문항 목록
1미분방정식 형태로 나타낸 멕스웰의 전자계 기초 방정식은?
2액체 유전체를 포함한 콘덴서 용량이 C[F]인 것에 V[V]의 전압을 가했을 경우에 흐르는 누설전류는 몇 A 인가? (단, 유전체의 비유전률은 εs이며, 고유저항은 ρ[Ω.m] 라 한다.)
3무한장 솔레노이드에 전류가 흐를 때 발생되는 자장에 관한 설명 중 옳은 것은?
4자속밀도가 0.3Wb/m2인 평등자계내에 5A의 전류가 흐르고 있는 길이 2m인 직선도체를 자계의 방향에 대하여 60도의 각도로 놓았을 때 이 도체가 받는 힘은 약 몇 N 인가?
5비투자율이 500인 철심을 이용한 환상 솔레노이드에서 철심속의 자계의 세기가 200A/m일 때 철심속의 자속밀도 B[T]와 자화율 X[H/m]는 약 얼마인가?
6정전계내에 있는 도체 표면에서의 전계의 방향은 어떻게 되는가?
7한변의 저항이 Ro 인 그림과 같은 무한히 긴 회로에서 AB간의 합성저항은 어떻게 되는가?
8정전용량이 1μF인 공기콘덴서가 있다. 이 콘덴서 판간의 1/2인 두께를 갖고 비유전률 εr=2인 유전체를 그 콘덴서의 한 전극면에 접촉하여 넣었을 때 전체의 정전용량은 몇 μF 가 되는가?
9균일한 자속 밀도 B 중에 자기 모멘트 m 의 자석(관성 모멘트 I)이 있다. 이 자석을 미소 진동 시켰을 때의 주기는 얼마인가?
10임의의 단면을 가진 2개의 원주상의 무한히 긴 평행도체가 있다. 지금 도체의 도전률을 무한대라고 하면 C, L, ε 및 μ사이의 관계는? (단, C는 두 도체간의 단위길이당 정전용량, L은 두 도체를 한개의 왕복회로로 한 경우의 단위길이당 자기인덕턴스, ε은 두 도체사이에 있는 매질의 유전률, μ는 두 도체사이에 있는 매질의 투자율이다.)
1130V/m의 전계내 50V 되는 점에서 1C 의 전하를 전계 방향으로 70㎝ 이동한 경우, 그 점의 전위는 몇 V 인가?
12환상 철심에 권수 NA인 A코일과 권수 NB인 B코일이 있을 때 코일 A의 자기인덕턴스가 LA[H]라면 두 코일간의 상호인덕턴스는 몇 H 인가? (단, A코일과 B코일간의 누설자속은 없는 것으로 한다.)
13Ω·sec와 같은 단위는?
14자계분포 H =xy j -xz k [A/m]를 발생시키는 점(1,1,1)[m] 에서의 전류밀도는 몇 A/m2인가?
15전력용 유입 커패시터가 있다. 유(기름)의 비유전률이 2 이고 인가된 전계 E =200sinωt a x[V/m]일 때 커패시터 내부에서의 변위 전류밀도는 몇 A/m2 인가?
16매질 1 이 나일론 (비유전율 εs = 4)이고, 매질 2가 진공일 때 전속밀도 D가 경계면에서 각각 θ1, θ2 의 각을 이룰 때 θ2=30° 라 하면 θ1의 값은?
17다음 중 옳은 것은?
18전류가 흐르는 도선을 자계안에 놓으면, 이 도선에 힘이 작용한다. 평등자계의 진공 중에 놓여 있는 직선 전류 도선이 받는 힘에 대하여 옳은 것은?
19패러데이 관(Faraday 管)에 대한 설명 중 틀린 것은?
20유전율이 다른 두 유전체의 경계면에 작용하는 힘은? (단, 유전체의 경계면과 전계방향은 수직이다.)
21te-at에 대한 라플라스 변환을 구하면?
22그림과 같은 회로에서 스위치 K가 닫혀진 상태에 있다가 t = 0 일 때 K가 열렸다. 이 때 R2를 흐르는 전류 i는?
