전자기사 · 2003

전자기사 (2003-08-31)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.공기 중에 반지름 r[m]의 매우 긴 평행 왕복도체가 d[m]의 간격으로 놓여있을 때 단위 길이당의 정전용량은 몇 F/m인가? (단, r≪d 이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  2. 2.다음중 stock's 정리는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  3. 3.내부장치 또는 공간을 물질로 포위시켜 외부자계의 영향을 차폐시키는 방식을 자기차폐라 한다. 자기차폐에 좋은 물질은?

    1. ①강자성체 중에서 비투자율이 큰 물질
    2. ②강자성체 중에서 비투자율이 작은 물질
    3. ③비투자율이 1 보다 작은 역자성체
    4. ④비투자율에 관계없이 물질의 두께에만 관계되므로 되도록이면 두꺼운 물질

  4. 4.그림 1과 같은 비투자율 1000, 평균길이 ℓ 인 균일한 단면을 갖는 환상철심에 N회의 코일을 감아 I[A]의 전류를 흘렸을 때 철심내를 통하는 자속이 ø[Wb] 이었다. 이 철심에 그림 2와 같이 간격 ℓ/1000 인 공극을 만들었을 때, 동일 전류로 같은 자속을 얻자면 코일의 권수를 얼마로 하면 되는가?

    1. ①N회
    2. ②1.2N회
    3. ③1.5N회
    4. ④2N회

  5. 5.유전률이 ε1, ε2 인 유전체 경계면에 수직으로 전계가 작용할 때 단위면적당에 작용하는 수직력은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  6. 6.그림과 같은 1m당 권선수 n, 반지름 a[m]의 무한장 솔레노이드에서 자기인덕턴스는 n과 a사이에 어떤 관계가 있는가?

    1. ①a와는 상관없고 n2 에 비례한다.
    2. ②a와 n의 곱에 비례한다.
    3. ③a2 과 n2 의 곱에 비례한다.
    4. ④a2 에 반비례하고 n2 에 비례한다.

  7. 7.10㎜의 지름을 가진 동선에 50A의 전류가 흐를 때 단위시간에 동선의 단면을 통과하는 전자의 수는 약 몇 개인가?

    1. ①7.85×1016
    2. ②20.45×1015
    3. ③31.25×1019
    4. ④50×1019

  8. 8.자유공간 중에 x = 2, z = 4인 무한장 직선상에 ρL[C/m]인 균일한 선전하가 있다. 점(0,0,4)의 전계 E 는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  9. 9.반지름 a[m]의 접지 구도체 중심에서 d[m](d＞a) 떨어진 점에 점전하 Q[C]이 있을 때 점전하와 접지 구도체사이에 작용하는 힘의 크기는 몇 N 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  10. 10.다음 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①유전체의 전속밀도는 도체에 준 진전하 밀도와 같다.
    2. ②유전체의 전속밀도는 유전체의 분극전하 밀도와 같다.
    3. ③유전체의 분극선의 방향은 -분극전하에서 +분극전하로 향하는 방향이다.
    4. ④유전체의 분극도는 분극전하 밀도와 같다.

  11. 11.ohm의 법칙을 미분형으로 표시하면?

    1. ①i = E/ρ
    2. ②i = ρE
    3. ③i = ▽E
    4. ④i = div E

  12. 12.강자성체의 자속밀도 B 의 크기와 자화의 세기 J 의 크기 사이에는 어떤 관계가 있는가?

    1. ①J 는 B 와 같다.
    2. ②J 는 B 보다 약간 작다.
    3. ③J 는 B 보다 약간 크다.
    4. ④J 는 B 보다 대단히 크다.

  13. 13.평등전계 E[V/m]인 절연유(비유전률 5) 중에 있는 구형기포 중의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  14. 14.반지름이 1mm이고, 3μC의 전하를 가진 도체구를 비유전률 5인 기름에서 공기 중으로 꺼내는데 필요한 에너지는 몇 J인가?

    1. ①7.2
    2. ②14.4
    3. ③28.8
    4. ④32.4

  15. 15.TEM(횡전자파)은?

