전자기사 · 2003

전자기사 (2003-05-25)

총 100문항

정답과 해설은 문제지에 없어요. CBT에서 확인할 수 있어요.

  1. 1.자유공간 중에서 자계 H =xz2ax[A/m]일 때 0 ≤ x ≤ 1, 0≤z≤1, y=0인 면을 통과하는 전전류는 몇 A 인가?

    1. ①0.5
    2. ②1.0
    3. ③1.5
    4. ④2.0

  2. 2.균일한 자계에 수직으로 입사한 수소이온의 원운동의 주기는 2π×10-5 sec 이다. 이 균일 자계의 자속밀도는 몇 Wb/m2 인가? (단, 수소이온의 전하와 질량의 비는 2×107 C/kg 이다.)

    1. ①2.5×10-3
    2. ②3.2×10-3
    3. ③5×10-3
    4. ④6.2×10-3

  3. 3.무손실 전송회로의 특성 임피던스를 나타낸 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  4. 4.그림에서 단자 ab간에 V의 전위차를 인가할 때 C1의 에너지는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  5. 5.그림과 같은 동축원통의 왕복 전류회로가 있다. 도체 단면에 고르게 퍼진 일정 크기의 전류가 내부 도체로 흘러 들어가고 외부 도체로 흘러 나올 때 전류에 의하여 생기는 자계에 대하여 옳지 않은 설명은?

    1. ①내부 도체내(r＜a)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 비례한다.
    2. ②두 도체사이(내부공간)(a＜r＜b) 에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 반비례한다.
    3. ③외부 도체내(b＜r＜c)에 생기는 자계의 크기는 중심으로부터 거리에 관계없이 일정하다.
    4. ④외부 공간(r＞c)의 자계는 영(0)이다.

  6. 6.평행판 콘덴서에 어떤 유전체를 넣었을 때 전속밀도가 2.4×10-7C/m2이고, 단위 체적 중의 에너지가 5.3×10-3Ｊ/m3 이었다. 이 유전체의 유전률은 몇 F/m 인가?

    1. ①2.17×10-11
    2. ②5.43×10-11
    3. ③5.17×10-12
    4. ④5.43×10-12

  7. 7.그림과 같이 구형의 자성체가 병렬로 접속된 경우 전체의 자기저항 RT는 몇 AT/Wb가 되겠는가?(단, 가로방향 즉, 200㎜방향임)

    1. ①RT = 2.7×104
    2. ②RT = 5.3×104
    3. ③RT = 1.1×10-6
    4. ④RT = 1.9×10-6

  8. 8.그림에서 전계와 전속밀도의 분포 중 맞는 것은?(단, 경계면에 전하가 없는 경우이다.)

    1. ①Et1=0, Dn1=ρs
    2. ②Et2=0, Dn2=ρs
    3. ③Et1=Et2, Dn1=Dn2
    4. ④Et1=Et2=0, Dn1=Dn2=0

  9. 9.간격 d의 평행 도체판간에 비저항ρ인 물질을 채웠을 때 단위 면적당의 저항은?

    1. ①ρd
    2. ②ρ/d
    3. ③ρ-d
    4. ④ρ+d

  10. 10.대전 도체 표면의 전계의 세기는?

    1. ①곡률이 크면 커진다.
    2. ②곡률이 크면 적어진다.
    3. ③평면일 때 가장 크다.
    4. ④표면 모양에 무관하다.

  11. 11.진공내의 점(3,0,0)[m]에 4×10-9 C의 전하가 있다. 이 때 점(6,4,0)[m]의 전계의 크기는 몇 V/m 이며, 전계의 방향을 표시하는 단위벡터는 어떻게 표시되는가?

    1. ①전계의 크기: 36/25, 단위벡터: 1/5(3ax+4ay)
    2. ②전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 3ax+4ay
    3. ③전계의 크기: 36/25, 단위벡터: ax+ay
    4. ④전계의 크기: 36/125, 단위벡터: 1/5(ax+ay)

  12. 12.진공 중에 선전하 밀도가 λ[C/m]로 균일하게 대전된 무한히 긴 직선도체가 있다. 이 직선도체에서 수직거리r[m]점의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  13. 13.와전류의 방향은?