23그림과 같은 결합 공진회로에 있어서 C1과 C2를 조정하여 두 폐회로가 모두 공진 상태에 있을 때 결합계수를 변화 시킨다면 i2가 최대로 되는 상태는 언제인가?
24R-L-C 직렬회로에서 자유 진동 주파수는?
25그림과 같은 회로에서 단자 1, 2간의 인덕턴스 L은?
26그림과 같은 단일 구형파의 라플라스 변환은?
27다음 그림에서i1=16[A],i2=22[A],i3=18[A], i4=27[A]일 때 i5는?
28R - L직렬회로에 단위 임펄스를 가할 때 흐르는 전류 즉, 임펄스 응답을 가장 잘 나타낸 파형은?
29임의의 회로의 실효 전력이 30W 이고, 무효전력이 40VAR 일 때 역률은?
30그림의 회로에서 R=2[Ω], C=0.5[F], Vs(t)=6e-2t 인 경우 회로의 임피던스[Ω]는?
31어떤 회로에서 콘덴서의 캐패시턴스가 2.12[㎌]일 때, 주파수가 100[Hz], 전압 200[V]를 인가 했다면, 이 때 콘덴서의 용량성 리액턴스 XL의 값은?
32R-L 직렬회로에 υ (t)=100sin(104t+Q1)[V]의 전압을 가할 때 i(t)=20sin(104t +Q2)[A]의 전류가 흘렀다. R=30[Ω]일 때 인덕턴스 L의 값은?
33다음 회로에서 특성 임피던스 Zo는?
34콘덴서 C에 단위 임펄스의 전류원을 접속하여 동작시키면 콘덴서의 전압 Vc(t)는?
35RC 저역 필터회로에서 일 때 위상각은?
36그림과 같은 회로망 N에서 포트 2를 개방했을 때의 전압이득 G12를 임피던스 파라미터로 나타내면?
37RLC 직렬회로에 대하여, 임의 주파수를 인가 하였을 때 회로의 특성이 공진 회로의 특성으로 나타났다. 동일한 이 회로에 대하여 주파수를 증가시켰을 때, 주파수에 따른 회로의 특성은?
38그림은 반파정류에서 얻은 파형이다. 이 전류의 실효치 (rms)는?
392개의 4단자망을 직렬로 접속했을 때 성립하는 식은?
40그림과 같은 그래프에서 컷셋(cut-set)을 나타내는 것은?
41Negative feedback 회로에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?
42궤환증폭회로에서 전압증폭도 라 할 때 부궤환의 조건은?(단, A는 부궤환시의 증폭도이다.)
43α 차단주파수에 관한 사항으로 옳지 않은 것은?
44증폭 회로의 고주파 응답을 결정하는 요소는?
45다음 회로는 무엇인가?
46다음 그림은 무엇을 위한 회로인가?
47저주파 증폭기의 직류 입력은 2[kV], 400[mA]이고 효율은 80[%]로 보면 부하에서 나타나는 전력은?
48논리 회로의 출력 X는?
49음귀환에 의한 입曺출력 임피던스 변화의 설명 중 옳은 것은?
500 바이어스(zero bias)로 된 B급 푸시풀 증폭기에서 일어나기 쉬운 중력 파형의 일그러짐 현상을 무엇이라고 하는가?
51그림과 같은 논리회로의 출력은?
52부궤환 증폭기의 특징 중 옳지 않은 것은?
53다음과 같은 comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?
54턴-오프 시간(turn-off time)은?
55반파 정류된 파형의 평균 값은? (단, 입력 전압은 VPsinθ 이다.)
56불 대수식 (A+B)ㆍ(A+C)와 등가인 것은?
57다음 회로 Qn = 0인 상태에서 S=1, R=0이 가해지면 그 직후의 출력은?
58다음 회로에서VCE = 6.5[V]가 되기 위한 Rb값으로 가장 적당한 것은?(단, 여기서 VBE=0.7[V], β =100 이다.)
59다음 그림과 같은 이득이 Av인 연산 증폭회로에서 출력전압 Vo를 나타내는 것은?(단, V1, V2 및 V3는 입력 신호 전압이다.)
60미분기의 출력과 입력은 어떤 관계인가?