    1. ①진행방향의 E , H 성분이 모두 존재한다.
    2. ②진행방향의 E , H 성분이 모두 존재하지 않는다.
    3. ③진행방향의 E 성분만 존재하고 H 성분은 존재하지 않는다.
    4. ④진행방향의 H 성분만 존재하고 E 성분은 존재하지 않는다.

  16. 16.길이 ℓ[m]인 동축 원통도체의 내외원통에 각각 +λ, -λ [C/m]의 전하가 분포되어 있다. 내외 원통사이에 유전률 ε인 유전체가 채워져 있을 때, 전계의 세기는 몇 V/m인가? (단, a, b는 내외 원통의 반지름이고 원통 중심에서의 거리 r은 a＜r＜b인 경우이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  17. 17.반지름 a[m]인 원에 내접하는 정 n 변형의 회로에 I[A]가 흐를 때, 그 중심에서의 자계의 세기는 몇 AT/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  18. 18.30V/m의 전계내의 60V 되는 점에서 1μC의 전하를 전계방향으로 70cm 이동한 경우, 그 점의 전위는 몇 V 인가?

    1. ①9
    2. ②21
    3. ③39
    4. ④51

  19. 19.자화율(magnetic susceptibility) x는 상자성체에서 일반적으로 어떤 값을 갖는가?

    1. ①x = 0
    2. ②x ＞0
    3. ③x＜ 0
    4. ④x = 1

  20. 20.균일하게 원형단면을 흐르는 전류 I[A]에 의한, 반지름 a[m], 길이 ℓ [m], 비투자율 μr인 원통도체의 내부 인덕턴스는 몇 H 인가?

    1. ①
    2. ②10-7, μ, ℓ
    3. ③2×10-7, μ, ℓ
    4. ④

  21. 21.지수함수 e-αt의 라플라스 변환은?

    1. ①1/S-α
    2. ②1/S+α
    3. ③S+α
    4. ④S-α

  22. 22.단자 회로에 인가되는 전압과 유입되는 전류의 크기만을 생각하는 겉보기 전력은?

    1. ①유효전력
    2. ②무효전력
    3. ③평균전력
    4. ④피상전력

  23. 23.다음 4단자 회로망에서의 Y-Parameter Y11, Y21는?

    1. ①Y11= 1/Za, Y21= 1/Zb
    2. ②Y11= 1/Zb, Y21= 1/Za
    3. ③Y11= 1/Za, Y21=- 1/Za
    4. ④Y11= 1/Zb, Y21=- 1/Zb

  24. 24.RC 고역필터에 폭이 T인 단일 구형파를 입력했을 때 출력파는 어느 것이 가장 가까운가? (단, 시정수 τ ≪ T)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  25. 25.RL 직렬 회로에 t = 0일 때,직류 전압 100[V]를 인가하면 흐르는 전류 i(t)는? (단, R = 50[Ω], L = 10[H]이다.)

    1. ①2(1-e5t)
    2. ②2(1-e-5t)
    3. ③1.96(1-et/5 )
    4. ④1.96(1+e-t/5)

  26. 26.다음 변압기 결선에서 제3고조파를 발생하는 것은?

    1. ①△-Y
    2. ②Y-△
    3. ③△-△
    4. ④Y-Y

  27. 27.그림과 같은 회로에서 저항 10[Ω]의 지로를 흐르는 전류는?

    1. ①1 [A]
    2. ②2 [A]
    3. ③4 [A]
    4. ④5 [A]

  28. 28.전송손실의 단위 1[neper]는 몇 데시벨(㏈) 인가?

    1. ①1.414
    2. ②1.732
    3. ③5.677
    4. ④8.686

  29. 29.그림과 같은 회로에서 L1 = 3[H], L2 = 5[H], M = 2[H]일 때 a, b 간의 인덕턴스는?

    1. ①1.65[H]
    2. ②2.25[H]
    3. ③2.75[H]
    4. ④3.75[H]

  30. 30.구동점 임피던스(driving-point impedance)함수에 있어서 극(pole)은?