    1. ①일정하지 않다.
    2. ②자력선의 방향과 동일하다.
    3. ③자계와 평행되는 면을 관통한다.
    4. ④자속에 수직되는 면을 회전한다.

  14. 14.평행한 두 도선간의 전자력은? (단, 두 도선간의 거리는 r[m]라 한다.)

    1. ①r2에 반비례
    2. ②r2에 비례
    3. ③r에 반비례
    4. ④r에 비례

  15. 15.자기인덕턴스 L1[H], L2[H]와 상호인덕턴스 M[H]와의 결합계수는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  16. 16.V=x2+y2[V]의 전위 분포를 갖는 전계의 전기력선의 방정식은? (단, A는 임의의 상수이다.)

    1. ①
    2. ②y=Ax
    3. ③y=Ax2
    4. ④

  17. 17.지구는 태양으로부터 P[kW/m2]의 방사열을 받고 있다. 지구 표면에서의 전계의 세기는 몇 V/m 인가?

    1. ①377P
    2. ②p/377
    3. ③
    4. ④

  18. 18.막대자석의 회전력을 나타내는 식으로 옳은 것은?(단, 막대자석의 자기모멘트 M [wb.m]와 균등자계 H [A/m]와의 이루는 각 θ는 0°＜θ＜90° 라 한다.)

    1. ①M×H [N.m/rad]
    2. ②H×M [N.m/rad]
    3. ③μo H×M [N.m/rad]
    4. ④M×μo H [N.m/rad]

  19. 19.균일하게 자화된 체적 0.01m3인 막대 자성체가 500A.m2인 자기모멘트를 가지고 있을 때, 이 막대 자성체의 자속밀도가 500mT이었다면 이 막대 자성체내의 자계의 세기는 몇 kA/m 인가?

    1. ①318
    2. ②328
    3. ③338
    4. ④348

  20. 20.전하 혹은 전류 중심으로부터 거리 R에 반비례하는 것은?

    1. ①균일 공간 전하밀도를 가진 구상전하 내부의 전계의 세기
    2. ②원통의 중심축 방향으로 흐르는 균일 전류밀도를 가진 원통도체 내부의 자계의 세기
    3. ③전기쌍극자에 기인된 외부 전계내의 전위
    4. ④전류에 기인된 자계의 벡터포텐샬

  21. 21.K형 여파기에 있어서 임피던스 Z1, Z2와 공칭 임피던스 K와의 관계는?

    1. ①Z1Z2=K2
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  22. 22.그림과 같은 회로에서 전압 V는 몇 [V]인가? (단, V는 단상교류 전압임.)

    1. ①1
    2. ②5
    3. ③7
    4. ④15

  23. 23.RC직렬 회로망에서 스위치 S가 t=0 일 때 닫혔다고 하면 전류 i(t)는 어느 식으로 표시되는가? (단, 콘덴서에는 초기 전하가 없었다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  24. 24.다음 파형 중에서 실효치가 가장 큰 것은?(단, 주기는 모두 동일함)

    1. ①삼각파
    2. ②구형파
    3. ③톱니파
    4. ④정현파

  25. 25.S 평면상에서 전달함수의 극점(pole)이 그림과 같은 위치에 있으면 이 회로망의 상태는?

    1. ①발진하지 않는다.
    2. ②점점 더 크게 발진한다.
    3. ③지속 발진한다.
    4. ④감쇄 진동한다.

  26. 26.e1=20√2 sinωt, e2=50√2 cos(ωt-(π/6))일 때 e1+e2의 실효치는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  27. 27.여러개의 기전력을 포함하는 선형 회로망내의 전류분포는 각 기전력이 단독으로 그의 위치에 있을 때 흐르는 전류 분포의 합과 같다는 것은?

    1. ①키르히호프 법칙
    2. ②중첩의 원리
    3. ③테브난의 정리
    4. ④노톤(Norton)의 정리

  28. 28.그림과 같은 정 K형 필터가 있다고 할 때, 이 필터는?

    1. ①중역필터
    2. ②대역필터
    3. ③저역필터
    4. ④고역필터

  29. 29.L1=20[H], L2=5[H]인 전자 결합회로에서 결합계수 K=0.5 일 때 상호 인덕턴스 M은 몇 [H]인가?

