(photo coupler)란?
52궤환 발진기에서 바크하우젠(Bark hausen)의 발진 조건을 표시한 것 중 옳은 것은?
53다음 회로의 이름은?
54적분 회로로 사용 가능한 회로는?
55변조도가 100[%]인 AM파의 전력이 30[kW]라면 반송파 성분의 전력은 몇 [kW]가 되는가?
56그림의 연산증폭기에서 입력 Vi= -V이면 출력 Vo는? (단, 연산증폭기는 이상적인 것이라 한다.)
57전력 이득을 가장 크게 얻을 수 있는 결합 방식은?
58다음 Karnaugh 도로 된 함수를 최소화 하면?
59트랜지스터의 고주파 특성으로 α 차단 주파수(fα)는 어느 것에 의하여 결정되는가?
60수정 발진회로의 특징 중 옳은 것은?
61실리콘 단결정 반도체에서 N형 불순물로 사용될 수 있는 것은?
62어느 광전 음극의 한계 파장 λ0가 5700[A]이라 한다. 이 광전 음극의 일 함수는 약 몇 V인가?
63α 차단 주파수가 10㎒인 트랜지스터에서 이것을 이미터 접지로 사용할 경우 β차단 주파수는 약 몇 ㎑인가? (단, α =0.98이다.)
64금속 표면에 빛을 조사하면 금속 내의 전자가 방출하는 현상은?
65트랜지스터의 안정도(stability factor)는?
66트랜지스터에서 발생하는 잡음이 아닌 것은?
67트랜지스터 증폭기에서 부하 저항이 클수록 전류 이득은?
682종의 금속을 접속하고 직류를 흘리면 그 접합부에 온도 차이가 생기는 효과는?
69Fermi-Dirac의 분포 함수는? (단,E는 에너지준위,α ,β 는 Lagrangean multiplier 이다.)
70전자볼트(electron volt, eV)는 전자 한 개가 1볼트의 전위차를 통과할 때 얻는 운동 에너지를 1[eV]로 정한 것이다. 1[eV]는 대략 몇 J(joule)인가?
71n채널 전계 효과 트랜지스터(Field Effect Transister)에 흐르는 전류는 주로 어느 현상에 의한 것인가?
72정자계내에서 자계와 수직이 아닌 임의의 각도로 운동 하는 전자의 궤도는?
73전자가 광속도로 운동을 할 때, 이 전자의 질량은?
74n채널 J-FET와 그 특성이 비슷한 진공관은?
75반도체에 대한 설명 중 옳은 것은?
76터널 다이오드(tunnel diode)의 특징 중 옳지 않은 것은?
77확산 정수 D, 이동도 μ , 절대 온도 T 간의 관계식을 옳게 나타낸 것은?
78온도가 상승하면 불순물 반도체의 페르미 준위는?
79300[eV]로 가속된 전자가 0.01[Wb/m2]인 균등한 자계중에 자계의 방향과 60° 의 각도를 이루며 사출되었다. 전자가 그리는 궤도의 직경은? (단, 전자의 전하 e = 1.602×10-19[coul], 전자의 질량 m = 9.106×10-31[㎏]이다.)
80Ge의 진성 캐리어 밀도는 상온에서 Si보다 높다. 그 이유의 설명으로 가장 옳은 것은?
81순차 접근(Sequential Access) 방식을 사용하는 장치는?
82연산 결과를 일시적으로 기억하고 있는 레지스터는?
83중앙처리장치에서 하는 일이 아닌 것은?
84다음의 코드 시스템 중에서 성질이 다른, 즉 오류 수정 기능이 있는 것은?
85서브 루틴을 호출할 때 복귀 주소(return address)를 기억하는데 주로 사용하는 것은?
86컴퓨터 주기억장치의 용량을 1M 바이트의 크기로 구성하려고 한다.1바이트가 8비트이고 패리티 비트를 포함한다면 64Kbit DRAM 칩이 몇 개가 필요한가?
87인터럽트(interrupt)의 발생 원인으로 옳지 않은 것은?
8810진법 11을 16진법으로 표현하면?
89마이크로컴퓨터 시스템 구성에 관련된 내용으로 옳지 않은 것은?
90완충 기억기구(Buffer Storage)의 설명 중 옳지 않은 것은?
91시프트 레지스터에서 가장 시간이 적게 걸리는 입ㆍ출력 방식은?
92운영체제의 구성 요소와 거리가 가장 먼 것은?
93메모리 장치와 주변 장치 사이에서 데이터의 입ㆍ출력 전송이 직접 이루어지는 것은?
94n개의 비트(bit)로 정수를 표시할 때 2의 보수 표현법에 의한 범위를 적절히 나타낸 것은?
95중앙처리장치가 수행하는 명령어들을 기능별 네가지로 분류하였을 때 속하지 않는 것은?
96스택 구조의 컴퓨터에 사용되는 명령어 방식은?
97프로그램 카운터가 명령어의 번지와 더해져서 유효번지를 결정하는 어드레싱 모드는?
98순서도를 작성하는 일반 규칙으로 옳지 않은 것은?
99어셈블리 언어로 프로그램을 작성할 때 절대 번지 대신에 간단한 기호명칭을 사용할 수 있는데 이러한 번지를 무엇이라 하는가?
100CPU는 4개의 사이클 반복으로 동작을 행한다. 이 중 4개의 사이클에 속하지 않는 것은?
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