    1. ①아무런 상태도 아니다.
    2. ②개방회로 상태를 의미한다.
    3. ③단락회로 상태를 의미한다.
    4. ④전류가 많이 흐르는 상태를 의미한다.

  31. 31.다음 회로에서 Norton의 정리를 이용해서 콘덴서에 걸리는 전압을 구하면?

    1. ①V(S) = I(S)/(SL+R)SC+1
    2. ②V(S) = I(S)R/(SL+R)SC+1
    3. ③V(S) = I(S)/(SL+R)+1
    4. ④V(S) = I(S)R/(SL+R)SC

  32. 32.그림과 같은 유도결합회로에서 단자 ab간의 합성 임피던스가 실수가 되기 위한 주파수 ω 의 값은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  33. 33.파형률에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①실효값을 평균값으로 나눈 값이다.
    2. ②클 수록 정류를 했을 때 효율이 좋아진다.
    3. ③어떠한 파형에 대하여도 그 값은 1 이상이다.
    4. ④동일한 파형에 대하여는 주파수에 관계없이 일정하다.

  34. 34.그림과 같은 저항회로에서 합성저항이 Rab = 12[Ω]일 때 병렬 저항 Rx의 값은 몇 [Ω]인가?

    1. ①3
    2. ②4
    3. ③5
    4. ④6

  35. 35.그림의 회로에서 릴레이의 동작 전류는 10[mA], 코일의 저항은 1[kΩ ], 인덕턴스는 L[H]이다. S가 닫히고 18[ms] 이내로 이 릴레이가 작동하려면 L[H]은 약 얼마인가?

    1. ①26
    2. ②30
    3. ③50
    4. ④68

  36. 36.다음과 같은 회로에서 t = 0에서 스위치 K가 닫혔다. 전류의 파형이 오실로스코프에 나타났을 때 전류의 초기값이 10[mA]로 측정되었다. i(t)의 식은?

    1. ①i(t) = 102e-10t
    2. ②i(t) = 10-1e20t
    3. ③i(t) = 10-2e-20t
    4. ④i(t) = 10e10t

  37. 37.회로망에서 ①전압원 ②전류원 ③마디 ④인덕터 ⑤루프 ⑥캐패시터에 대한 쌍대가 되는 형태는?

    1. ①① - ③, ② - ⑤, ④ - ⑥
    2. ②① - ②, ③ - ⑥, ④ - ⑤
    3. ③① - ②, ③ - ⑤, ④ - ⑥
    4. ④① - ③, ④ - ⑤, ② - ⑥

  38. 38.2개 이상의 전원을 내포한 선형 회로에서 어떤 가지에 흐르는 전류나 단자의 전압에 대해 해석하는데 사용하는 것은?

    1. ①Norton의 정리
    2. ②Thevenin의 정리
    3. ③치환정리
    4. ④중첩의 원리

  39. 39.다음 그림과 같은 그래프의 나무(Tree) 수는?

    1. ①4
    2. ②6
    3. ③16
    4. ④32

  40. 40.2단자 임피던스가 일 때 극점(pole)은?

    1. ①-3
    2. ②0
    3. ③-1, -2, -3
    4. ④-1, -2

  41. 41.다음과 같은 빈 브리지(Wine Bridge)형 발진 회로의 발진 주파수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  42. 42.그림의 회로는?

    1. ①반가산기
    2. ②전가산기
    3. ③반감산기
    4. ④디코더

  43. 43.그림에서 점유율(duty cycle)를 나타내는 식은?

    1. ①τ/B
    2. ②E/B
    3. ③τ/T
    4. ④E/T

  44. 44.이상적인 연산 증폭기의 특성 중 옳지 않은 것은?

    1. ①입력 임피던스(Ri) = 0
    2. ②대역폭(BW) = ∞
    3. ③출력 임피던스(R0) = 0
    4. ④전압이득 │Av│ = ∞

  45. 45.주어진 회로는 어떤 종류의 발진기인가?