    1. ①5
    2. ②7.5
    3. ③8
    4. ④9

  30. 30.시정수 τ 를 갖는 R-L 직렬 회로에 직류 전압을 가할 때 t=3τ 가 되는 시간의 회로에 흐르는 전류는 최종치의 몇 %가 되는가?

    1. ①63.2%
    2. ②86.5%
    3. ③95.0%
    4. ④98.2%

  31. 31.u(t)를 Laplace 변환하면?

    1. ①1
    2. ②1/s
    3. ③s
    4. ④ts

  32. 32.대칭 4단자의 영상 임피던스는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  33. 33.저항 3[Ω], 유도리액턴스 4[Ω]의 직렬회로에 60[㎐]의 정현파 전압 180[V]를 가했을때 흐르는 전류의 실효치는?

    1. ①26[A]
    2. ②36[A]
    3. ③45[A]
    4. ④60[A]

  34. 34.가지(branch)의 수가 5, 마디(node)의 수가 4인 회로망의 모든 독립된 전류를 구하기 위하여 요구되는 키르히호프의 전압 법칙에 의한 방정식의 개수는 최소 몇 개라야 하는가?

    1. ①1개
    2. ②2개
    3. ③4개
    4. ④5개

  35. 35.다음 4단자 정수의 표현이 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  36. 36.다음 회로에서 Vo(t)의 실효치 전압은?

    1. ①0 Vrms
    2. ②10 Vrms
    3. ③10/√2 Vrms
    4. ④10/3 Vrms

  37. 37.다음 그림을 Laplace 변환하면?

    1. ①E / S2
    2. ②E / TS
    3. ③E / TS2
    4. ④TE / S

  38. 38.그림의 회로망에서 y parameter 중 옳지 않은 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  39. 39.다음 저역필터회로의 차단 주파수에서 전달함수의 값은?

    1. ①1/2
    2. ②1/√2
    3. ③1
    4. ④1.5

  40. 40.그림의 회로망에서 Z21=V2(S)/I1(S)는?

    1. ①R/(1+CRS)
    2. ②CR/(1+CRS)
    3. ③1/(1+CRS)
    4. ④C/(1+RS)

  41. 41.그림과 같은 B급 푸시풀 증폭기에서 최대 출력 신호전력은?(단, 입력 신호는 정현파이다.)

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  42. 42.FET에서 포화 드레인 전류(IDS)를 옳게 나타낸 식은? (단, IDSS는 VGS = 0 일 때 드레인 전류이다.)

    1. ①
    2. ②IDS=IDSS(1+VGS)2
    3. ③
    4. ④IDS=IDSS(1-VGS)2

  43. 43.그림과 같은 회로의 전달 특성을 나타낸 것은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  44. 44.그림과 같은 회로에서 Y1에서 얻어지는 결과는 무슨 게이트(gate)와 등가인가?

    1. ①OR gate
    2. ②NOT gate
    3. ③AND gate
    4. ④Exclusive OR gate

  45. 45.그림의 차동증폭기 회로의 출력 Vo는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  46. 46.고주파 증폭기에서 α 차단 주파수(α cutoff frequency)는?

    1. ①α 가 0.5가 되는 곳의 주파수이다.
    2. ②α 가 최대값의 0.707배 되는 곳의 주파수이다.
    3. ③입력과 출력이 동일하게 되는 곳의 주파수이다.
    4. ④출력 전력이 원래값의 1/5로 되는 곳의 주파수이다.

  47. 47.연산증폭기의 응용 회로가 아닌 것은?

    1. ①적분 증폭기
    2. ②미분 증폭기
    3. ③아날로그 가산증폭기
    4. ④디지털 반가산증폭기

  48. 48.그림의 회로에서 RL에 흐르는 전류 IL은?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  49. 49.소신호 증폭기 차단 주파수에서의 이득은 최대 이득의 몇 [%]인가?

    1. ①60.6
    2. ②70.7
    3. ③75.5
    4. ④78.5

  50. 50.다음과 같은 Comparator 회로에서 입력에 정현파를 인가하면 출력파형은?

    1. ①구형파형
    2. ②정현파형
    3. ③ramp파형
    4. ④톱날파형

  51. 51.그림의 회로에서 궤환비 β 는?