61제 4과목: 물리전자공학 Si P-N 다이오드에서의 cut-in 전압은 약 얼마인가?
62PN접합의 역전압 의존성을 이용한 소자는?
63정격 100[V], 50[W] 백열 전구의 필라멘트를 0.1[sec] 사이에 통과하는 전자수는? (단, 전자의 전하량 e=1.6×10-19[C])
64PN 접합에 순방향 바이어스를 공급할 때 특징이 아닌것은?
650℃, 1기압(atm)에 대한 기체 분자 밀도는 약 얼마인가?(단, 볼츠만 상수 K=1.38×10-23[J/°K]이다.)
66파울리(Pauli)의 배타율 원리가 만족하는 분포 함수는?
67확산 전류 밀도에 관계있는 것은?
68어느 열음극의 일함수(work function)의 값이 1/2로 되면 열전자 전류밀도는 어떻게 되는가?
69부성 저항 특성을 나타내는 다이오드는?
70전류 제어용 소자는?
71"레이저란 원자가 ( ① )에너지 상태에서 ( ② )에너지 상태로 전이할 때 발생되는 ( ③ )방출이다." ( )안에 들어갈 옳은 표현은? (순서대로 ①, ②, ③)
72선형적인 증폭을 위해서 트랜지스터의 동작점은?
73일반적인 드리프트 트랜지스터 장ㆍ단점에 대한 설명 중 그 내용이 가장 부적당한 것은?
74물질의 구성과 관계없는 입자는?
75Hall 계수에 의해서 구할 수 있는 사항을 가장 잘 표현한 것은?
76페르미 준위에 대한 설명으로 옳은 것은?
77균등자계 B내에 수직으로 속도 υ로 입사한 전자의 속도를 2배로 증가시켰을 때, 전자의 운동은 어떻게 변하는가?
78정자계 내에서 자계와 평행한 방향으로 운동하는 하전체는?
79열전자 방출 현상에서 전류와 일함수와의 관계를 나타낸 식은?
80트랜지스터의 제조에서 에피텍셜 층(epitaxial layer)이 많이 사용되는 이유는?
81스택(stack) 구조가 갖는 명령 형식은?
82레지스터(Register)의 설명 중 옳지 않은 것은?
83명령(instruction)의 구성 부분이 될 수 없는 것은?
84서브루틴의 리턴 어드레스를 저장하기 위한 데이터 구조는?
85다음 중 순서 논리 회로에 해당되는 것은?
86컴퓨터로 업무를 처리할 때 처리할 업무를 분석하여 최종 결과가 나오기까지의 작업 절차를 지시하는 명령문의 집합체를 무엇이라고 하는가?
872의 보수 표현방식에 의해 n 비트의 정수를 표현할 때 허용 범위로 옳은 것은?
88다음에서 컴퓨터의 특징이라고 볼 수 없는 것은?
89다음 그림의 병렬 가산기에서 출력되는 F의 값은? (단, 여기에서 는 B의 1'S complement이며, 음수는 2의 보수로 표현한다.)
90다음의 어셈블리 프로그램을 실행하는 동작은?
91자료의 덧셈, 뺄셈 등의 기능을 수행하는 장치는?
92캐시(cache) 메모리에 관한 설명 중 옳은 것은?
93연산장치의 일시적 결과 또는 제어 장치가 필요한 제어 정보를 저장하는 장소는?
94흐름도 작성시 주의사항이 아닌 것은?
95타이머(timer)에 의하여 발생하는 인터럽트는?
96가상 기억체제에서 주소 공간이 1024K 이고, 기억 공간은 64K라고 가정할 때, 주기억장치의 주소 레지스터는 몇 비트로 구성되는가?
97레이스(race) 현상을 방지하기 위하여 사용되는 플립플롭 (F/F)은?
98조건에 따라 처리를 반복 실행하는 플로우 차트의 기본형은?
99CPU를 구성하는 구성 요소로서 ALU에서 처리하는 자료를 항상 기억하며 처리하고자 하는 데이터를 일시 기억하는 레지스터는?
100어셈블리어 프로그램을 기계어로 바꾸어 주는 것은?
총 100문항 · 정답과 해설은 CBT에서 확인할 수 있어요
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