    1. ①colpitts 발진기
    2. ②hartley 발진기
    3. ③wien bridge 발진기
    4. ④phase-shift 발진기

  46. 46.그림과 같은 콜피츠(Colpitts) 발진기의 발진주파수는?

    1. ①≒ 850 ㎑
    2. ②≒ 200 ㎑
    3. ③≒ 205.5 ㎑
    4. ④≒ 2055 ㎑

  47. 47.아래 연산증폭기 응용회로의 기능은?

    1. ①적분기
    2. ②미분기
    3. ③가산기
    4. ④감산기

  48. 48.그림과 같은 회로에서 컬렉터 전류 Ic를 구하면? (단, β = 100 이고 실리콘 트랜지스터이며 VBE = 0.7[V]임)

    1. ①0.2 [㎃]
    2. ②0.5 [㎃]
    3. ③5 [㎃]
    4. ④20 [㎃]

  49. 49.그림에서 A는 연산 증폭기이다. Vi - Vo의 관계는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  50. 50.십진수 13을 Excess-3 code로 변환하면?

    1. ①0110 1001
    2. ②1010 0101
    3. ③0100 0110
    4. ④0100 0010

  51. 51.위상 변조(PM) 방식에서 변조 지수는?

    1. ①신호파의 진폭에 비례한다.
    2. ②신호파의 주파수에 비례한다.
    3. ③신호파의 진폭에 반비례한다.
    4. ④신호파의 주파수에 반비례한다.

  52. 52.B급 TR 푸시풀 전력 증폭기의 최대 출력은?

    1. ①Vcc2/RL
    2. ②Vcc2/2RL
    3. ③2Vcc2/RL
    4. ④Vcc2/4RL

  53. 53.부궤환(negative feedback) 회로의 장점이 아닌 것은?

    1. ①내부 잡음 일부가 경감된다.
    2. ②비직선 일그러짐이 감소된다.
    3. ③입ㆍ출력 임피던스를 변화시킬 수 있다.
    4. ④이득이 높아지고, 주파수 특성이 평탄해진다.

  54. 54.그림과 같은 쌍안정 멀티바이브레이터에서 Q1 → OFF, Q2 → ON 상태라고 할 때 C1과 C2 에 충전된 전압의 크기는 얼마인가?

    1. ①│VC1│ = │VC2│
    2. ②│VC1│ = │VC2│ = VCC
    3. ③│VC1│ ＞ │VC2│
    4. ④│VC1│ ＜ │VC2│

  55. 55.다음 회로에서 Re의 중요한 역할은?

    1. ①출력증대
    2. ②주파수 대역증대
    3. ③바이어스 전압감소
    4. ④동작점의 안정화

  56. 56.이미터 접지 증폭기에서 α = 0.98, ICO = 0.1[㎃]이고, IB = 0.2[㎃] 일 때 컬렉터 전류는 몇 [㎃]인가?

    1. ①12.5
    2. ②14
    3. ③14.8
    4. ④24.8

  57. 57.트랜지스터의 고주파 특성으로 α차단 주파수(fα)는 무엇으로 결정되는가?

    1. ①컬렉터에 인가하는 전압에 비례한다.
    2. ②베이스 폭과 켈렉터 용량에 각각 반비례한다
    3. ③베이스 폭의 자승에 반비례하고, 컬렉터 확산 계수에 비례한다.
    4. ④이미터에 인가하는 전압에 비례하고, 컬렉터 용량에 반비례한다.

  58. 58.그림과 같은 논리회로의 출력은? (단, A,B,C,D는 입력 단자이고, VO는 출력이다.)

    1. ①AB+CD
    2. ②A+B+C+D
    3. ③ABCD
    4. ④(A+B)(C+D)

  59. 59.커패시터로 필터를 구성한 전파 정류기에서 부하 저항이 감소하면 리플(ripple) 전압은?

    1. ①감소한다.
    2. ②증가한다.
    3. ③관계없다.
    4. ④주파수가 변화한다.