    1. ①
    2. ②-Re
    3. ③Re
    4. ④

  52. 52.10112를 Gray Code로 변환하면?

    1. ①1111
    2. ②1110
    3. ③1010
    4. ④1011

  53. 53.그림의 발진회로에서 Z3가 인덕턴스일 때 이 발진회로는?

    1. ①R-C
    2. ②브리지
    3. ③콜피츠
    4. ④하트레이

  54. 54.트랜지스터 캐스코드(cascode)회로를 이미터접지증폭기와 비교한 것 중 옳지 않은 것은?

    1. ①입력저항은 비슷하다.
    2. ②출력저항은 비슷하다.
    3. ③전류이득은 비슷하다.
    4. ④전압 궤환율은 적어진다.

  55. 55.이미터 접지 증폭기에서 입력 개방 출력 어드미턴스에 해당되는 h 파라미터는?

    1. ①hie
    2. ②hfe
    3. ③hre
    4. ④hoe

  56. 56.그림과 등가인 게이트는?

    1. ①
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  57. 57.배타적 OR(Exclusive OR)과 AND gate의 기능을 동시에 갖는 회로는?

    1. ①플립플롭 회로
    2. ②래치 회로
    3. ③전 가산기 회로
    4. ④반 가산기 회로

  58. 58.2진수 1011.01101를 8 진수로 고친 것 중 옳은 것은?

    1. ①13.32(8)
    2. ②15.31(8)
    3. ③13.31(8)
    4. ④15.15(8)

  59. 59.그림의 연산 증폭기 회로는?

    1. ①전압증폭기
    2. ②전류증폭기
    3. ③정전압 회로
    4. ④정전류 회로

  60. 60.다음 회로의 기능은?

    1. ①평형 변조기
    2. ②배전압 정류기
    3. ③푸시-풀 증폭기
    4. ④단상 전파 정류기

  61. 61.500[V] 전압으로 가속된 전자의 속도는 10[V]의 전압으로 가속된 전자 속도의 몇 배인가?

    1. ①√2
    2. ②5√2
    3. ③10√2
    4. ④50

  62. 62.서미스터(thermistor) 용도로 옳지 않은 것은?

    1. ①트랜지스터 회로의 온도 보상
    2. ②마이크로파 전력 측정
    3. ③온도 검출
    4. ④발진기

  63. 63.1[coulomb]의 전하를 얻을려면 전자는 몇 개가 필요한가? (단, e=1.602×10-19[C])

    1. ①6.24×1016[개]
    2. ②6.24×1018[개]
    3. ③6.24×1020[개]
    4. ④6.24×1022[개]

  64. 64.전자의 운동량(P)와 파장(λ ) 사이의 드브로이(DeBroglie) 관계식은?(단, h는 Plank 상수)

    1. ①P=λh
    2. ②
    3. ③
    4. ④

  65. 65.정공의 확산 계수 Dp=55[cm2/sec]이고, 정공의 평균 수명τP=10-6[sec]일 때의 확산 길이는 약 얼마인가?

    1. ①6.3×103[cm]
    2. ②6.3×10-3[cm]
    3. ③7.4×103[cm]
    4. ④7.4×10-3[cm]

  66. 66.펀치 스루(punch through) 현상에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①이미터, 베이스, 컬렉터의 단락 상태이다.
    2. ②펀치스루 전압은 베이스 영역 폭의 제곱에 비례한다.
    3. ③컬렉터 역 바이어스의 증가에 의해 발생하는 현상이다.
    4. ④펀치스루 전압은 베이스 내의 불순물 농도에 반비례한다.

  67. 67.CCD(Charge-coupled device)의 동작 원리와 가장 유사한 동작 원리의 전자 소자는?

    1. ①MOS FET
    2. ②접합 트랜지스터
    3. ③서미스터
    4. ④제너 다이오드

  68. 68.모노리딕 IC의 장점이 아닌 것은?

    1. ①경제적이며, 대량 생산이 가능하다.
    2. ②정밀도가 높고, 온도 특성이 우수하다.
    3. ③다수의 칩을 한데 묶어 LSI도 구성시킬 수 있다.
    4. ④동일한 칩에 트랜지스터, 다이오드, 저항, 콘덴서의 수용이 가능하다.