  60. 60.FET가 보통의 접합 트랜지스터에 대해 갖는 장점이 아닌것은?

    1. ①입력 임피던스가 크다.
    2. ②진공관이나 트랜지스터에 비하여 잡음이 적다.
    3. ③이득×대역폭이 커서 고주파에서도 사용 가능하다.
    4. ④오프셋 전압이 없으므로 좋은 초퍼로서 사용할 수 있다.

  61. 61.주양자수 n이 3인 전자각 M에 들어갈 수 있는 최대 전자수는?

    1. ①2
    2. ②8
    3. ③18
    4. ④32

  62. 62.낮은 전압에서는 큰 저항을 나타내며, 높은 전압에서는 작은 저항값을 갖는 소자는?

    1. ①바랙터(Varractor)
    2. ②바리스터(Varistor)
    3. ③세미스터(semistor)
    4. ④서미스터(thermistor)

  63. 63.Fermi-Dirac 분포 함수는?

    1. ①f(E) = 1/1-e(E-EF)/kT
    2. ②f(E) = 1/1+e(E-EF)/kT
    3. ③f(E) = 1-e(E-EF)/kT
    4. ④f(E) = 1+e(E-EF)/kT

  64. 64.JFET의 핀치오프 전압에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①채널의 폭에 비례한다.
    2. ②재료의 비유전율에 반비례한다.
    3. ③채널 부분의 도우핑 밀도에 비례한다.
    4. ④드레인 소스간을 개방한 경우는 공간 전하층으로 채널이 막혔을 때의 게이트 역전압이다.

  65. 65.절대온도 0[°K]에서 진성 반도체의 모든 가전자는?

    1. ①전도대에 존재한다.
    2. ②금지대에 존재한다.
    3. ③가전자대에 존재한다.
    4. ④전도대와 가전자대에 존재한다.

  66. 66.일 함수(work function)의 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①금속의 종류에 따라 값이 다르다.
    2. ②일 함수가 큰 것이 전자 방출이 쉽게 일어난다.
    3. ③표면장벽 에너지와 Fermi 준위와의 차를 일 함수라 한다.
    4. ④전자가 방출되기 위해서 최소한 이 일 함수에 해당되는 에너지를 공급받아야 한다.

  67. 67.반도체에 전장을 가하면 전자는 어떤 운동을 하는가?

    1. ①원 운동
    2. ②불규칙 운동
    3. ③포물선 운동
    4. ④타원 운동

  68. 68.전계의 세기 E = 105[V/m]의 평등 전계 중에 놓인 전자에 가해지는 전자의 가속도는 약 얼마인가?

    1. ①1600[m/s2]
    2. ②1.602× 10-14[m/s2]
    3. ③5.93× 105 [m/s2]
    4. ④1.75× 1016[m/s2]

  69. 69.부성(負性) 저항의 특성이 가장 현저하게 나타나는 것은?

    1. ①광 다이오드
    2. ②터널 다이오드
    3. ③제너 다이오드
    4. ④쇼트키 다이오드

  70. 70.실리콘이 정제하기 어려운 이유는?

    1. ①에너지 밴드캡이 크다.
    2. ②단결정 형성이 안된다.
    3. ③표면 장력이 크다.
    4. ④녹는 온도가 높다.

  71. 71.기압 1[mmHg] 정도의 글로우 방전(glow discharge)에서 생기는 관내 발광 부분이 아닌 것은?

    1. ①양광주(positive column)
    2. ②부 글로우(negative glow)
    3. ③음극 글로우(cathode glow)
    4. ④패러데이 암부(faraday dark space)

  72. 72.진성 반도체에서 온도가 상승하면 페르미 준위는?

    1. ①전도대 쪽으로 접근한다.
    2. ②가전자대 쪽으로 접근한다.
    3. ③도우너 준위에 접근한다.
    4. ④금지대 중앙에 위치한다.

  73. 73.진성반도체 Si의 300[K]에서의 저항율을 636[Ωㆍm],전자 및 정공의 이동도를 각각 0.15[m2/Vㆍsec], 0.05[m2/Vㆍsec] 이라고 하면 그때의 전자 밀도는 약 얼마인가?