  69. 69.마치 3극관이 음극에서 양극에 향하는 전자류를 격자에 의하여 제어하듯이 N형(또는 P형) 반도체 내의 전자(정공)의 흐름을 제어하는 것은?

    1. ①FET(Field Effect Transistor)
    2. ②SCR(Silicon Controlled Rectifier)
    3. ③TRIAC(트라이액)
    4. ④UJT(UniJunction Junction Transistor)

  70. 70.스위칭 시간이 대단히 짧으므로 고속 스위칭 회로에 사용되는 소자는?

    1. ①제너 다이오드
    2. ②SCR
    3. ③터널 다이오드
    4. ④UJT

  71. 71.열전자 방출용 재료로 적합하지 않은 것은?

    1. ①일함수가 큰 것
    2. ②융점이 높은 것
    3. ③방출 효율이 좋은 것
    4. ④가공, 공작이 용이한 것

  72. 72.에너지 준위도에서 0 준위는?

    1. ①페르미 준위
    2. ②이탈 준위
    3. ③금속내 준위
    4. ④금속외 준위

  73. 73.열전자 방출에서 전자류가 온도 제한 영역에 있어서도 플레이트 전위의 상승에 의해 더욱 증가하는 현상은?

    1. ①쇼트키 효과
    2. ②펠티어 효과
    3. ③지벡 효과
    4. ④홀 효과

  74. 74.2차 전자 방출의 영향을 특히 억제토록 설계된 것은?

    1. ①가변 증폭관
    2. ②전자증 배관
    3. ③4극 진공관
    4. ④5극 진공관

  75. 75.Fermi 에너지에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

    1. ①온도에 따라 그 크기가 변한다.
    2. ②캐리어 농도에 따라 그 크기가 변한다.
    3. ③상온에서 전자가 점유할 수 있는 최저 에너지이다.
    4. ④0° K에서 전자가 점유할 수 있는 최고 에너지이다.

  76. 76.두 도체 또는 반도체의 폐 회로에서 두 접합점의 온도차로서 전류가 생기는 현상은?

    1. ①홀(Hall) 효과
    2. ②광전 효과
    3. ③펠티어(Peltier) 효과
    4. ④지벡(Seebeck) 효과

  77. 77.저온에서 반도체 내의 캐리어(carrier) 에너지 분포를 나타내는데 가장 적절한 것은?

    1. ①2차 분포함수
    2. ②Fermi-Dirac 분포함수
    3. ③Bose-Einstein 분포함수
    4. ④Maxwell-Boltzmann 분포함수

  78. 78.P형 불순물 반도체에서 전자의 농도를 나타낸 것은?(단, Na는 억셉터의 농도, ηi는 진성반도체에서 캐리어의 농도)

    1. ①
    2. ②
    3. ③Na-ηi
    4. ④Na+ηi

  79. 79.진성 반도체에서 온도가 상승하면?

    1. ①반도체의 저항이 증가한다.
    2. ②원자의 에너지가 증가한다.
    3. ③정공이 전도대에 발생된다.
    4. ④금지대가 감소한다.

  80. 80.피에조 저항(piezo resistance)은?

    1. ①압력 변화에 의한 저항의 변화이다.
    2. ②자계 변화에 의한 저항의 변화이다.
    3. ③온도 변화에 의한 저항의 변화이다.
    4. ④광전류 변화에 의한 저항의 변화이다.

  81. 81.다음 프로그램 중에서 성격이 전혀 다른 것은?

    1. ①Data management program
    2. ②Job management program
    3. ③Supervisor program
    4. ④Service program

  82. 82.기억된 데이터의 내용에 의해서 그 위치를 접근하는 방식은?

    1. ①Cache Memory
    2. ②Virtual Memory
    3. ③Associative Memory
    4. ④Multiple Module Memory

  83. 83.CPU의 수행 상태를 나타내는 주상태(Major State) 중에서 메모리로부터 실행하기 위한 다음 명령의 번지를 결정한 후 메모리로부터 명령을 CPU로 읽어들이는 동작은?

    1. ①Fetch 상태
    2. ②Indirect 상태
    3. ③Execute 상태
    4. ④Interrupt 상태

  84. 84.스택과 관련된 PUSH 및 POP 명령어의 명령 형식과 가장 관계가 깊은 것은?