    1. ①9.8×1010개/m3
    2. ②9.8×1012개/m3
    3. ③4.9×1013개/m3
    4. ④4.9×1016개/m3

  74. 74.접합 트랜지스터에서 주입된 과잉 소수 캐리어는 베이스 영역을 어떤 방법에 의해서 흐르는가?

    1. ①확산에 의해서
    2. ②드리프트에 의해서
    3. ③컬렉터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서
    4. ④이미터 접합에 가한 바이어스 전압에 의해서

  75. 75.물질의 구성과 관계없는 요소는?

    1. ①광자
    2. ②중성자
    3. ③양자
    4. ④전자

  76. 76.컬렉터 접합부의 온도 상승으로 트랜지스터가 파괴되는 현상은?

    1. ①Saturation 현상
    2. ②break down 현상
    3. ③thermal runaway 현상
    4. ④pinch off 현상

  77. 77.두 도체 또는 반도체의 폐회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?

    1. ①홀(Hall) 효과
    2. ②광전(Photo) 효과
    3. ③지벡(Seebeck) 효과
    4. ④펠티어(Peltier) 효과

  78. 78.균일 자계 B에 자계와 직각 방향으로 속도 V를 갖고 입사한 전자의 각속도는? (단, 전자의 질량을 m, 전하량은 q)

    1. ①mV/qB
    2. ②qB/m
    3. ③2πm/qB
    4. ④qB/2πm

  79. 79.전자 방출에 관한 설명 중 옳지 않은 것은?

    1. ①금속을 고온으로 가열하면 자유전자의 일부가 금속 외부로 방출되는 현상을 열전자 방출이라 한다.
    2. ②금속의 표면에 빛을 입사시키면 전자가 방출되는 현상을 광전자 방출이라 한다.
    3. ③금속의 표면에 강한 전계를 가하면 전자가 방출되는 현상을 2차 전자 방출이라 한다.
    4. ④금속의 표면에 전계를 가하면 금속 표면의 열전자 방출량 보다 전자 방출이 증가하는 현상을 Shottky 효과라 한다.

  80. 80.터널 다이오드(Tunnel Diode)에서 터넬링(Tunnelling)은 언제 발생하는가?

    1. ①역방향에서만 발생
    2. ②정전압이 높을 때만 발생
    3. ③바이어스가 영 일때 발생
    4. ④아주 낮은 전압에 있는 정방향에서 발생

  81. 81.흐름도(flowchart)에서 기호는?

    1. ①프로세스(process)
    2. ②판단(decision)
    3. ③시작, 끝(terminal)
    4. ④반복(repeat)

  82. 82.DMA(Direct Memory Access) 장치의 역할은?

    1. ①CPU 대신 메모리에 연결된 버스의 사용권을 허가하는 역할을 한다.
    2. ②CPU로 옮길 데이터를 메모리에서 찾아 전송하는 역할을 한다.
    3. ③메모리와 입ㆍ출력장치 간에 대량의 자료를 전송하는 역할을 한다.
    4. ④CPU에서 입ㆍ출력장치로 데이터를 전송하는 역할을 한다.

  83. 83.수행 시간이 길어 특수 목적의 기계 이외에는 별로 사용하지 않는 명령 형식이지만 연산 후 입력 자료가 변환되지 않고 보존되는 장점을 가진 명령 형식은?

    1. ①3-주소명령형식
    2. ②2-주소명령형식
    3. ③1-주소명령형식
    4. ④0-주소명령형식

  84. 84.마이크로컴퓨터 내에서 각 장치 간의 정보 교환을 위해 필요한 물리적 연결을 무엇이라 하는가?

    1. ①I/O processor
    2. ②control line
    3. ③bus
    4. ④register

  85. 85.컴퓨터나 주변장치 사이에 데이터 전송을 수행할 때 I/O 준비나 완료 상태를 나타내는 신호가 필요한 비동기식 입ㆍ출력 시스템에 널리 쓰이는 방식은?