    1. ①3-address
    2. ②2-address
    3. ③1-address
    4. ④0-address

  85. 85.단항(unary) 연산에 속하지 않는 것은?

    1. ①MOVE 연산
    2. ②Complement 연산
    3. ③Shift 연산
    4. ④OR 연산

  86. 86.컴퓨터에서 주소와 기억장소를 결부시키는 것을 무엇이라 하는가?

    1. ①Interrupt
    2. ②Mapping
    3. ③Merging
    4. ④Overlapping

  87. 87.어셈블리 언어로 프로그래밍 할 때 서브루틴 사용시 미리 고려할 사항이 아닌 것은?

    1. ①스택 영역을 확보한다.
    2. ②스택포인터를 초기화한다.
    3. ③레지스터의 중복 사용을 가능한 배제한다.
    4. ④서브루틴 실행 후 복귀(return) 번지를 결정한다.

  88. 88.10진 카운터(counter) 회로를 설계하기 위해서 몇 개의 단으로 구성해야 되는가?

    1. ①2단
    2. ②4단
    3. ③8단
    4. ④10단

  89. 89.어드레싱(addressing) 방법이 아닌 것은?

    1. ①direct addressing
    2. ②indirect addressing
    3. ③relative addressing
    4. ④temporary addressing

  90. 90.데이터 흐름을 중심으로 시스템 전체의 작업 내용을 총괄적으로 표시하는 순서도는?

    1. ①개략 순서도
    2. ②시스템 순서도
    3. ③상세 순서도
    4. ④프로그램 순서도

  91. 91.C-언어의 특징 중 옳지 않은 것은?

    1. ①연산자가 풍부하지 못하다.
    2. ②C는 포인터와 주소를 계산할 수 없다.
    3. ③C 언어 자체에는 입ㆍ출력 기능이 없다.
    4. ④데이터에는 반드시 형(type) 선언을 해야 한다.

  92. 92.인터럽트의 종류 중 입ㆍ출력장치, 타이밍장치, 전원등의 요인에 의해 발생되는 인터럽트는?

    1. ①기계 인터럽트
    2. ②외부 인터럽트
    3. ③내부 인터럽트
    4. ④소프트웨어 인터럽트

  93. 93.프로세서를 경유하지 않고 데이터를 직접 메모리와 입ㆍ출력하는 방식은?

    1. ①Strobe 방식
    2. ②Flag 검사 방식
    3. ③DMA 방식
    4. ④Hand-Shaking 방식

  94. 94.인터럽트를 발생시키는 모든 장치들을 직렬로 연결하고 우선 순위가 높은 순서로 연결하는 방식은?

    1. ①Vectored Interrupt
    2. ②DMA
    3. ③Daisy-Chain
    4. ④Polling

  95. 95.희박한 행렬(sparse matrix)을 표현하는 방법으로 적합한 자료구조는?

    1. ①큐(queue)
    2. ②연결 리스트(linked list)
    3. ③스택(stack)
    4. ④트리(tree)

  96. 96.65가지의 서로 다른 사항들에 각각 다른 2진 코드 값을 주고자 한다. 이 경우 최소한 몇 비트가 요구되는가?

    1. ①6
    2. ②7
    3. ③8
    4. ④9

  97. 97.레지스터에 계수의 기능을 갖춘 것은?

    1. ①레지스터
    2. ②스택 포인터
    3. ③PC
    4. ④AC

  98. 98.특정의 비트 또는 문자를 삭제하기 위한 적의 연산 방법은?

    1. ①Complement 연산
    2. ②OR 연산
    3. ③AND 연산
    4. ④MOVE 연산

  99. 99.다음의 구성은 무엇을 나타내는가?

    1. ①중앙처리장치
    2. ②산술논리연산장치
    3. ③제어장치
    4. ④입ㆍ출력 처리기

  100. 100.조합(combinational) 논리 회로에 대해 설명한 것은?

    1. ①출력 신호가 입력 신호에 의해서만 결정되는 논리 회로이다.
    2. ②플립플롭과 같은 기억 소자를 갖고 있는 논리 회로이다.
    3. ③출력 신호가 입력 신호와 현재의 논리 회로의 상태에 의해 결정되는 논리 회로이다.
    4. ④기억 능력을 가진 논리 회로이다.