    1. ①Polling
    2. ②Interrupt
    3. ③Paging
    4. ④Handshaking

  86. 86.제어 신호를 발생하는 제어 데이터가 아닌 것은?

    1. ①중앙처리장치의 제어점을 제어하는 데이터
    2. ②메이저 상태간의 변천을 제어하는 데이터
    3. ③인스트럭션의 순서를 제어하는 데이터
    4. ④주변장치를 제어하는 데이터

  87. 87.스택(stack)에 대한 설명 중 옳은 것은?

    1. ①가장 나중에 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
    2. ②가장 먼저 저장한 자료를 가장 먼저 내보낸다.
    3. ③저장한 순서에 관계없이 주소를 주면 자료를 읽을 수 있다.
    4. ④스택포인터(또는 스택의 top)는 가장 먼저 저장된 자료의 위치를 표시한다.

  88. 88.그림과 같은 논리게이트 회로는 어떤 동작을 나타내고 있는가?

    1. ①A와 B입력에 대한 일치동작
    2. ②A ＞ B 판정 검출동작
    3. ③A ＜ B 판정 검출동작
    4. ④A와 B입력의 NAND 논리동작

  89. 89.다음 주소지정 방식 중에서 반드시 누산기를 필요로 하는 방식은?

    1. ①3-주소지정 방식
    2. ②2-주소지정 방식
    3. ③1-주소지정 방식
    4. ④0-주소지정 방식

  90. 90.10진수 4와 10진수 13에 해당하는 그레이 코드(gray code)를 비트 단위(bitwise) OR 연산을 하면 결과는?

    1. ①0110
    2. ②1011
    3. ③0010
    4. ④1111

  91. 91.A, B가 각각 합하는 수의 비트이고 Co가 낮은 자리에서의 올림수 비트일 때 전가산기의 합(S)에 대한 불 함수로 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③S=(A ⊕ B) ⊕ Co
    4. ④

  92. 92.휘발성(volatile)과 가장 밀접한 관계를 갖는 메모리는?

    1. ①RAM
    2. ②ROM
    3. ③PROM
    4. ④EPROM

  93. 93.인터럽트 처리 과정 중 인터럽트 장치를 소프트웨어에 의하여 판별하는 방법은?

    1. ①스택
    2. ②벡터 인터럽트
    3. ③폴링
    4. ④핸드쉐이킹

  94. 94.논리 연산 중 마스크 동작은 어느 동작과 같은가?

    1. ①OR
    2. ②AND
    3. ③EX-OR
    4. ④NOT

  95. 95.16비트로 나타낼 수 있는 정수의 범위는?

    1. ①-216 ~ 216
    2. ②-216-1 ~ 216+1
    3. ③-215 ~ 215
    4. ④-215 ~ 215-1

  96. 96.부호화된 데이터를 해독하여 정보를 찾아내는 조합논리 회로는?

    1. ①인코더
    2. ②디코더
    3. ③디멀티플렉서
    4. ④멀티플렉서

  97. 97.인스트럭션 수행을 위한 마이크로 오퍼레이션 중 우선적으로 이루어져야 하는 것은?

    1. ①MBR ← PC
    2. ②MAR ← PC
    3. ③PC ← PC+1
    4. ④IR ← MBR

  98. 98.interrupt 중에서 operator에 의하여 발생되는 것은?

    1. ①I/O interrupt
    2. ②program interrupt
    3. ③external interrupt
    4. ④supervisor call interrupt

  99. 99.다음 명령은 명령 형식 중 어디에 속하는가?

    1. ①3번지 명령
    2. ②2번지 명령
    3. ③1번지 명령
    4. ④0번지 명령

  100. 100.운영체제를 설명한 것이 아닌 것은?

    1. ①사용자와 하드웨어간의 중간 대화 통로
    2. ②컴퓨터 시스템 장치를 효율적으로 관리
    3. ③컴퓨터를 사용자가 편리하게 이용 가능
    4. ④업무에 사용하도록 개발한 응용프로그램